TPS23757

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SLVS948 - 2009年7月

高效率PoE接口和DC / DC控制器

1

特点

功率高达13 W（输入）的PD

传统和IEEE 802.3at标准型的PD

优化用于隔离型DC / DC转换器

支持高效率拓扑

完整的PoE接口

适配器的ORing支持

可编程频率同步。

强劲的100 V， 0.5

热插拔MOSFET

引脚兼容TPS23754 / 6

-40 ° C至125°C的结温范围

工业标准TSSOP- 20

该TPS23757具有输出标志，指示是否一个

外墙适配器是活跃在使用时，

用的ORing控制相结合。检测

签名引脚还可以用来从强制权力

POE电源关闭。分类可

编程为任何已定义的类型与单个

电阻器。

该DC / DC控制器具有两个互补的门

驱动带有可编程死区时间。这简化了

高效率反激式拓扑设计或

有源钳位正激和反激式转换器。该

如果需要，为第二栅极驱动器可以被禁用

单个MOSFET拓扑结构。所述控制器还

具有内部软启动，启动引导程序源代码，

电流模式补偿和78 ％的最大一

占空比。可编程和可同步

振荡器可以优化设计的效率和

简化了使用控制器来升级现有的权力

电源设计。准确的可编程消隐，

用默认的时期，简化了通常的电流 -

检测滤波器的设计权衡。

该TPS23757有一个9伏转换器启动，

允许运行使用12 V交流适配器。

应用

IEEE 802.3at标准（草案）1型标准设备

视频和VoIP电话

接入点

安全摄像机

描述

该TPS23757是通过以太网与联合动力

供电（PoE）供电设备（PD）接口和

电流模式DC / DC控制器进行了优化

为隔离式转换器。 PoE接口的支持

在IEEE 802.3at标准（草案）标准1型PD ，

这相当于IEEE的13W标准

802.3-2008.

该TPS23757支持多种输入电压的

或运算选项，包括最高电压，外部

适配器的喜好，和PoE的偏好。

从以太网

对1,2

T1

R

DEN

C

IN

V

DD1

V

DD

L

OUT

建业

V

C

V

OUT

R

APb_OUT

58V

C

OUT1

从以太网

对3,4

0.1

m

F

R

CLS

PPD

CLS

V

SS

APD

CTL

FRS

C

OUT2

DEN

R

建业

V

B

D

VC1

V

APb_OUT

适配器

现在和

变流器

运行

R

CTL

M1

RTN ， COM

ARTN

DT

D

A

BLNK

GAT2

T2

C

IZ

R

FRS

C

VC

适配器

R

APD2

R

BLNK

R

DT

TLV431

C

IO

可选

接口

图1.高效率转换器使用TPS23757

1

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

版权所有 2009年，德州仪器

R

FB L

R

APD1

R

CS

C

VB

R

FBU

V

B

门

CS

M2

C

CTL

R

OB

TPS23757

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该器件包含电路，以保护其投入和对输出的伤害，由于高静电压或静电场。

这些电路已合格，以保护该器件免受根据可达2 kV的静电放电（ ESD ）

MIL -STD- 883C ，方法3015 ;然而，建议采取预防措施，以避免应用任何电压高于

最大额定电压为这些高阻抗电路。在储存或搬运装置引线应短接在一起

或装置应放置在导电泡沫。在一个电路中，未使用的输入应始终连接到一个适当的逻辑

电压电平，最好是VCC或地。用于处理这种类型的设备的具体准则中包含的出版物

准则处理静电放电敏感（ ESDS ）器件和组件可从德州仪器。

产品信息

(1)

状态

TPS23757PW

(1)

预览

税

周期

0–78%

POE UVLO

ON / HYST 。

(V)

35/4.5

转换器UVLO

ON / HYST 。

(V)

9 / 3.5

供电电流

极限

（MA ）

465

包

TSSOP-20

记号

TPS23757

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

绝对最大额定值

(1)

(2)

电压相对于V

SS

除非另有说明。

民

ARTN ， COM ，书房， PPD ， RTN

V

DD

, V

DD1

CLS

(4)

输入电压

[ APD ， BLNK

(4)

， CTL ， DT

(4)

， FRS

(4)

,

VB

(4)

]至[ ARTN ， COM ]

CS为[ ARTN ， COM ]

[ ARTN ， COM ]以RTN

V

C

，建业，以[ ARTN ， COM ]

GATE ， GAT2

吸收电流

目前采购

平均供应或吸收电流

静电放电

工作结温范围

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

RTN

V

B

GATE ， GAT2

人体模型（ HBM ）

充电设备模型（ CDM）

系统级（接触/空气）的RJ -45

(5)

T

J

–40

(4)

(4)

(2)

(2)

(3)

最大

100

6.5

6.5

V

B

2

19

V

C

+0.3

单位

V

V

V

V

V

V

V

mA

mA

,

–0.3

-0.3

–0.3

–0.3

–2

–0.3

–0.3

为[ ARTN ， COM ]

内部限制

内部限制

25

2

500

8 / 15

内部限制

mArms的

kV

V

kV

°C

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作

推荐工作

条件

是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

ARTN和COM通常依赖于RTN 。

I

RTN

= 0 V

RTN

> 80V 。

不要施加电压，这些引脚

每EN61000-4-2 ESD 。含有TPS23757的电源，进行标准中的最高测试水平。见ESD

部分。

2

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推荐工作条件

(1)

电压相对于V

SS

（除非另有说明）

民

V

I

输入电压范围ARTN ， COM ， PPD ， RTN ，V

DD

, V

DD1

输入电压范围建业，V

C

为[ ARTN ， COM ]

输入电压范围为APD ， CTL为[ ARTN ， COM ]

输入电压范围为CS [ ARTN ， COM ]

I

I

S

C

连续RTN电流（T

J

≤

125°C)

(2)

输出电流，V

B

V

B

电容

R

BLNK

同步脉冲宽度的输入（当使用时）

T

J

(1)

(2)

工作结温范围

0

0.08

0

25

–40

125

350

2.5

0

0

0

0

喃

最大

57

18

V

B

2

400

5

单位

V

V

V

V

mA

mA

F

k

ns

°C

ARTN和COM连接到RTN 。

这是最小限流值。 PD设备应该被设计为最大电流值低于此值，以提供单位功率引

耐受性。 IEEE 802.3at标准（草案）1型和IEEE 802.3-2008标准的设备不能得出平均电流大于350 mA或

他们的阶级力量。

耗散额定值

包

PWP （ TSSOP -20 ）

(1)

(2)

(3)

Ψ

JT

° C / W

(1)

0.7 / 0.45

θ

JA

° C / W

(2)

135

θ

JA

° C / W

(3)

74

热阻结到外壳顶部，低k /高k板，自然对流。

JEDEC的方法与低k板（ 1信号层） ，自然对流。

JEDEC的方法具有高k板（2信号 - 2平面层）。

电气特性

除非另有说明： CS = COM = APD = CTL = RTN = ARTN ， GATE和GAT2浮动，R

FRS

= 68.1 kΩ的，R

BLNK

= 249 kΩ的， DT = V

B

,

PPD = V

SS

，建业开，C

VB

= C

VC

= 0.1

F,

R

DEN

= 24.9 kΩ的，R

CLS

开， 0 V

≤

(V

DD

, V

DD1

)

≤

57 V, 0 V

≤

V

C

≤

18 V ， -40°C

≤

T

J

≤

125°C 。典型规格是在25 ℃。

控制器部分ONLY

[V

SS

= RTN和V

DD

= V

DD1

]或[Ⅴ

SS

RTN = = V

DD

] ，所有电压参考[ ARTN ， COM ] （除非另有

说明） 。

参数

V

C

V

CUV

V

CUVH

UVLO

工作电流

t

ST

引导程序的启动时间，

C

VC

= 22

F

启动电流源 - 我

VC

V

B

电压

(1)

6.5 V

≤

V

C

≤

18 V, 0

≤

I

VB

≤

5毫安

4.8

5.10

5.25

V

V

C

升起

迟滞

(1)

测试条件

民

8.7

3.3

0.7

50

27

0.44

2.7

TYP MAX

9

3.5

0.92

85

45

1.06

4.8

9.3

3.7

1.2

175

92

1.80

6.8

单位

V

mA

ms

mA

V

C

= 12 V ， CTL = V

B

, R

DT

= 68.1 k

V

DD1

= 10.2 V, V

C

(0) = 0 V

V

DD1

= 35 V, V

C

(0) = 0 V

V

DD1

= 10.2 V, V

C

= 8.6 V

V

DD1

= 48 V, V

C

= 0 V

滞后宽容跟踪了上限阈值给定设备。

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参数

FRS

开关频率

D

最大

V

SYNC

CTL

V

ZDC

0 ％占空比阈值

软启动周期

输入阻抗

BLNK

消隐延迟

（除吨

1

)

DT

BLNK = RTN

R

BLNK

= 49.9 k

占空比

同步

测试条件

CTL = V

B

，测量门，R

FRS

= 68.1 k

CTL = V

B

，测量门

输入阈值

V

CTL

↓

直到门停止

从开关开始到V区间

CSMAX

民

227

76

2

1.3

1.9

70

35

38

TYP MAX

253

78

2.2

1.5

3.9

100

55

55

278

80

2.4

1.7

6.2

145

78

70

单位

千赫

%

V

V

ms

k

ns

CTL = V

B

, C

门

= 1 nF的，

C

GAT2

= 1 NF，测量门， GAT2

t

DT1

t

DT2

t

DT1

t

DT2

CS

V

CSMAX

t

1

V

坡

I

SL_EX

最大阈值电压

关断延迟

内部斜率补偿

电压

峰值斜率补偿

当前

偏置电流（采购）

门

源出电流

灌电流

GAT2

源出电流

灌电流

APD / PPD

V

APDEN

V

人权常设大会

V

PPDen

V

菲腊牙科医院

V

PPD2

V

PPD2H

APD电流泄漏

（来源或水槽）

I

PPD

PPD灌电流

关断温度

迟滞

(3)

(2)

(3)

热关断

T

J

升起

135

145

20

155

°C

°C

PPD阈值电压

APD阈值电压

V

APD

升起

迟滞

迟滞

迟滞

(2)

死区时间

SEE

图2

对于T

DTX

德网络nition

R

DT

= 24.9 kΩ的， GAT2

↑

栅

↑

R

DT

= 24.9 kΩ的， GATE

↓

到GAT2

↓

R

DT

= 75 kΩ的， GAT2

↑

栅

↑

R

DT

= 75 kΩ的， GATE

↓

到GAT2

↓

V

CTL

= V

B

, V

CS

上升，直到GATE的占空比下降

V

CS

= 0.65 V

峰值电压在最大占空比，引用到CS

V

CTL

= V

B

, I

CS

在最大占空比

我的DC分量

CS

V

CTL

= V

B

, V

C

= 12 V ，门高，脉冲测量

V

CTL

= V

B

, V

C

= 12 V ，栅极低，脉冲测量

V

CTL

= V

B

, V

C

= 12 V ， GAT2高，R

DT

= 24.9 kΩ的，脉冲式

测量

V

CTL

= V

B

, V

C

= 12 V ， GAT2低，R

DT

= 24.9 kΩ的，脉冲式

测量

40

40

120

120

0.5

24

120

30

1

0.37

0.7

50

50

150

150

0.55

40

155

42

2.5

0.6

1.0

62.5

62.5

188

188

0.6

70

185

54

4.3

0.95

1.4

V

ns

mV

A

A

A

A

ns

0.37

0.7

0.6

1.0

0.95

1.4

A

A

1.43

0.29

1.45

0.29

7.4

0.5

1.5

0.31

1.55

0.31

8.3

0.6

1.57

0.33

1.65

0.33

9.2

0.7

1

V

V

V

A

A

V

PPD

- V

VSS

上升， UVLO关闭

(2)

V

PPD

- V

VSS

不断上涨，使类

(2)

V

C

= 12 V, V

APD

= V

B

V

PPD

-V

VSS

= 1.5 V

2.5

5

7.5

滞后宽容跟踪了上限阈值给定设备。

提供这些参数仅供参考，并不构成了TI的出版规范的一部分目的TI的产品

质保。

4

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电气特性 - 供电和控制

[V

DD

= V

DD1

]或[Ⅴ

DD1

= RTN ] ，V

C

= RTN ， COM = RTN = ARTN ，所有的电压被称为V

SS

除非另有说明

参数

检测（ DEN ）

检测电流

检测偏置电流

V

PD_DIS

热插拔关断阈值

DEN漏电流

分类（ CLS ）

V

DEN

= V

DD

= 57 V，浮动V

DD1

和RTN ，衡量我

DEN

(V

DD

= V

DD1

RTN = = V

供应

正）

13 V

≤

V

DD

≤

21 V，测量我

供应

R

CLS

= 1270

I

CLS

分级电流，

适用于这两个周期

R

CLS

= 243

R

CLS

= 137

R

CLS

= 90.9

R

CLS

= 63.4

V

CL_ON

V

CL_H

V

CU_OFF

V

CU_H

分类监管下

门槛

分类监管上

门槛

漏电流

通器件（ RTN ）

抗性

电流限制

浪涌限制

折返电压阈值

UVLO

UVLO_R

UVLO_H

建业

ON特性

漏电流

t

建业

延迟

关断温度

迟滞

(2)

(1)

(2)

热关断

T

J

升起

135

145

20

155

°C

°C

UVLO阈值

V

DD

升起

迟滞

(1)

测试条件

(V

DD

= V

DD1

RTN = = V

供应

正）

衡量我

供应

V

DD

= 1.6 V

V

DD

= 10 V

V

DD

= 10 V ，浮子穴，衡量我

供应

民

TYP MAX

单位

62

399

3

64.3

406

5.6

4

0.1

66.5

414

10

5

5

A

A

V

A

1.8

9.9

17.6

26.5

38.0

11.2

1.55

21

0.5

2.1

10.4

18.5

27.7

39.7

11.9

1.65

22

0.75

2.4

10.9

19.4

29.3

42

12.6

1.75

23

1.0

1

V

V

A

mA

mA

V

mA

调节器导通，V

DD

升起

迟滞

迟滞

(1)

调节器关闭，V

DD

升起

(1)

V

DD

= 57 V, V

CLS

= 0 V ， DEN = V

SS

，我测量

CLS

(V

DD1

= RTN ）

0.25

V

RTN

= 1.5 V, V

DD

= 48 V ，脉冲测量

V

RTN

= 2 V, V

DD

: 0 V

→

48 V ，脉冲测量

V

DD

升起

400

100

11

33.9

4.4

2

0.43

465

140

12.3

35

4.55

0.8

535

180

13.6

36.1

4.76

V

V

C

= 12 V ，浮动V

DD1

, V

DD

= 48 V ， ARTN = V

SS

V

APD

= 2 V ， CTL = ARTN ， （V

建业

- V

ARTN

) = 0.6 V

V

建业

= 18 V, (V

APD

-V

ARTN

) = 0 V, (V

PPD

- V

VSS

) = 0 V

从切换到APB开始活跃

5

9

mA

10

15

A

ms

滞后宽容跟踪了上限阈值给定设备。

提供这些参数仅供参考，并不构成了TI的出版规范的一部分目的TI的产品

质保。

门

hi

50%

lo

hi

50%

lo

t

DT1

t

DT2

时间

图2. GATE和GAT2时间和阶段

版权所有 2009年，德州仪器

GAT2

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5