TPS23753
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SLVS853A - 2008年6月 - 修订2008年6月
IEEE 802.3-2005 PoE接口和隔离式转换器控制器
1
特点
优化隔离转换器
完整的PoE接口
适配器的ORing支持
12 V适配器支持
可编程频率同步。
强劲的100 V， 0.7
热插拔MOSFET
小型TSSOP 14封装
15千伏/ 8 kV的系统级ESD有能力
-40 ° C至125°C的结温范围
设计程序应用笔记 -
SLVA305
适配器的ORing应用笔记 -
SLVA306
描述
该TPS23753是通过以太网与联合动力
供电（PoE）供电设备（PD）接口和
电流模式DC / DC控制器进行了优化
为
隔离
变流器
设计。
该
POE
落实支持IEEE 802.3-2005
（以前的802.3af ）标准， 12.95 W（ 13 W） PD 。
该TPS23753支持多种输入电压的
或运算选项，包括最高电压，外部
适配器的喜好，和PoE的偏好。
PoE接口设有一个外部检测
签名引脚，还可以用于禁用
内部热插拔MOSFET 。这允许该PoE
函数被关断。分类可
编程为任何已定义的类型与单个
电阻器。
该DC / DC控制器具有引导启动
有一个内部机制，开关电流源。
这提供了骑自行车过载故障的优点
没有保护的拉了恒功率损耗
电阻器。
可编程振荡器可被同步到
一个较高频率的外部定时参考。
应用
IEEE 802.3-2005标准的设备供电
VoIP的电话
接入点
安全摄像机
从以太网
变形金刚
BR1
T1
D1
58V
DEN
C
IN
V
DD1
DEN
CLS
R
CLS
V
SS
APD
FRS
R
FRS
V
DD
D
S
D
VC
R
VC
M1
V
B
门
CS
CTL
R
BLNK
R
CS
V
B
R
CTL
C
CTL
R
OB
C
IZ
R
FBU
C
OUT
V
OUT
C1
0.1F
从备用
成对或
变形金刚
BR2
D
A
R
APD2
R
APD1
适配器
RTN
BLNK
*
*
TPS23753
V
C
C
VC
C
VB
C
IO
TLV431
R
FBL
*适配器接口和R
BLNK
可选
图1.基本TPS23753实现
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2008 ，德州仪器
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该器件包含电路，以保护其投入和对输出的伤害，由于高静电压或静电场。
这些电路已合格，以保护该器件免受根据可达2 kV的静电放电（ ESD ）
MIL -STD- 883C ，方法3015 ;然而，建议采取预防措施，以避免应用任何电压高于
最大额定电压为这些高阻抗电路。在储存或搬运装置引线应短接在一起
或装置应放置在导电泡沫。在一个电路中，未使用的输入应始终连接到一个适当的逻辑
电压电平，最好是无论是V
CC
或地面。用于处理这种类型的设备的具体准则中包含的出版物
准则处理静电放电敏感（ ESDS ）器件和组件可从德州仪器。
产品信息
(1)
设备
TPS23753
(1)
占空比
0 – 80%
POE UVLO ON / HYST 。
35/4.5
包
PW （ TSSOP -14 ）
记号
TP23753
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
Voltags是相对于V
SS
（除非另有说明）
价值
V
DD
, V
DD1
，书房， RTN
V
DD1
以RTN
CLS
V
I
输入电压范围
(3)
(2)
单位
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
RMS
kV
V
kV
°C
-0.3 100
-0.3 100
-0.3 6.5
-0.3 6.5
-0.3到V
B
-0.3至19日
-0.3到V
C
+ 0.3
内部限制
25
2
500
8/15
-40到内部
有限
[ APD ， BLNK
(3)
， CTL ， FRS
(3)
, V
B (3)
]以RTN
CS为RTN
V
C
以RTN
门RTN
目前采购
平均供应或吸收电流
ESD额定值
ESD - 系统级（接触/空气）
T
J
(1)
(2)
(3)
(4)
(4)
V
B
门
HBM
清洁发展机制
工作结温范围
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
I
RTN
= 0 V
RTN
> 80V 。
不要施加电压，这些引脚。
每EN61000-4-2浪涌， 1999施加的RJ-45和输出地之间和所述适配器的输入和输出地之间的
TPS23753EVM - 001 （ HPA304-001 ）评估模块（在网络上可用的文档） 。这些是测试水平，而不是失败
门槛。
耗散额定值
包
PW （ TSSOP -14 ）
(1)
(2)
θ
JT
（ ° C / W）
(1)
0.97
θ
JA
（ ° C / W）
(2)
173.6
θ
JA
（ ° C / W）
(1)
99.3
JEDEC的方法具有高k板（ 4层， 2信号和第2面） 。
JEDEC的方法与低k板（ 2个信号层） 。
2
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推荐工作条件
电压相对于V
SS
（除非另有说明）
民
输入电压范围，V
DD
, V
DD1
， RTN
输入电压范围，V
DD
, V
DD1
以RTN
V
I
输入电压范围，V
C
以RTN
输入电压范围宽， APD ， CTL与RTN
输入电压范围， CS为RTN
RTN电流（T
J
≤
125°C)
V
B
目前采购
V
B
电容
R
BLNK
同步脉冲宽度的输入（当使用时）
T
J
工作结温范围
0
0.08
0
25
–40
2.5
0.1
0
0
0
0
0
喃
最大
57
57
18
V
B
2
350
5
2.2
350
150
125
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
F
k
ns
°C
电气特性
除非另有说明： CS = APD = CTL = RTN ，门打开，R
FRS
= 60.4 kΩ的，R
BLNK
= 249 kΩ的，C
VB
= C
VC
= 0.1
F,
R
DEN
=
24.9千欧，R
CLS
开放式，V
VDD ， VSS
= 48 V, V
VDD1-RTN
= 48 V, 8.5 V
≤
V
VC- RTN
≤
18 V ， -40°C
≤
T
J
≤
125°C
控制器部分ONLY
[V
SS
= RTN和V
DD
= V
DD1
]或[Ⅴ
SS
RTN = = V
DD
] ，所有的电压被称为RTN 。典型规格是在25 ℃。
参数
V
C
UVLO
1
UVLO
H
欠压锁定
工作电流
t
ST
启动时间，C
VC
= 22
F
启动电流源 - 我
VC
V
B
电压
FRS
开关频率
D
最大
V
SYNC
CTL
V
ZDC
0 ％占空比阈值
软启动周期
输入阻抗
BLNK
除了吨
1
消隐延迟
BLNK = RTN
R
BLNK
= 49.9 k
CS
V
CSMAX
t
1
V
坡
I
SL_EX
最大阈值电压
延时关闭
内部斜率补偿电压
最大斜率补偿电流
偏置电流（采购）
V
CTL
= V
B
, V
CS
↑
直到GATE的占空比下降
V
CS
= 0.65 V
峰值电压在最大占空比，称为CS
V
CTL
= V
B
, I
CS
在最大占空比（交流分量）
CS电流门高，直流分量
0.50
25
90
30
2
0.55
41
118
42
3
0.60
60
142
54
4.2
V
ns
mV
A
A
35
41
52
52
75
63
ns
V
CTL
↓
直到门停止
从开关开始到V区间
CSMAX
1.3
400
70
1.5
800
100
145
1.7
V
s
k
占空比
同步
CTL = V
B
，测量门
R
FRS
= 60.4 k
CTL = V
B
，测量门
输入阈值
223
76
2.0
248
78.5
2.2
273
81
2.4
千赫
%
V
6.5 V
≤
V
C
≤
18 V, 0
≤
I
VB
≤
5毫安
4.75
5.10
5.25
V
V
C
升起
迟滞
(1)
测试条件
民
典型值
最大
单位
8.65
3.3
0.40
50
30
0.44
2.5
9
3.5
0.58
85
48
1.06
4.3
9.3
3.7
0.85
175
85
1.80
6.0
V
mA
ms
V
C
= 12 V ， CTL = V
B
V
DD1
= 10.2 V, V
C
(0) = 0 V
V
DD1
= 35 V, V
C
(0) = 0 V
V
DD1
= 10.2 V, V
VC
= 8.6 V
V
DD1
= 48 V, V
VC
= 0 V
mA
(1)
滞后宽容跟踪了上限阈值给定设备。
2008 ，德州仪器
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电气特性（续）
除非另有说明： CS = APD = CTL = RTN ，门打开，R
FRS
= 60.4 kΩ的，R
BLNK
= 249 kΩ的，C
VB
= C
VC
= 0.1
F,
R
DEN
=
24.9千欧，R
CLS
开放式，V
VDD ， VSS
= 48 V, V
VDD1-RTN
= 48 V, 8.5 V
≤
V
VC- RTN
≤
18 V ， -40°C
≤
T
J
≤
125°C
控制器部分ONLY
[V
SS
= RTN和V
DD
= V
DD1
]或[Ⅴ
SS
RTN = = V
DD
] ，所有的电压被称为RTN 。典型规格是在25 ℃。
参数
门
源出电流
灌电流
APD
V
APDEN
V
人权常设大会
阈值电压
V
APD
↑
迟滞
(2)
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
CTL
= V
B
, V
C
= 12 V ，门高，脉冲测量
V
CTL
= V
B
, V
C
= 12 V ，栅极低，脉冲测量
0.30
0.50
0.46
0.79
0.60
1.1
A
A
1.42
0.28
1.5
0.3
1.58
0.32
V
热关断
关闭温度
迟滞
(3)
135
145
20
155
°C
°C
(2)
(3)
滞后宽容跟踪了上限阈值给定设备。
提供这些参数仅供参考，不构成TI公布的设备规范的一部分目的TI公司的
产品保修。
电气特性
PoE和控制
[V
DD
= V
DD1
]或[Ⅴ
DD1
] = RTN ，V
VC- RTN
= 0 V ，所有的电压被称为V
SS
。典型规格是在25 ℃。
参数
DEN （检测）
衡量我
供应
检测电流
V
DD
= 1.6 V
V
DD
= 10 V
检测偏置电流
V
PD_DIS
I
LKG
热插拔关断阈值
DEN漏电流
V
DEN
= V
DD
= 57 V，浮动V
DD1
和RTN ，衡量我
DEN
(V
DD
= V
DD1
RTN = = V
供应
正）
13 V
≤
V
DD
≤
21 V，测量我
供应
R
CLS
= 1270
I
CLS
当前分类
R
CLS
= 243
R
CLS
= 137
R
CLS
= 90.9
R
CLS
= 63.4
V
CL_ON
V
CL_HYS
V
CU_OFF
V
CU_HYS
I
LKG
分类监管下
门槛
分类监管上
门槛
漏电流
调节器导通，V
DD
升起
迟滞
(1)
测试条件
(V
DD
= V
DD1
RTN = = V
供应
正）
最小值典型值
最大
单位
62 64.3
399
406
5.2
3
4
0.1
66.5
413
12
5
5
A
A
V
A
V
DD
= 10 V ， DEN开，我测量
供应
CLS （分类）
1.8 2.14
9.9 10.6
17.6 18.6
26.5 27.9
38 39.9
10 11.7
1.9 2.05
21
22
2.4
11.3
19.4
29.3
42
13
2.2
23
1
1
V
mA
调节器关闭，V
DD
升起
迟滞
(1)
0.5 0.77
V
A
mA
mA
V
A
V
DD
= 57 V, V
CLS
= 0 V ， DEN = V
SS
，我测量
CLS
(V
DD1
= RTN ）
0.7
V
RTN
= 1.5 V, V
DD
= 48 V ，脉冲测量
V
RTN
= 2 V, V
DD
: 0 V
→
48 V ，脉冲测量
V
DD
升起
V
DD
= V
RTN
= 100 V， DEN = V
SS
V
DD
升起
迟滞
(1)
RTN （ PASS DEVICE ）
抗性
电流限制
浪涌限制
折返电压阈值
I
LKG
UVLO
UVLO_R
UVLO_H
欠压锁定阈值
漏电流
1.2
505
180
13.6
40
405
100
450
140
11 12.3
33.9
35
36.1
4.70
4.40 4.55
V
(1)
滞后宽容跟踪了上限阈值给定设备。
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电气特性（续）
PoE和控制
[V
DD
= V
DD1
]或[Ⅴ
DD1
] = RTN ，V
VC- RTN
= 0 V ，所有的电压被称为V
SS
。典型规格是在25 ℃。
参数
热关断
关闭温度
迟滞
(2)
测试条件
最小值典型值
最大
单位
135
145
20
155
°C
°C
(2)
提供这些参数仅供参考，不构成TI公布的设备规范的一部分目的TI公司的
产品保修。
设备信息
顶视图
CTL
VB
CS
VC
门
RTN
V SS
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
FRS
BLNK
APD
CLS
DEN
V DD
V DD1
表1.端子功能
终奌站
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
名字
CTL
V
B
CS
V
C
门
RTN
V
SS
V
DD1
V
DD
DEN
CLS
APD
BLNK
FRS
I / O
O
I
I / O
I / O
I / O
I
O
I
I / O
O
描述
控制回路输入到PWM （脉宽调制器） 。利用V
B
作为一个上拉的CTL 。
5 V偏压轨的DC / DC控制电路。应用0.1
F
以RTN 。 V
B
可用于偏置的外部
光耦反馈。
直流/直流转换器的开关MOSFET的电流检测输入端。连接到CS的偏高
RTN参考电流检测电阻。
直流/直流转换器的偏置电压。内部启动电流源转换器偏置绕组输出
该电源引脚。连接0.22
F
最小的陶瓷电容，以RTN ，以及更大的电容
方便启动。
栅极驱动器输出的直流/直流转换器的开关晶体管。
RTN是负轨输入到直流/直流转换器供电的热交换，并输出。
负电源轨从PoE源获得。
源的dc / dc转换器的启动电流。连接到V
DD
于大多数应用。
正输入电源轨为PoE接口电路。从PoE源获得。
从DEN连接一个24.9 kΩ的电阻连接到V
DD
提供的PoE检测签名。要将这个引脚
到V
SS
在电动操作使内部热交换MOSFET截止。
从CLS连接一个电阻到V
SS
编程每分级电流
表2中。
拉APD高于1.5 V至禁用内部PD热插拔开关，迫使电力来自一个
外部适配器。通过一个电阻分压器连接到适配器。
连接到RTN利用内部设置消隐期间或通过连接一个电阻，以RTN
编程的消隐周期。
从FRS电阻连接到RTN编程转换器的开关频率。
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