TPS22986
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SLVSBS5 - 2013年1月
迅雷电源选择IC
检查样品：
TPS22986
1
特点
2.8 V至19.8 V输入
自动选择3.3 V电源
>10毫安低功耗开关
>500毫安高功率开关
反向电流隔离，从OUT到VDD
唤醒UART输入活动
UART RX和TX缓冲器
2
描述
该TPS22986是一个活跃的电源选择器
迅雷电缆。该器件选择3.3V
从两个可用的电源输入连接
选择输入到两个输出OUTA和OUTB 。当
一个3.3V的电源不存在时，输出变为
高阻抗。
该TPS22986具有两种操作模式，正常
与控制。在正常模式下， OUTA总是在
当一个有效的供给存在。 OUTB连接至
一个有效的供应，当ENB输入为高。
在控制模式下， OUTA行为一样正常
模式和OUTB被的组合控制
监测的投入和对VDD1有效供应和
VDD2 。当一个有效的VDD是可用的，该设备
等待一个上涨的输入上ENB ，然后断开连接
OUTB ，直到下一个下降RXH过渡。一旦
下一个下降沿RXH过渡发生时，该装置
重新连接OUTB 。
在任一模式下，当一个有效的VDD为不可用，则
TPS22986打开所有开关和输出OUTA
和OUTB成为高阻抗。当
连接VDD超过3.6V，它被从断开
的输出。
该TPS22986可在1.6毫米X 1.6毫米
WCSP封装。
应用
迅雷电缆
笔记本电脑
台式电脑
电源管理系统
VDD1
VDD2
VDD1
VDD2
VDD （内部）
R
PUCFGOE
CPO
收费
泵
FET1
FET3
逻辑
CORE
FET4
CFG / OE
ENB
RESETz
FET2
RXH
TXH
RXH
TXH
水平
移
水平
移
RXC
台湾晶技
负载
图1.典型应用
OUTB
CDR和微控制器
OUTA
100k
R
PDNORMAL
GND
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
迅雷是德州仪器的商标。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
产品型号
TPS22986YFP
(1)
包装标志
(1)
YMDDJS
包
YFP
设备特有功能
WCSP
Y =年， M =月， D =序列码， DJ = TPS22986器件代码， S =晶圆制造/装配站点代码
顶视图/足迹
4
3
2
1
1
凹凸查看
2
3
4
D
D4
D3
D2
D1
D
D
D1
D2
D3
D4
D
C
C4
C3
C2
C1
C
C
C1
C2
C3
C4
C
B
B4
B3
B2
B1
B
B
B1
B2
B3
B4
B
A
A4
A3
A2
A1
A
A
A1
A2
A3
A4
A
4
3
2
1
1
2
3
4
模具尺寸： 1.6毫米X 1.6毫米
凹凸尺寸： 0.25毫米
凸块间距： 0.4毫米
TPS22986引脚映射（顶视图）
4
D
C
B
A
VDD1
OUTA
RXH
RXC
3
VDD1
OUTB
TXH
台湾晶技
2
VDD2
OUTB
RESETz
ENB
1
VDD2
GND
CPO
CFG / OE
耗散额定值
包
YFP
(1)
(2)
热阻
θ
JA
95°C/W
热阻
(1)
θ
JB
63°C/W
额定功率
T
A
= 25°C
1050毫瓦
降额因子
以上
(2)
T
A
= 25°C
10.5毫瓦/°C的
模拟高-K主板
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和T
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J（下最大）
– T
A
) /
θ
JA
.
2
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绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1) (2)
价值
在VDD1 ， VDD2电压范围
(3)
在OUTA ， OUTB电压范围
V
I
(3)
(3) (4)
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
V
kV
kV
-0.3 20
-0.3 4.0
-0.3 VDD + 0.3
-0.3至13
在RXC ， TXH ， RESETZ ， CFG / OE ， ENB电压范围
（ VDD是积极有效的3.3V输入在VDD1或VDD2 ）
毛棕榈油电压范围
(3)
在RXH ， TXC电压范围
(3)
-0.3 4.0
-40到85
125
-65到150
500
2
(5)
T
A
T
J
（最大）
工作环境温度范围
最大工作结温
存储温度范围
充电设备模型（ JESD 22 C101 ）
人体模型（ JESD 22 A114 ）
在VDD1接触放电， VDD2 （ IEC 61000-4-2 ）
T
英镑
4.4
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
在实际应用中需要高功耗和/或封装热阻差的存在，最大环境温度
必须降低。最大环境温度[T
A（最大值）
]是依赖于最大工作结温[T
J（下最大）
]，则
该装置的应用程序中的最大功耗〔P
D（最大）
]和部件/封装的结到环境的热阻
在应用程序中（ θ
JA
） ，给出由下式：T已
A（最大值）
= T
J（下最大）
– (θ
JA
× P
D（最大）
).
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
所有输入都必须连接到电源小于VDD1和VDD2的最大
IEC测试使用0.1μF的VDD1和VDD2运行。 IEC评价是非破坏性的。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
DD1
V
DD2
I
LIM1/2
I
LIM3/4
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
C
OUT
C
CPO
T
A
电源电压范围
FET1和FET2开关电流范围
FET3和FET4开关电流范围
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输出逻辑高电平
输出逻辑低电平
RXH ， TXC ， CFG / OE ， ENB
RXH ， TXC ， CFG / OE ， ENB
RXC ， TXH ， RESETZ
RXC ， TXH ， RESETZ
1
4
2
–40
2.25
0.4
4
22
10
85
2
0.8
2.8
2.8
最大
19.8
19.8
10
500
单位
V
V
mA
mA
V
V
V
V
F
nF
°C
在OUTA输出电容
在OUTB输出电容
在CPO的输出电容
工作温度范围
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电气特性
除非另有说明，否则该规范适用于在V
DD
范围和工作结温为-40°C
≤
T
J
≤
85°C 。典型
值是V
DD
= 3.3V和T
J
= 25°C.
参数
电源和电流的
V
DD1/2
I
DD-1
I
DD-2
I
IN- ENB
I
IN- UART
I
IN- CFGOE
I
IN- RESETZ
R
F1/2
R
F3/4
R
PDRESETZ
R
PUCFGOE
R
PDUART
R
PDNORMAL
R
PDCONTROL
(1)
测试条件
民
2.8
TYP MAX
19.8
250
20
250
20
1
6
3
500
500
单位
V
A
A
A
A
A
mA
Ω
mΩ
Ω
kΩ
MΩ
kΩ
输入电压范围
VDD1静态电流
VDD2静态电流
ENB输入电流
RXH和TXC输入电流
模式选择后， CFG / OE输入电流
RESETZ输入电流
FET 1 /2的导通电阻
FET 3 /4的导通电阻
RESETZ下拉电阻
CFG / OE上拉电阻
TXC和RXH
下拉电阻
CFG系列/ OE性进入正常模式
CFG / OE电阻到GND ，进入控制模式
高电压闭锁
迟滞
欠压锁定
电荷泵电压
在OUTA / B电压过冲
3.3V供应上升
3.3V供应下降
C
CPO
=指2nF ，我
CPO
= 0毫安
C
OUTB
= 4μF ，我
OUTB
= 0毫安，
C
OUTA
= 1μF ，我
OUTA
= 0毫安，
VDD1 SR
3.3→4V
=为10mV / μs的
COUTB = 4μF
COUTA = 1μF
见该供应切换期间
HVLO节
COUTB = 4μF
COUTA = 1μF
见模式选择部分
见模式选择部分
3.3V供应上升
看到UART RX和TX科
V
DD1
= 2.8 15V
V
DD2
= 2.8 15V
V
IN
= 1.8V至3.6V
V
IN
= 1.8V至3.6V
V
IN
= 1.8V至3.6V
V
RESETz
= 100 mV的
V
DD
= 3.3V ，我
OUT
= 10毫安
V
DD
= 3.3V ，我
OUT
= 350毫安
RESETZ断言
V
DD1
＆ GT ; V
DD2
V
DD1
＆ LT ; V
DD2
V
DD2
＆ GT ; V
DD1
V
DD2
＆ LT ; V
DD1
0.8
2
1
120
3
3
175
100
25
1.75
开关与阻力特性
33
15
0.6
35
50
20
1
50
10
12
3.6
60
2.8
2.5
11
200
kΩ
V
mV
V
V
mV
电压THESHOLDS和幅度
V
HVLO
V
UVLO
V
CPO
V
OS
3.5
20
2.7
2.4
8
3.55
40
2.75
2.45
9
过渡时间
t
d
t
e
t
dh
t
eh
UVLO要FETn开放时间
UVLO要FETn关闭时间
HVLO要FETn开放时间
HVLO要FETn封闭时间
200
2
20
s
ms
s
转换时序（正常模式）
t
eb
t
db
t
E2R
(1)
ENB为FET 3 / 4闭合时间
ENB为FET 3 / 4开放时间
ENB为RESETZ时间
2
200
6
ms
s
ms
CFG / OE是通过电阻R被拉向内部的VDD （ VDD1或者VDD2 ）
PUCFGOE
仅在模式选择上电时。
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电气特性（续）
除非另有说明，否则该规范适用于在V
DD
范围和工作结温为-40°C
≤
T
J
≤
85°C 。典型
值是V
DD
= 3.3V和T
J
= 25°C.
参数
转换时序（控制模式）
t
U2R
t
E2R
t
E2O
t
RX2O
t
RX2R
t
OE2TX
t
OE2TXZ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
R
/ T
F
Z
O
Z
O
f
最大
DC
T
SD
T
sdhyst
UVLO到RESETZ时间
ENB为RESETZ时间
ENB为FET 3 / 4开放时间
RX到FET3 / 4闭合时间
接收到RESETZ时间
OE到TXH有效时间
OE到TXH高阻时间
TXC ， RXH输入逻辑高
TXC ， RXH输入逻辑低电平
TXH ， RXC输出逻辑高电平
TXH ， RXC输出逻辑低电平
TXH ， RXC上升/下降时间
TXH输出阻抗
RXC输出阻抗
TXC ， RXH信号频率
TXC ， RXH占空比
关断温度
关机迟滞
40%
110
15
10-90％ CL = 20pF的
5
45
29
70
32
2.25
0.4
70
90
35
1
60%
130
°C
°C
RTXH = 100kΩ的到GND
RTXH = 100kΩ的到GND
2
0.8
COUTB = 4μF ， COUTA = 1μF
COUTB = 4μF ， COUTA = 1μF
5
5
6
2
100
0.8
6
7
10
200
2
7
20
20
ms
s
s
ms
ms
s
s
V
V
V
V
ns
Ω
Ω
Mb / s的
测试条件
民
TYP MAX
单位
TXC / TXH / RXC / RXH I / O
热关断
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