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TPS2102 , TPS2103
V
AUX
配电开关
SLVS234A - 1999年9月 - 修订2000年4月
特点
典型应用
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
双输入,单输出MOSFET开关
随着无反向电流(无寄生
二极管)
IN1 。 。 。 250毫欧, 500 - mA的N通道;
14 μA的电源电流
IN2 。 。 。 1.3 Ω , 100 mA的P通道;
0.75 μA的电源电流(V
AUX
模式)
先进的开关控制逻辑
CMOS和TTL兼容的使能输入
控制上升,下降和转换时间
2.7 V至24 V工作电压范围
SOT- 23-5和SOIC- 8封装
- 40 ° C至70 ° C环境温度范围
2 - kV的人体模型, 750 -V带电
设备型号, 200 -V机型号
ESD保护
D
D
D
笔记本电脑和台式电脑
手机,掌上电脑和掌上电脑
电池管理
TPS2102
3.3 V的VCC
3.3 V VAUX
D3或PME状态
控制信号
IN1
3.3 V
IN2
EN
调节器
( CardBus的,
1394,
PCI ,
等人)中
含率
电容
图1.典型的双输入单输出
应用
描述
该TPS2102和TPS2103是双输入,单输出电源开关设计,提供不间断
两个独立的电源之间转换时的输出电压。这两款器件结合1
n沟道(250毫欧)和一个P沟道(1.3
)
MOSFET,具有一个单一的输出。的p沟道MOSFET ( IN2 )
采用带辅助电源,提供低电流待机模式。 n沟道MOSFET的
(IN1 )一起使用,可提供正常运行所需的较高的电流的主电源。低
的导通电阻,使n沟道更高主电源电流的理想路径时的电源调节
和系统电压降非常重要。当使用p沟道MOSFET ,静态电流减小到
0.75
A
减少对备用电源的需求。在TPS2102和TPS2103与MOSFET
不具备寄生二极管,通常存在于离散的MOSFET ,从而防止逆流的电流
当开关处于关闭状态。
TPS2102
DBV包装
( TOP VIEW )
PCI总线
VAUX
3.3 V
( TOP VIEW )
EN
GND
IN2
1
2
3
5
4
IN1
OUT
VGA
VCC
TPS210x
D3-STAT
DBV包装
( TOP VIEW )
IN2
GND
EN
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
OUT
OUT
NC
IN1
TPS2103
( TOP VIEW )
PCI12xx / PCI14xx
CardBus控制器
图2. V
AUX
CardBus的实现
EN
GND
IN2
1
2
3
5
4
IN1
OUT
IN2
GND
EN
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
OUT
OUT
NC
IN1
NC - 无内部连接
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2000年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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1
TPS2102 , TPS2103
V
AUX
配电开关
SLVS234A - 1999年9月 - 修订2000年4月
选择指南,V
AUX
配电开关
设备
TPS2100
TPS2101
TPS2102
TPS2103
TPS2104
TPS2105
启用
EN
EN
EN
EN
EN
EN
操作
电压范围
(V)
2.7到4
2.7到4
2.7到4
2.7到4
2.75.5
2.75.5
最大输入
当前, IN1
(MA )
500
500
500
500
500
500
最大输入
当前, IN2
(MA )
10
10
100
100
100
100
环境
温度范围
(°C)
- 40至70
- 40至70
- 40至70
- 40至70
- 40-85
- 40-85
可用选项, TPS2102 , TPS2103
包装设备
TA
设备
TPS2102
TPS2103
启用
EN
EN
SOT-23-5
( DBV )
TSP2102DBV
TPS2103DBV
SOIC-8
(D)
TPS2102D
TPS2103D
- 40 ° C至70℃
两种封装可供左端录音和缠绕。添加的R后缀到D设备类型
(例如, TPS2103DR ) 。
加入T(例如, TPS2102DBVT )来表示的磁带和卷轴在250份订单数量。
加入R(例如, TPS2102DBVR )来表示的磁带和卷轴在3000份订单数量。
功能表
TPS2102
VIN1
0V
0V
3.3 V
3.3 V
0V
3.3 V
3.3 V
VIN2
0V
3.3 V
0V
3.3 V
3.3 V
0V
3.3 V
EN
XX
L
L
L
H
H
H
OUT
GND
GND
VIN1
VIN1
VIN2
VIN2
VIN2
VIN1
0V
0V
3.3 V
3.3 V
0V
3.3 V
3.3 V
TPS2103
VIN2
0V
3.3 V
0V
3.3 V
3.3 V
0V
3.3 V
EN
XX
H
H
H
L
L
L
OUT
GND
GND
VIN1
VIN1
VIN2
VIN2
VIN2
XX =不关心
2
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TPS2102 , TPS2103
V
AUX
配电开关
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TPS2102功能框图。
SW1
250 m
IN1
OUT
上拉
电路
EN
VCC
SELECT
收费
放电
电路
司机
IN2
SW2
1.3
GND
司机
TPS2103功能框图。
SW1
250 m
IN1
OUT
收费
VCC
SELECT
放电
电路
EN
司机
IN2
下拉
电路
SW2
1.3
GND
司机
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3
TPS2102 , TPS2103
V
AUX
配电开关
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终端功能
终奌站
名字
EN
EN
GND
IN1
IN2
OUT
1
2
5
3
4
3
2
5
1
7, 8
2
5
3
4
2
5
1
7, 8
4, 6
TPS2102
的dBV
D
TPS2103
的dBV
1
D
3
I
I
I
I
I
O
高电平有效启用IN1 -OUT开关
低电平有效使能IN1 -OUT开关
主要的输入电压, NMOS漏极( 250毫欧) ,需要0.22
F
绕行
的辅助输入电压, PMOS漏极( 1.3
)
,需要0.22
F
绕行
电源开关输出
无连接
I / O
描述
NC
4, 6
未使用INx的不应该接地。
详细说明
电源开关
N沟道MOSFET
在IN1 -OUT n沟道MOSFET的电源开关具有250毫欧的典型的导通电阻在3.3 V输入电压,
并且被配置为一个高侧开关。
P沟道MOSFET
该IN2 -OUT p沟道MOSFET功率开关具有导通电阻为1.3的典型
在3.3 V的输入电压,
被配置为一个高侧开关。当操作时, p沟道MOSFET的静态电流降低到
通常0.75
A.
电荷泵
内部电荷泵将电力提供给驱动器电路,并提供必要的电压拉闸门
的上述源的场效应晶体管。电荷泵在输入电压低至2.7 V ,并要求经营
非常小的电源电流。
司机
该驱动器控制IN1 -OUT和IN2 -OUT的功率开关的栅极电压。为了限制大电流浪涌
和减少所产生的相关联的电磁干扰(EMI) ,驱动器结合电路,其
控制输出电压的上升时间和下降时间。
启用
逻辑使能,有可能使IN2 -OUT电源开关,当一个逻辑高电平出现在EN ( TPS2102 )或逻辑
低出现在EN ( TPS2103 ) 。在EN ( TPS2102 ) ,逻辑低电平输入或逻辑高电平EN ( TPS2103 )恢复
偏置驱动器和控制电路和曲折的IN1 -OUT电源开关。使能输入兼容
用TTL和CMOS逻辑电平。
在V
AUX
申请CardBus控制器
PC卡规范要求V的支持
AUX
到卡总线控制器,以及PC卡
插座。两者都是3.3 -V的需求;然而,从V CardBus控制器的电流需求
AUX
供应
限制为10
A,
而PC卡可能消耗高达200 mA的电流。在这两种实现中,如果支持
的,需要一个唤醒事件时,控制器和插座将从3.3 -VV过渡
CC
轨至3.3 V
V
AUX
轨当设备移动进入低功率模式,如维生素D3 。从V过渡
CC
到V
AUX
需求
是无缝的,以保持所有的存储器和寄存器中的系统信息。如果V
AUX
不被支持,
该系统将失去所有的注册信息时,它会切换到D3状态。
4
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TPS2102 , TPS2103
V
AUX
配电开关
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在工作自由空气的温度绝对最大额定值(除非另有说明)
输入电压范围,V
I(IN1)
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至5 V
输入电压范围,V
I(IN2)
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至5 V
输入电压范围,V
I
在EN或EN (见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至5 V
输出电压范围,V
O
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至5 V
连续输出电流,I
O(IN1
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 700毫安
连续输出电流,I
O(IN2)
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140毫安
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅焊接温度的情况下, 1.6毫米( 1/16英寸) ,持续10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
静电放电( ESD)保护:人体模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2千伏
机器型号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200 V
带电器件模型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750 V
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 :所有的电压是相对于GND 。
额定功耗表
的dBV
D
TA < 25℃
额定功率
309毫瓦
568毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
3.1毫瓦/°C的
5.7毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
170毫瓦
313毫瓦
TA = 85°C
额定功率
123毫瓦
227毫瓦
推荐工作条件
输入电压, VI ( INx的)
输入电压, VI在EN和EN
连续输出电流, IO ( IN1 )
连续输出电流, IO ( IN2 )
2.7
0
最大
4
4
500
100
单位
V
V
mA
mA
经营虚拟结温, TJ
– 40
85
°C
该器件可提供高达220 mA的IO ( IN2 ) 。但是,操作在较高的电流水平将导致在整个器件更大的电压降,
和IN1和IN2之间更大的电压跌落开关时。
电气特性在推荐工作结温范围,
V
I(IN1)
= V
(IN2)
= 3.3 V,I
O
=额定电流(除非另有说明)
开关
参数
IN1-OUT
IN1 OUT
RDS ( ON)
DS ( )
导通状态
导通状态电阻
IN2 OUT
IN2-OUT
TEST
条件“
TJ = 25°C
TJ = 85°C
TJ = 25°C
TJ = 85°C
典型值
250
300
1.3
1.5
2.1
375
最大
单位
m
脉冲测试技术保持结点温度接近环境termperature ;热效应必须分开考虑。
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操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TPS2103DBVR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881140005 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881141877 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881141878 复制

电话:0755-83240490 82781578 83997461 82568894
联系人:李
地址:福田区中航路都会B座26楼26U室
TPS2103DBVR
TI
2021+
3000
NA
主营TI,ST,欢迎来电洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
TPS2103DBVR
TI
22+
12500
SOT23-5
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
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电话:0755-82525087
联系人:肖
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园四栋西4楼4B20
TPS2103DBVR
TI
21+
10000
SOT23-5
原装正品,特价
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电话:13316817713
联系人:张先生
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6楼
TPS2103DBVR
TI
24+
9850
SOT23-5
进口原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
TPS2103DBVR
TI
21+
1687
SOT23-5
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:370883777 复制 点击这里给我发消息 QQ:839051306 复制
电话:0755-83587431
联系人:钟彩香
地址:深圳市福田区深南中路世纪汇.都会轩3216室
TPS2103DBVR
TI
2023+
26000
SOT-23 (DBV)
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
TPS2103DBVR
TI
1340+
12450
SOT23-5
正品原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2956528467 复制

电话:400-168-7299
联系人:King
地址:深圳市福田区福田街道福安社区福华一路国际商会大厦A栋1305-1306
TPS2103DBVR
TI
22+
3000
SOT-23 (DBV)
只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2891128682 复制

电话:18820154873
联系人:李
地址:华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10
TPS2103DBVR
TI/德州仪器
25+
88280
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393584 复制

电话:0755-82865201/83223957
联系人:李先生//吴小姐
地址:深圳市福田区赛格广场6707A
TPS2103DBVR
Texas Instruments
23+
4560
SOT-753
全新原装 深圳现货 ,支持实单
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