TPS1100 ， TPS1100Y
单P沟道增强型MOSFET
SLVS078C - 1993年12月 - 修订1995年8月
D
D
D
D
D
D
D
低R
DS （ ON）
. . . 0.18
典型的V
GS
= – 10 V
3 V兼容
无需外部V
CC
TTL和CMOS兼容输入
V
GS （ TH）
= - 1.5 V最大
可用在超薄TSSOP封装（ PW ）
ESD保护高达2千伏每
MIL-STD- 883C ，方法3015
D组或PW包装
（ TOP VIEW ）
来源
来源
来源
门
包
1
2
3
4
8
7
6
5
漏
漏
漏
漏
PW包
描述
该TPS1100是单P沟道
增强型MOSFET 。该装置具有
经过优化的3 - V或5 V电源分配
在得克萨斯手段电池供电系统
仪器LinBiCMOS 工艺。有
最大V
GS （ TH）
的 - 1.5 V和I
DSS
只有
0.5
A,
该TPS1100是理想的高边开关
为低电压，便携式电池管理
系统中延长电池寿命的主要
关注。在低R
DS （ ON）
和出色的交流
特性（上升时间为10ns典型值）作
TPS1100低电压的合理选择
切换应用，例如电源开关，用于
脉冲宽度调制（ PWM）控制器或
电机/驱动桥。
超薄薄小外形封装或
TSSOP （ PW ）版本，其更小的尺寸和
减低高度的地方适合在其他
P沟道MOSFET不能。规模优势
尤其重要，因为主板地产
溢价和高度限制不允许
对于一个小外形集成电路（SOIC）
封装。
概要
来源
的ESD
保护
电路
门
漏
注答：对于所有的应用程序，所有的源极引脚应连接
和所有漏引脚应连接。
可选项
包装设备
TA
- 40 ° C至85°C
小尺寸
(D)
TPS1100D
塑料DIP
(P)
TPS1100PWLE
芯片形式
(Y)
TPS1100Y
D封装中提供卷带封装。添加的R后缀的设备类型（例如，
TPS1100DR ） 。该PW包仅左端录音和缠绕
（由LE后缀的设备类型显示;例如， TPS1100PWLE ） 。芯片形式
在25℃下进行测试。
注意！该器件包含电路，以保护其投入和对输出的伤害，由于高静电压或静电
场。这些电路已合格，以保护该器件免受根据可达2 kV的静电放电（ ESD ）
MIL -STD- 883C ，方法3015 ;然而，建议采取预防措施，以避免应用任何电压高于
最大额定电压为这些高阻抗电路。
LinBiCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TPS1100 ， TPS1100Y
单P沟道增强型MOSFET
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描述（续）
这样的应用包括笔记本计算机，个人数字助理（PDA） ，蜂窝电话，以及
PCMCIA卡。在现有设计中，对D-打包版本具有与其它p型沟道的引脚分布
MOSFET的采用SOIC封装。
TPS1100Y芯片信息
该芯片，当正确组装，显示类似TPS1100的特性。热压缩或
超声键合，可以使用在掺杂铝接合焊盘。该芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
(4)
来源
来源
来源
(5)
(6)
57
切屑厚度： 15 MILS典型
焊盘： 4
×
4 MILS最低
TJMAX = 150℃
(8)
(7)
(1)
(2)
公差
±
10%
所有尺寸均为MILS
(3)
门
(1)
(2)
(3)
(4)
TPS1100Y
(8)
(7)
(6)
(5)
漏
漏
漏
漏
64
2
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单P沟道增强型MOSFET
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在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）
单位
漏 - 源电压VDS
栅极 - 源极电压，V GS
包
VGS = - 2 7 V
2.7
PW包
包
VGS = - 3 V
PW包
连续漏电流（ TJ = 150 ° C）的ID
150°C),
包
VGS = - 4 5 V
4.5
PW包
包
VGS = - 10 V
PW包
脉冲漏极电流， ID
连续源电流（二极管导通） ， IS
存储温度范围， TSTG
工作结温范围， TJ
工作自由空气的温度范围， TA
TA = 25°C
TA = 125°C
TA = 25°C
TA = 125°C
TA = 25°C
TA = 125°C
TA = 25°C
TA = 125°C
TA = 25°C
TA = 125°C
TA = 25°C
TA = 125°C
TA = 25°C
TA = 125°C
TA = 25°C
TA = 125°C
TA = 25°C
TA = 25°C
–15
2或-15
±
0.41
±
0.28
±
0.4
±
0.23
±
0.6
±
0.33
±
0.53
±
0.27
±
1
±
0.47
±
0.81
±
0.37
±
1.6
±
0.72
±
1.27
±
0.58
±
7
–1
- 55 150
- 40150
- 40 125
A
A
°C
°C
°C
A
V
V
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
260
°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
最高值是使用基于R一降额系数计算
θJA
=对于D包和R 158 ° C / W
θJA
=为PW包248 ° C / W 。
这些装置被安装在FR4电路板没有特殊散热的考虑。
额定功耗表
包
D
PW
TA
≤
25°C
额定功率
791毫瓦
504毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
6.33毫瓦/°C的
4.03毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
506毫瓦
323毫瓦
TA = 85°C
额定功率
411毫瓦
262毫瓦
TA = 125°C
额定功率
158毫瓦
101毫瓦
最高值是使用基于R一降额系数计算
θJA
=对于D包和R 158 ° C / W
θJA
= 248 ° C / W
为PW包。这些设备安装在一FR4板没有特别的散热考虑测试时。
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单P沟道增强型MOSFET
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在T电气特性
J
= 25 ℃（除非另有说明）
STATIC
参数
栅极 - 源
VGS （ TH）
阈值电压
VSD
源 - 漏电压
（二极管正向
电压）
反向栅极电流，
漏短路到
来源
零栅极电压漏极
g
g
当前
测试条件
VDS = VGS ，
IS = - 1 ，
ID = - 250
A
VGS = 0 V
TPS1100
民
–1
典型值
– 1.25
最大
– 1.50
TPS1100Y
民
典型值
– 1.25
最大
单位
V
– 0.9
– 0.9
V
IGSS
VDS = 0 V ，
VGS = - 12 V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
180
291
476
606
2.5
±
100
– 0.5
– 10
180
400
700
850
291
476
606
2.5
nA
IDSS
VDS = - 12 V
V,
VGS = - 10 V
VGS = - 4.5 V
VGS = - 3 V
VGS = - 2.7 V
VDS = - 10 V ，
VGS = 0 V
ID = - 1.5
ID = - 0.5 A
ID = - 0 2将
0.2
ID = - 2 A
A
RDS （ ）
DS （ ON）
静态漏 - 源
通态电阻
m
政府飞行服务队
前锋
跨
S
脉冲测试：脉冲持续时间
≤
300
s,
占空比
≤
2%
动态
参数
Qg
QGS
QGD
TD （上）
TD （关闭）
tr
tf
TRR （ SD ）
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
下降时间
源极到漏极的反向恢复时间
IF = 5.3 A，
的di / dt = 100 A / μs的
VDD = - 10 V ，
,
RG = 6
,
RL = 10
,
,
参见图1和2
ID = - 1 ，
,
VDS = - 10 V ，
VGS = - 10 V ，
ID = - 1
测试条件
TPS1100 ， TPS1100Y
民
典型值
5.45
0.87
1.4
4.5
13
10
2
16
ns
ns
ns
nC
最大
单位
4
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TPS1100 ， TPS1100Y
单P沟道增强型MOSFET
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参数测量信息
VGS
90%
0V
RL
VDS
VGS
RG
DUT
–
VDD +
10%
VDS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
– 10 V
图1.开关时间测试电路
图2.开关时间波形
典型特征
表图的
科幻gure
漏电流
漏电流
静态漏 - 源极导通电阻
电容
静态漏极至源极导通电阻（归一化）
源 - 漏二极管电流
静态漏 - 源极导通电阻
栅极 - 源极阈值电压
栅极 - 源极电压
VS漏极至源极电压
VS的栅极至源极电压
VS漏电流
VS漏极至源极电压
VS结温
VS源 - 漏电压
VS的栅极至源极电压
VS结温
VS栅极电荷
3
4
5
6
7
8
9
10
11
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5
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