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TPN22006NH
MOSFET的
硅的N沟道MOS (U- MOS -H)
TPN22006NH
1.应用
开关稳压器
电机驱动器
DC- DC转换器
2.特点
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
由于占用空间小,小而薄的封装
高速开关
小栅极电荷:Q
SW
= 4.5 NC (典型值)。
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 18毫欧(典型值)。
低漏电流:I
DSS
= 10
A
(最大值) (Ⅴ
DS
= 60 V)
增强型: V
th
= 2.0 4.0 V(V
DS
= 10 V,I
D
= 0.1 mA)的
3.包装和内部电路
1 ,2,3 :源
4 :门
5 ,6,7 ,8:漏
TSON进展
25
4.绝对最大额定值(注) (T
a
= 25
除非另有规定编)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
功耗
功耗
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
通道温度
储存温度
(T = 1毫秒)
(T
c
= 25)
(T = 10秒)
(T = 10秒)
(注3)
(注4 )
(注5 )
(硅限制)
(注1 ) (注2 )
(注1 )
(注1 )
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
I
DP
P
D
P
D
P
D
E
AS
I
AR
T
ch
T
英镑
等级
60
±20
21
9
42
18
1.9
0.7
21
9
150
-55到150
W
W
W
mJ
A
A
单位
V
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
1
2012-10-18
Rev.1.0
TPN22006NH
5.热特性
特征
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
通道到环境的热阻
(T
c
= 25)
(T = 10秒)
(T = 10秒)
(注3)
(注4 )
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
R
第(章-a)的
最大
6.94
65.7
178
单位
/W
/W
/W
注1 :确保通道温度不超过150 。
注2:由硅能力有限。
注3 :设备安装在玻璃环氧基板( a)所示,图5.1
注4 :设备安装在玻璃环氧基板( b)所示,图5.2
注5 : V
DD
= 48 V ,T
ch
= 25 (初始) , L = 0.2 mH的,我
AR
= 9 A
图。 5.1设备安装在玻璃环氧树脂
板(一)
图。 5.2设备安装在玻璃环氧树脂
板(二)
注意:
该晶体管是静电放电敏感,应谨慎处理。
2
2012-10-18
Rev.1.0
TPN22006NH
6,电气特性
6.1 。静态特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
(注6 )
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSX
V
th
R
DS ( ON)
测试条件
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时, V
GS
= -20 V
V
DS
= 10 V,I
D
- 0.1毫安
V
GS
= 6.5 V,I
D
= 4.5 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 4.5 A
60
45
2.0
典型值。
28
18
最大
±0.1
10
4.0
64
22
m
V
单位
A
注6 :如果反偏压栅极和源极之间施加电压,该器件进入V
( BR ) DSX
模式。注意,漏极
源击穿电压被降低在这种模式下。
6.2 。动态特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
输入电容
反向传输电容
输出电容
栅极电阻
切换时间(上升时间)
切换时间(导通时间)
切换时间(下降时间)
切换时间(关断时间)
符号
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
r
g
t
r
t
on
t
f
t
关闭
参见图6.2.1 。
测试条件
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
典型值。
710
14
235
1.0
4.6
13
3.3
13
最大
1.5
ns
单位
pF
图。 6.2.1开关时间测试电路
25
6.3 。栅极电荷特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
特征
总栅极电荷(栅极 - 源极加
栅极 - 漏极)
栅极 - 源极电荷1
栅极 - 漏极电荷
门开关充电
符号
Q
g
Q
gs1
Q
gd
Q
SW
测试条件
V
DD
30 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 9 A
典型值。
12
3.9
3.0
4.5
最大
单位
nC
6.4 。源极 - 漏极特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
反向漏电流(脉冲电流)
二极管的正向电压
(注7 )
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
9 = A,V
GS
= 0 V
典型值。
最大
42
-1.2
单位
A
V
注7 :确保通道温度不超过150 。
3
2012-10-18
Rev.1.0
TPN22006NH
7,打标
图。 7.1标志
4
2012-10-18
Rev.1.0
TPN22006NH
8.特性曲线(注)
图。 8.1我
D
- V
DS
图。 8.2我
D
- V
DS
图。 8.3我
D
- V
GS
图。 8.4 V
DS
- V
GS
图。 8.5
DS ( ON)
- I
D
图。 8.6
DS ( ON)
- T
a
5
2012-10-18
Rev.1.0
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