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TPIC6C596
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS093C - 2000年3月 - 修订2005年4月
D
低R
DS （ ON）
. . . 7
典型值
D
雪崩能量。 。 。 30兆焦耳
D
八功率DMOS晶体管输出
D
D
D
D
D
D
100 mA的连续电流
250 - mA的电流限制能力
ESD保护。 。 。 2500 V
输出钳位电压。 。 。 33 V
增强层叠的多个阶段
疏通，单输入的所有寄存器
低功耗
D，N ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
V
CC
SER IN
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
CLR
G
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
GND
SRCK
DRAIN7
DRAIN6
DRAIN5
DRAIN4
RCK
SER OUT
描述
该TPIC6C596是单片，中压，
低电流的8位移位寄存器设计为
在要求相对适中的系统使用
负载功率，如LED 。该器件包含一个
内置的电压钳上用于感应输出
瞬态保护。功率驱动器应用
包括继电器，螺线管等低电流或
中压负荷。
逻辑符号
G
RCK
CLR
SRCK
SER IN
8
10
7
15
2
R
EN3
C2
SRG8
C1
1D
2
3
4
5
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
该器件包含一个8位串行输入，并行输出
6
DRAIN3
馈送一个8位D型存储移位寄存器
11
DRAIN4
注册。同时通过移动数据传输，
12
DRAIN5
在换档的上升沿存储寄存器
13
寄存器时钟（ SRCK ）和寄存器时钟
DRAIN6
14
（ RCK ）表示。该存储寄存器反
DRAIN7
2
FERS数据到输出缓冲器时，移位寄存器
9
SER OUT
清除（ CLR ）为高。当CLR为低电平时，所有的寄存器
在该装置将被清除。当输出使能（ G）
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984
保持高电位，在输出缓冲器中的所有数据被保持
和IEC出版617-12 。
低的，并所有的漏输出，都熄灭。当G被保持
低时，从该存储寄存器的数据是透明的输出缓冲器。当在输出缓冲器的数据为低电平时，
在DMOS晶体管输出关闭。当数据为高时， DMOS晶体管，输出具有吸收电流
能力。串行输出（ SER OUT ）的同步输出设备上SRCK的下降沿提供
更多的保持时间为级联应用。这将为应用改进的性能
时钟信号可以被扭曲，设备不位于靠近彼此，或系统必须能够承受
电磁干扰。
该器件包含电路，以保护其投入和对输出的伤害，由于高静电压或静电场。这些
电路已合格，根据MIL -STD- 883C ，以保护该器件免受高达2kV的静电放电（ ESD ）
方法3015 ;然而，建议采取预防措施，以避免应用高于任何电压的最大额定
电压对这些高阻抗电路。在储存或处理，设备引线应短接在一起或设备
应放置在导电泡沫。在一个电路中，未使用的输入应始终连接到拨逻辑电压电平，
优选VCC或地。用于处理这种类型的设备的具体准则中包含的出版物
指南
处理静电放电敏感（ ESDS ）器件和组件
从德州仪器。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2000-2005年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TPIC6C596
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS093C - 2000年3月 - 修订2005年4月
描述（续）
输出低端，漏极开路DMOS晶体管的33 V和100 mA连续输出额定值
灌电流能力。每路输出提供了在T 250 - mA的最大电流限制
C
= 25°C 。电流限制
随结温的升高为附加设备的保护。该装置还提供了向上
对ESD保护时使用的人体模型和200 -V机器模型测试2500 V 。
该TPIC6C596的特点是工作在-40° C至125°C的工作温度范围。
逻辑图（正逻辑）
G 8
10
RCK
7
CLR
15
2
D
C1
CLR
D
C1
CLR
D
C2
CLR
4
DRAIN1
3
DRAIN0
SRCK
SER IN
D
C2
CLR
5
DRAIN2
D
C1
CLR
D
C1
CLR
D
C1
CLR
D
C2
CLR
6
DRAIN3
D
C2
CLR
D
C2
CLR
D
C2
CLR
13
DRAIN6
12
DRAIN5
11
DRAIN4
D
C1
CLR
D
C1
CLR
D
C1
CLR
D
C1
CLR
D
C2
CLR
14
DRAIN7
D
C2
CLR
16
GND
9
SER OUT
2
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TPIC6C596
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS093C - 2000年3月 - 修订2005年4月
输入和输出的原理图
等效每个输入
VCC
典型所有排水输出
漏
33 V
输入
25 V
12 V
20 V
GND
GND
在推荐的工作温度范围内绝对最大额定值（除非
另有说明）
逻辑电源电压，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7 V
逻辑输入电压范围，V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
功率DMOS漏极至源极电压V
DS
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33 V
连续源 - 漏二极管的阳极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫安
脉冲源 - 漏二极管的阳极电流（见注3） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
脉冲漏极电流，每路输出，所有输出，我
D
, T
C
= 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫安
连续漏电流，每个输出，所有输出，我
D
, T
C
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
峰值漏极电流单输出，我
DM
,T
C
= 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫安
单脉冲雪崩能量E
AS
（参见图4） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30兆焦耳
雪崩电流，我
AS
（见注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至150℃
工作温度范围内，T
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有电压值相对于GND 。
2.每个功率DMOS源内部连接到GND 。
3.脉冲持续时间
≤
100
s
和占空比
≤
2%.
4.漏极电源电压= 15V，起动结点温度（ TJS） = 25℃ ，L = 1.5 H， IAS = 200毫安（参见图4） 。
额定功耗表
包
D
N
PW
TC
≤
25°C
额定功率
1087毫瓦
1470毫瓦
1372毫瓦
降额因子
以上TC = 25°C
8.7毫瓦/°C的
11.7毫瓦/°C的
10.976毫瓦/°C的
TC = 125°C
额定功率
217毫瓦
294毫瓦
274毫瓦
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3
TPIC6C596
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS093C - 2000年3月 - 修订2005年4月
推荐工作条件
民
逻辑电源电压VCC
高电平输入电压， VIH
低电平输入电压， VIL
脉冲漏输出电流， TC = 25 ℃， VCC = 5V ，所有输出（见注3和第5和图11 ）
建立时间， SER在高SRCK ↑之前， TSU （见图2）
保持时间， SER在高SRCK ↑后，第（见图2）
脉冲持续时间，总重量（参见图2）
工作温度的情况下， TC
注： 3.脉冲持续时间
≤
100
s
和占空比
≤
2%.
5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值） 。
15
15
40
40
125
4.5
0.85 VCC
0.15 VCC
250
最大
5.5
单位
V
V
V
mA
ns
ns
ns
°C
电气特性，V
CC
= 5 V ，T
C
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
V（ BR ） DSX
VSD
VOH
VOL
IIH
IIL
ICC
ICC （ FRQ ）
IN
漏极至源极击穿电压
源 - 漏极二极管的正向电压
高电平输出电压时， SER OUT
低级别的输出电压， SER OUT
高层次的输入电流
低电平输入电流
逻辑电源电流
逻辑电源电流频率
额定电流
测试条件
ID = 1毫安
IF = 100毫安
IOH = - 20
A,
IOH = - 4毫安，
IOL = 20
A,
IOL = 4毫安，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 5.5 V
fSRCK = 5MHz时，
所有输出关闭，
VDS （ ON） = 0.5 V ，
TC = 85°C ，
VDS = 30 V ，
VDS = 30 V ，
TC = 125°C
ID = 50 mA时，
VCC = 4.5 V
RDS （ ON）
静态漏源导通电阻
ID = 50 mA时，
TC = 125°C ，
VCC = 4.5 V
ID = 100毫安，
VCC = 4.5 V
见注5和6
与图7和图8
VCC = 4.5 V
VCC = 4.5 V
VCC = 4.5 V
VCC = 4.5 V
VI = VCC
VI = 0
所有输出关闭
所有输出开
CL = 30 pF的，
参见图2和6
IN = ID ，
见注5 ，第6和第7
VCC = 5.5 V
VCC = 5.5 V ，
20
150
1.2
90
0.1
0.15
6.5
0.2
0.3
9
A
民
33
4.4
4
典型值
37
0.85
4.49
4.2
0.005
0.3
0.1
0.5
1
1
200
500
5
V
A
A
A
A
mA
mA
V
1.2
最大
单位
V
V
IDSX
断态漏电流
9.9
12
6.8
10
注： 5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值） 。
6.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
7.额定电流被定义为来自不同源的设备之间一致的比较。它是目前能产生
0.5 V电压TC压降= 85°C 。
4
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功率逻辑8位移位寄存器
SLIS093C - 2000年3月 - 修订2005年4月
开关特性，V
CC
= 5 V ，T
C
= 25°C
参数
TPLH
的TPH1
tr
tf
tPD的
F（ SRCK ）
ta
TRR
传播延迟时间，从低到高的电平输出给G
传播延迟时间，高到低级别的输出给G
上升时间，漏极开路输出
下降时间，漏极开路输出
传播延迟时间， SRCK ↓键SEROUT
串行时钟频率
反向恢复电流上升时间
反向恢复时间
CL = 30 pF的，
见图2
CL = 30 pF的，
见注8
ID = 75 mA时，
ID = 75 mA时，
100
120
ns
CL = 30 pF的，
ID = 75 mA时，
参见图1 ，图2和9
测试条件
民
典型值
80
50
100
80
15
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
IF = 100 mA时，
的di / dt = 10A / μs的，
见注5和6和图3
注： 5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值） 。
6.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
8.这是最大串行时钟频率假设级联操作，其中串行数据被从一个阶段通入第二
阶段。时钟周期允许SRCK
→
SEROUT传播延迟和设置时间加上一些时序余量。
热阻
参数
包
R
θJA
热阻，结到环境
N包装
PW包
所有8个输出与功率相等
测试条件
民
最大
115
85
108
° C / W
C / W
单位
参数测量信息
5V
1
7
15
字
发电机
（见注一）
2
10
8
CLR
SRCK
SER IN
RCK
G
GND
16
测试电路
DRAIN1
电压波形
VCC
ID
RL = 200
DUT
漏
3 6,
11 14
产量
G
SER IN
RCK
CLR
15 V
SRCK
7
6
5
4
3
2
1
0
5V
0V
5V
0V
5V
0V
5V
0V
5V
0V
15 V
0.5 V
CL = 30 pF的
（见注B）
注：A字生成器具有以下特点： TR
≤
10纳秒， TF
≤
10毫微秒，总重量= 300纳秒，脉冲重复率（ PRR ）= 5千赫
ZO = 50
.
B. CL包括探针和夹具电容。
图1.电阻性负载测试电路和电压波形
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功率逻辑8位移位寄存器
SLIS093C - 2000年3月 - 修订2005年4月
D
低R
DS （ ON）
. . . 7
典型值
D
雪崩能量。 。 。 30兆焦耳
D
八功率DMOS晶体管输出
D
D
D
D
D
D
100 mA的连续电流
250 - mA的电流限制能力
ESD保护。 。 。 2500 V
输出钳位电压。 。 。 33 V
增强层叠的多个阶段
疏通，单输入的所有寄存器
低功耗
D，N ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
V
CC
SER IN
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
CLR
G
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
GND
SRCK
DRAIN7
DRAIN6
DRAIN5
DRAIN4
RCK
SER OUT
描述
该TPIC6C596是单片，中压，
低电流的8位移位寄存器设计为
在要求相对适中的系统使用
负载功率，如LED 。该器件包含一个
内置的电压钳上用于感应输出
瞬态保护。功率驱动器应用
包括继电器，螺线管等低电流或
中压负荷。
逻辑符号
G
RCK
CLR
SRCK
SER IN
8
10
7
15
2
R
EN3
C2
SRG8
C1
1D
2
3
4
5
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
该器件包含一个8位串行输入，并行输出
6
DRAIN3
馈送一个8位D型存储移位寄存器
11
DRAIN4
注册。同时通过移动数据传输，
12
DRAIN5
在换档的上升沿存储寄存器
13
寄存器时钟（ SRCK ）和寄存器时钟
DRAIN6
14
（ RCK ）表示。该存储寄存器反
DRAIN7
2
FERS数据到输出缓冲器时，移位寄存器
9
SER OUT
清除（ CLR ）为高。当CLR为低电平时，所有的寄存器
在该装置将被清除。当输出使能（ G）
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984
保持高电位，在输出缓冲器中的所有数据被保持
和IEC出版617-12 。
低的，并所有的漏输出，都熄灭。当G被保持
低时，从该存储寄存器的数据是透明的输出缓冲器。当在输出缓冲器的数据为低电平时，
在DMOS晶体管输出关闭。当数据为高时， DMOS晶体管，输出具有吸收电流
能力。串行输出（ SER OUT ）的同步输出设备上SRCK的下降沿提供
更多的保持时间为级联应用。这将为应用改进的性能
时钟信号可以被扭曲，设备不位于靠近彼此，或系统必须能够承受
电磁干扰。
该器件包含电路，以保护其投入和对输出的伤害，由于高静电压或静电场。这些
电路已合格，根据MIL -STD- 883C ，以保护该器件免受高达2kV的静电放电（ ESD ）
方法3015 ;然而，建议采取预防措施，以避免应用高于任何电压的最大额定
电压对这些高阻抗电路。在储存或处理，设备引线应短接在一起或设备
应放置在导电泡沫。在一个电路中，未使用的输入应始终连接到拨逻辑电压电平，
优选VCC或地。用于处理这种类型的设备的具体准则中包含的出版物
指南
处理静电放电敏感（ ESDS ）器件和组件
从德州仪器。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2000-2005年，德州仪器
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1
TPIC6C596
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS093C - 2000年3月 - 修订2005年4月
描述（续）
输出低端，漏极开路DMOS晶体管的33 V和100 mA连续输出额定值
灌电流能力。每路输出提供了在T 250 - mA的最大电流限制
C
= 25°C 。电流限制
随结温的升高为附加设备的保护。该装置还提供了向上
对ESD保护时使用的人体模型和200 -V机器模型测试2500 V 。
该TPIC6C596的特点是工作在-40° C至125°C的工作温度范围。
逻辑图（正逻辑）
G 8
10
RCK
7
CLR
15
2
D
C1
CLR
D
C1
CLR
D
C2
CLR
4
DRAIN1
3
DRAIN0
SRCK
SER IN
D
C2
CLR
5
DRAIN2
D
C1
CLR
D
C1
CLR
D
C1
CLR
D
C2
CLR
6
DRAIN3
D
C2
CLR
D
C2
CLR
D
C2
CLR
13
DRAIN6
12
DRAIN5
11
DRAIN4
D
C1
CLR
D
C1
CLR
D
C1
CLR
D
C1
CLR
D
C2
CLR
14
DRAIN7
D
C2
CLR
16
GND
9
SER OUT
2
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TPIC6C596
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS093C - 2000年3月 - 修订2005年4月
输入和输出的原理图
等效每个输入
VCC
典型所有排水输出
漏
33 V
输入
25 V
12 V
20 V
GND
GND
在推荐的工作温度范围内绝对最大额定值（除非
另有说明）
逻辑电源电压，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7 V
逻辑输入电压范围，V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
功率DMOS漏极至源极电压V
DS
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33 V
连续源 - 漏二极管的阳极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫安
脉冲源 - 漏二极管的阳极电流（见注3） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
脉冲漏极电流，每路输出，所有输出，我
D
, T
C
= 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫安
连续漏电流，每个输出，所有输出，我
D
, T
C
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
峰值漏极电流单输出，我
DM
,T
C
= 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫安
单脉冲雪崩能量E
AS
（参见图4） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30兆焦耳
雪崩电流，我
AS
（见注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至150℃
工作温度范围内，T
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有电压值相对于GND 。
2.每个功率DMOS源内部连接到GND 。
3.脉冲持续时间
≤
100
s
和占空比
≤
2%.
4.漏极电源电压= 15V，起动结点温度（ TJS） = 25℃ ，L = 1.5 H， IAS = 200毫安（参见图4） 。
额定功耗表
包
D
N
PW
TC
≤
25°C
额定功率
1087毫瓦
1470毫瓦
1372毫瓦
降额因子
以上TC = 25°C
8.7毫瓦/°C的
11.7毫瓦/°C的
10.976毫瓦/°C的
TC = 125°C
额定功率
217毫瓦
294毫瓦
274毫瓦
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3
TPIC6C596
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS093C - 2000年3月 - 修订2005年4月
推荐工作条件
民
逻辑电源电压VCC
高电平输入电压， VIH
低电平输入电压， VIL
脉冲漏输出电流， TC = 25 ℃， VCC = 5V ，所有输出（见注3和第5和图11 ）
建立时间， SER在高SRCK ↑之前， TSU （见图2）
保持时间， SER在高SRCK ↑后，第（见图2）
脉冲持续时间，总重量（参见图2）
工作温度的情况下， TC
注： 3.脉冲持续时间
≤
100
s
和占空比
≤
2%.
5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值） 。
15
15
40
40
125
4.5
0.85 VCC
0.15 VCC
250
最大
5.5
单位
V
V
V
mA
ns
ns
ns
°C
电气特性，V
CC
= 5 V ，T
C
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
V（ BR ） DSX
VSD
VOH
VOL
IIH
IIL
ICC
ICC （ FRQ ）
IN
漏极至源极击穿电压
源 - 漏极二极管的正向电压
高电平输出电压时， SER OUT
低级别的输出电压， SER OUT
高层次的输入电流
低电平输入电流
逻辑电源电流
逻辑电源电流频率
额定电流
测试条件
ID = 1毫安
IF = 100毫安
IOH = - 20
A,
IOH = - 4毫安，
IOL = 20
A,
IOL = 4毫安，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 5.5 V
fSRCK = 5MHz时，
所有输出关闭，
VDS （ ON） = 0.5 V ，
TC = 85°C ，
VDS = 30 V ，
VDS = 30 V ，
TC = 125°C
ID = 50 mA时，
VCC = 4.5 V
RDS （ ON）
静态漏源导通电阻
ID = 50 mA时，
TC = 125°C ，
VCC = 4.5 V
ID = 100毫安，
VCC = 4.5 V
见注5和6
与图7和图8
VCC = 4.5 V
VCC = 4.5 V
VCC = 4.5 V
VCC = 4.5 V
VI = VCC
VI = 0
所有输出关闭
所有输出开
CL = 30 pF的，
参见图2和6
IN = ID ，
见注5 ，第6和第7
VCC = 5.5 V
VCC = 5.5 V ，
20
150
1.2
90
0.1
0.15
6.5
0.2
0.3
9
A
民
33
4.4
4
典型值
37
0.85
4.49
4.2
0.005
0.3
0.1
0.5
1
1
200
500
5
V
A
A
A
A
mA
mA
V
1.2
最大
单位
V
V
IDSX
断态漏电流
9.9
12
6.8
10
注： 5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值） 。
6.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
7.额定电流被定义为来自不同源的设备之间一致的比较。它是目前能产生
0.5 V电压TC压降= 85°C 。
4
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功率逻辑8位移位寄存器
SLIS093C - 2000年3月 - 修订2005年4月
开关特性，V
CC
= 5 V ，T
C
= 25°C
参数
TPLH
的TPH1
tr
tf
tPD的
F（ SRCK ）
ta
TRR
传播延迟时间，从低到高的电平输出给G
传播延迟时间，高到低级别的输出给G
上升时间，漏极开路输出
下降时间，漏极开路输出
传播延迟时间， SRCK ↓键SEROUT
串行时钟频率
反向恢复电流上升时间
反向恢复时间
CL = 30 pF的，
见图2
CL = 30 pF的，
见注8
ID = 75 mA时，
ID = 75 mA时，
100
120
ns
CL = 30 pF的，
ID = 75 mA时，
参见图1 ，图2和9
测试条件
民
典型值
80
50
100
80
15
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
IF = 100 mA时，
的di / dt = 10A / μs的，
见注5和6和图3
注： 5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值） 。
6.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
8.这是最大串行时钟频率假设级联操作，其中串行数据被从一个阶段通入第二
阶段。时钟周期允许SRCK
→
SEROUT传播延迟和设置时间加上一些时序余量。
热阻
参数
包
R
θJA
热阻，结到环境
N包装
PW包
所有8个输出与功率相等
测试条件
民
最大
115
85
108
° C / W
C / W
单位
参数测量信息
5V
1
7
15
字
发电机
（见注一）
2
10
8
CLR
SRCK
SER IN
RCK
G
GND
16
测试电路
DRAIN1
电压波形
VCC
ID
RL = 200
DUT
漏
3 6,
11 14
产量
G
SER IN
RCK
CLR
15 V
SRCK
7
6
5
4
3
2
1
0
5V
0V
5V
0V
5V
0V
5V
0V
5V
0V
15 V
0.5 V
CL = 30 pF的
（见注B）
注：A字生成器具有以下特点： TR
≤
10纳秒， TF
≤
10毫微秒，总重量= 300纳秒，脉冲重复率（ PRR ）= 5千赫
ZO = 50
.
B. CL包括探针和夹具电容。
图1.电阻性负载测试电路和电压波形
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