【TPIC6C595功率逻辑8位移位寄存器SLIS061A - 1998年7月 - 修订1999年7月】,IC型号TPIC6C595,TPIC6C595 PDF资料,TPIC6C595经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPIC6C595

功率逻辑8位移位寄存器

SLIS061A - 1998年7月 - 修订1999年7月

低R

DS （ ON）

. . . 7

典型值

雪崩能量。。。 30兆焦耳

八功率DMOS晶体管输出

100 mA的连续电流

250 - mA的电流限制能力

ESD保护。。。 2500 V

输出钳位电压。。。 33 V

设备的级联

低功耗

或N包装

（ TOP VIEW ）

SER IN

DRAIN0

DRAIN1

DRAIN2

DRAIN3

CLR

GND

SRCK

DRAIN7

DRAIN6

DRAIN5

DRAIN4

RCK

SER OUT

描述

该TPIC6C595是单片，中压，

低电流的8位移位寄存器设计为

在要求相对适中的系统使用

负载功率，如LED 。该器件包含一个

内置的电压钳上用于感应输出

瞬态保护。功率驱动器应用

包括继电器，螺线管等低电流或

中压负荷。

逻辑符号

RCK

CLR

SRCK

SER IN

EN3

SRG8

DRAIN0

DRAIN1

该器件包含一个8位串行输入，并行输出

DRAIN2

馈送一个8位D型存储移位寄存器

DRAIN3

在换档的上升沿存储寄存器

DRAIN4

寄存器时钟（ SRCK ）和寄存器时钟

DRAIN5

（ RCK ）表示。该设备传输的数据进行

DRAIN6

在上升的串行输出（SER OUT）端口

DRAIN7

SRCK的边缘。该存储寄存器的数据传送

SER OUT

到输出缓冲器时，移位寄存器的清零（ CLR）的

高。当CLR为低电平时，输入移位寄存器是

这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984

清除。当输出使能（ G）保持高电平，所有的

和IEC出版617-12 。

在输出缓冲器的数据保持为低电平，所有排水

输出关闭。当G保持低电平时，从所述存储寄存器的数据是透明的输出缓冲器。当

在输出缓存器的数据为低电平时， DMOS晶体管，输出关闭。当数据为高时， DMOS晶体管

输出具有吸收电流能力。在SER OUT允许级联的数据从移位寄存器到

附加设备。

该器件包含电路，以保护其投入和对输出的伤害，由于高静电压或静电场。这些

电路已合格，根据MIL -STD- 883C ，以保护该器件免受高达2kV的静电放电（ ESD ）

方法3015 ;然而，建议采取预防措施，以避免应用高于任何电压的最大额定

电压对这些高阻抗电路。在储存或处理，设备引线应短接在一起或设备

应放置在导电泡沫。在一个电路中，未使用的输入应始终连接到拨逻辑电压电平，

优选VCC或地。用于处理这种类型的设备的具体准则中包含的出版物

指南

处理静电放电敏感（ ESDS ）器件和组件

从德州仪器。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

版权

1999年，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

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达拉斯，德克萨斯州75265

TPIC6C595

功率逻辑8位移位寄存器

SLIS061A - 1998年7月 - 修订1999年7月

描述（续）

输出低端，漏极开路DMOS晶体管的33 V和100 mA连续输出额定值

灌电流能力。每路输出提供了在T 250 - mA的最大电流限制

= 25°C 。电流限制

随结温的升高为附加设备的保护。该装置还提供了向上

对ESD保护时使用的人体模型和200 V机型测试2500 V 。

该TPIC6C595的特点是操作上的工作温度范围 - 40 ° C至125°C 。

逻辑图（正逻辑）

G 8

RCK

CLR

SRCK

SER IN

CLR

DRAIN1

DRAIN0

CLR

DRAIN2

CLR

DRAIN3

CLR

DRAIN4

CLR

DRAIN5

CLR

DRAIN6

CLR

DRAIN7

CLR

SER OUT

GND

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输入和输出的原理图

等效每个输入

VCC

典型所有排水输出

漏

33 V

输入

25 V

12 V

20 V

GND

在推荐的工作温度范围内绝对最大额定值（除非

另有说明）

逻辑电源电压，V

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 7 V

逻辑输入电压范围，V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 0.3 V至7 V

功率DMOS漏极至源极电压V

（见注2 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 33 V

连续源 - 漏二极管的阳极电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 250毫安

脉冲源 - 漏二极管的阳极电流（见注3）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 500毫安

脉冲漏极电流，每路输出，所有输出，我

, T

= 25 ° C（见注3 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 250毫安

连续漏电流，每个输出，所有输出，我

, T

= 25°C 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。百毫安

峰值漏极电流单输出，我

= 25 ° C（见注3 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 250毫安

单脉冲雪崩能量E

（参见图4）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30兆焦耳

雪崩电流，我

（见注4 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 200毫安

连续总功耗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。见耗散额定值表

工作结温范围，T

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 40℃ 150℃

工作温度范围内，T

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 40 ° C至125°C

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 65 ℃150 ℃的

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 260℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注：1.所有电压值相对于GND 。

2.每个功率DMOS源内部连接到GND 。

3.脉冲持续时间

≤

100

和占空比

≤

2%.

4.漏极电源电压= 15V，起动结点温度（ TJS） = 25℃ ，L = 1.5 H， IAS = 200毫安（参见图4）。

额定功耗表

包

≤

25°C

额定功率

1087毫瓦

1470毫瓦

降额因子

以上TC = 25°C

8.7毫瓦/°C的

11.7毫瓦/°C的

TC = 125°C

额定功率

217毫瓦

294毫瓦

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推荐工作条件

民

逻辑电源电压VCC

高电平输入电压， VIH

低电平输入电压， VIL

脉冲漏输出电流， TC = 25 ℃， VCC = 5V ，所有输出（见注3和第5和图11 ）

建立时间， SER在高SRCK ↑之前， TSU （见图2）

保持时间， SER在高SRCK ↑后，第（见图2）

脉冲持续时间，总重量（参见图2）

工作温度的情况下， TC

– 40

125

4.5

0.85 VCC

0.15 VCC

250

最大

5.5

单位

°C

电气特性，V

= 5 V ，T

= 25 ℃（除非另有说明）

参数

V（ BR ） DSX

VSD

VOH

VOL

IIH

IIL

ICC

ICC （ FRQ ）

漏极至源极击穿电压

源 - 漏极二极管的正向电压

高电平输出电压SER OUT

高位

电压，

低电平

低电平输出电压SER OUT

电压，

高层次的输入电流

低电平输入电流

逻辑电源电流

逻辑电源电流频率

额定电流

测试条件

ID = 1毫安

IF = 100毫安

IOH = - 20

IOH = - 4毫安，

IOL = 20

IOL = 4毫安，

VCC = 5.5 V ，

VCC = 5 V

5.5

fSRCK = 5MHz时，

所有输出关闭，

VDS （ ON） = 0.5 V ，

TC = 85°C ，

VDS = 30 V ，

TC = 125°C

ID = 50 mA时，

VCC = 4.5 V

RDS （ ON）

静态漏源导通电阻

ID = 50 mA时，

TC = 125°C ，

VCC = 4.5 V

ID = 100毫安，

VCC = 4.5 V

见注5和6

与图7和图8

VCC = 4.5 V

VI = VCC

VI = 0

所有输出关闭

所有输出开

CL = 30 pF的，

参见图2和6

IN = ID ，

见注5 ，第6和7

VCC = 5.5 V

VCC = 5.5 V ，

150

1.2

0.1

0.15

6.5

民

4.4

典型值

0.85

4.49

4.2

0.005

0.3

0.1

0.5

–1

200

500

1.2

最大

单位

IDSX

断态漏电流

9.9

6.8

注：3 。

脉冲持续时间

≤

100

和占空比

≤

2%.

技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值）。

这些参数的测量用电压感应触头分开的通电接点。

额定电流被定义为来自不同源的设备之间一致的比较。它是目前能产生

0.5 V电压TC压降= 85°C 。

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SLIS061A - 1998年7月 - 修订1999年7月

开关特性，V

= 5 V ，T

= 25°C

参数

TPLH

的TPH1

tPD的

TRR

传播延迟时间，从低到高的电平输出给G

传播延迟时间，高到低级别的输出给G

传播延迟时间， SRCK到SEROUT

上升时间，漏极开路输出

下降时间，漏极开路输出

反向恢复电流上升时间

反向恢复时间

IF = 100 mA时，

的di / dt = 10A / μs的，

见注5和6和图3

CL = 30 pF的，

ID = 75 mA时，

1, 2

参见图1 2中，和图9

测试条件

民

典型值

100

120

最大

单位

注： 5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值）。

6.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。

热阻

参数

θJA

热阻，结到环境

阻力结到环境

包

N包装

测试条件

所有8个输出与功率相等

民

最大

115

单位

° C / W

参数测量信息

字

发电机

（见注一）

CLR

SRCK

SER IN

RCK

GND

测试电路

DRAIN1

电压波形

VCC

RL = 200

DUT

漏

3 – 6,

11 –14

产量

SER IN

RCK

CLR

15 V

SRCK

15 V

0.5 V

CL = 30 pF的

（见注B）

注：A字生成器具有以下特点： TR

≤

10纳秒， TF

≤

10毫微秒，总重量= 300纳秒，脉冲重复率（ PRR ）= 5千赫

ZO = 50

B. CL包括探针和夹具电容。

图1.电阻性负载测试电路和电压波形

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