【TPIC6B596功率逻辑8位移位寄存器SLIS095A - 2000年3月 - 修订2005年5月】,IC型号TPIC6B596DWG4,TPIC6B596DWG4 PDF资料,TPIC6B596DWG4经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPIC6B596

功率逻辑8位移位寄存器

SLIS095A - 2000年3月 - 修订2005年5月

低R

DS （ ON）

. . . 5

雪崩能量。。。 30兆焦耳

八DMOS功率三极管的输出

150 mA的持续电流

500 - mA的典型电流限制能力

输出钳位电压。。。 50 V

增强层叠的多个阶段

疏通，单输入的所有寄存器

低功耗

DW或N包装

（ TOP VIEW ）

描述

该TPIC6B596是一款单芯片，高电压，

介质流电源8位的移位寄存器

在要求相对系统设计用于

高负载功耗。该器件包含一个内置的

电压钳位感性输出

瞬态保护。功率驱动器应用

包括继电器，螺线管和其他中等

电流或高电压负荷。

SER IN

DRAIN0

DRAIN1

DRAIN2

DRAIN3

SRCLR

GND

SER OUT

DRAIN7

DRAIN6

DRAIN5

DRAIN4

SRCK

RCK

GND

NC - 无内部连接

逻辑符号

RCK

SRCLR

SRCK

EN3

SRG8

该器件包含一个8位串行输入，并行输出

DRAIN0

SER IN

馈送一个8位D型存储移位寄存器

DRAIN1

上的上升沿存储寄存器

DRAIN2

移位寄存器时钟（ SRCK ）和寄存器时钟

DRAIN3

（ RCK ）表示。存储寄存器

DRAIN4

SHIFT-时将数据传送到输出缓冲器

DRAIN5

寄存器清零（ SRCLR ）为高。当SRCLR是

DRAIN6

低，设备中的所有寄存器清零。当

输出使能（G）保持高电位，在所有的数据

DRAIN7

输出缓冲器保持为低电平，所有漏输出

SER OUT

关。当G为低，从存储数据

这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984

寄存器是透明的输出缓冲器。当

和IEC出版617-12 。

在输出缓存器的数据为低电平时， DMOS-

晶体管输出关闭。当数据为高时，

DMOS晶体管输出具有吸收电流能力。串行输出（ SER OUT ）的同步输出设备

在SRCK的下降沿，以提供额外的保持时间为级联的应用程序。这将提供改进的

对于应用中的时钟信号可以被倾斜，装置不位于彼此接近的性能，

或系统必须能够承受的电磁干扰。

输出低端，漏极开路DMOS晶体管的50 V和150 mA连续sink-额定输出

电流的能力。每路输出提供了在T 500 - mA的典型电流限制

= 25°C 。电流限制降低

随着结温的升高对其他设备的保护。

该TPIC6B596的特点是工作在-40° C至125°C的工作温度范围。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2000年至2005年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TPIC6B596

功率逻辑8位移位寄存器

SLIS095A - 2000年3月 - 修订2005年5月

逻辑图（正逻辑）

RCK

SRCLR

SRCK

SER IN

CLR

DRAIN2

CLR

DRAIN1

DRAIN0

CLR

DRAIN3

CLR

DRAIN4

CLR

DRAIN5

CLR

DRAIN6

CLR

DRAIN7

CLR

10, 11, 19

GND

CLR

SER OUT

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功率逻辑8位移位寄存器

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输入和输出的原理图

等效每个输入

VCC

典型所有排水输出

漏

50 V

输入

25 V

12 V

20 V

GND

在推荐的工作温度范围内绝对最大额定值（除非

另有说明）

逻辑电源电压，V

（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 7 V

逻辑输入电压范围，V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至7 V

功率DMOS漏极至源极电压V

（见注2 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 50 V

连续源 - 漏二极管的阳极电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 500毫安

脉冲源 - 漏二极管的阳极电流（见注3）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 1

脉冲漏极电流，每路输出，所有输出，我

, T

= 25 ° C（见注3 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 500毫安

连续漏电流，每个输出，所有输出，我

, T

= 25°C 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 150毫安

峰值漏极电流单输出，我

= 25 ° C（见注3 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 500毫安

单脉冲雪崩能量E

（参见图4）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30兆焦耳

雪崩电流，我

（见注4 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 500毫安

连续总功耗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。见耗散额定值表

工作结温范围，T

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至150℃

工作温度范围内，T

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至125°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 260℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注：1.所有电压值相对于GND 。

2.每个功率DMOS源内部连接到GND 。

3.脉冲持续时间

≤

100

和占空比

≤

2%.

4.漏极供电电压= 15V，开始结温（ TJS ） = 25 ° C，L = 200 mH为IAS = 0.5 A（见图4）。

额定功耗表

包

≤

25°C

额定功率

1389毫瓦

1050毫瓦

降额因子

以上TC = 25°C

11.1毫瓦/°C的

10.5毫瓦/°C的

TC = 125°C

额定功率

278毫瓦

263毫瓦

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推荐工作条件

民

逻辑电源电压VCC

高电平输入电压， VIH

低电平输入电压， VIL

脉冲漏输出电流， TC = 25 ℃， VCC = 5 V （见注3和5 ）

建立时间， SER在高SRCK ↑之前， TSU （见图2）

保持时间， SER在高SRCK ↑后，第（见图2）

脉冲持续时间，总重量（参见图2）

工作温度的情况下， TC

注： 3.脉冲持续时间

≤

100

和占空比

≤

2%.

5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值）。

500

125

4.5

0.85 VCC

0.15 VCC

500

最大

5.5

单位

°C

电气特性，V

= 5 V ，T

= 25 ℃（除非另有说明）

参数

V（ BR ） DSX

VSD

VOH

VOL

IIH

IIL

ICC

ICC （ FRQ ）

IDSX

漏极至源极击穿电压

源 - 漏极二极管的正向

电压

高层次的输出电压，

SER OUT

低级别的输出电压，

SER OUT

高层次的输入电流

低电平输入电流

逻辑电源电流

逻辑电源电流频率

额定电流

断态漏电流

ID = 1毫安

IF = 100毫安

IOH = - 20

VCC = 4.5 V

IOH = - 4毫安， VCC = 4.5 V

IOL = 20

VCC = 4.5 V

IOL = 4毫安，

VCC = 5.5 V ，

VCC = 5.5 V

VCC = 4.5 V

VI = VCC

VI = 0

所有输出关闭

所有输出开

fSRCK = 5兆赫， CL = 30 pF的，

所有输出关闭，参见图2和图6

VDS （ ON） = 0.5 V ，

IN = ID ，

TC = 85°C

VDS = 40 V ，

ID = 100毫安，

VCC = 4.5 V

ID = 350 mA时，

见注5 ，第6和7

150

0.4

0.1

0.15

4.2

6.8

5.5

5.7

9.5

4.4

测试条件

民

0.85

4.49

4.2

0.005

0.3

0.1

0.5

100

300

典型值

最大

单位

VCC = 5.5 V

VCC = 5.5 V ， TC = 125°C

VCC = 4.5 V

TC = 125°C ，

VCC = 4.5 V

见注5和6

与图7和图8

RDS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

注： 5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值）。

6.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。

7.额定电流被定义为来自不同源的设备之间一致的比较。它是目前能产生

0.5 V电压TC压降= 85°C 。

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功率逻辑8位移位寄存器

SLIS095A - 2000年3月 - 修订2005年5月

开关特性，V

= 5 V ，T

= 25°C

参数

TPLH

的TPH1

tPD的

F（ SRCK ）

TRR

传播延迟时间，从低到高的电平输出给G

传播延迟时间，高到低级别的输出给G

上升时间，漏极开路输出

下降时间，漏极开路输出

传播延迟时间， SRCK ↓键SEROUT

串行时钟频率

反向恢复电流上升时间

反向恢复时间

CL = 30 pF的，

见图2

CL = 30 pF的，

见注8

ID = 100毫安，

100

300

CL = 30 pF的，

ID = 100毫安，

参见图1 ，图2和9

测试条件

民

典型值

150

200

最大

单位

兆赫

IF = 100 mA时，

的di / dt = 20A / μs的，

见注5和6和图3

注： 5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值）。

6.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。

8.这是最大串行时钟频率假设级联操作，其中串行数据被从一个阶段通入第二

阶段。时钟周期允许SRCK

→

SEROUT传播延迟和设置时间加上一些时序余量。

热阻

参数

θJA

热阻，结到环境

DW包装

N包装

测试条件

所有8个输出与功率相等

民

最大

单位

° C / W

参数测量信息

字

发电机

（见注一）

SRCLR

SRCK

SER IN

RCK

GND

10, 11, 19

测试电路

DRAIN1

电压波形

VCC

RL = 235

DUT

漏

4 7,

14 17

产量

SER IN

RCK

SRCLR

24 V

SRCK

24 V

0.5 V

CL = 30 pF的

（见注B）

注：A字生成器具有以下特点： TR

≤

10纳秒， TF

≤

10毫微秒，总重量= 300纳秒，脉冲重复率（ PRR ）= 5千赫

ZO = 50

B. CL包括探针和夹具电容。

图1.电阻性负载测试电路和电压波形

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