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TPIC6B596
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS095 - 2000年3月
D
D
D
D
D
D
D
D
低R
DS ( ON)
. . . 5
雪崩能量。 。 。 30兆焦耳
八DMOS功率三极管的输出
150 mA的持续电流
500 - mA的典型电流限制能力
输出钳位电压。 。 。 50 V
增强层叠的多个阶段
疏通,单输入的所有寄存器
低功耗
DW或N包装
( TOP VIEW )
描述
该TPIC6B596是一款单芯片,高电压,
介质流电源8位的移位寄存器
在要求相对系统设计用于
高负载功耗。该器件包含一个内置的
电压钳位感性输出
瞬态保护。功率驱动器应用
包括继电器,螺线管和其他中等
电流或高电压负荷。
NC
V
CC
SER IN
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
SRCLR
G
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
NC
GND
SER OUT
DRAIN7
DRAIN6
DRAIN5
DRAIN4
SRCK
RCK
GND
NC - 无内部连接
逻辑符号
G
RCK
SRCLR
SRCK
9
12
8
13
R
EN3
C2
SRG8
C1
该器件包含一个8位串行输入,并行输出
4
3
DRAIN0
2
1D
SER IN
馈送一个8位D型存储移位寄存器
5
注册。同时通过移动数据传输,
DRAIN1
6
上的上升沿存储寄存器
DRAIN2
7
移位寄存器时钟( SRCK )和寄存器时钟
DRAIN3
( RCK )表示。存储寄存器
14
DRAIN4
SHIFT-时将数据传送到输出缓冲器
15
DRAIN5
寄存器清零( SRCLR )为高。当SRCLR是
16
低,设备中的所有寄存器清零。当
DRAIN6
17
输出使能(G)保持高电位,在所有的数据
DRAIN7
2
18
输出缓冲器保持为低电平,所有漏输出
SER OUT
关。当G为低,从存储数据
寄存器是透明的输出缓冲器。当
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984
在输出缓存器的数据为低电平时, DMOS-
和IEC出版617-12 。
晶体管输出关闭。当数据为高时,
DMOS晶体管输出具有吸收电流能力。串行输出( SER OUT )的同步输出设备
在SRCK的下降沿,以提供额外的保持时间为级联的应用程序。这将提供改进的
对于应用中的时钟信号可以被倾斜,装置不位于彼此接近的性能,
或系统必须能够承受的电磁干扰。
输出低端,漏极开路DMOS晶体管的50 V和150 mA连续sink-额定输出
电流的能力。每路输出提供了在T 500 - mA的典型电流限制
C
= 25°C 。电流限制降低
随着结温的升高对其他设备的保护。
该TPIC6B596的特点是操作上的工作温度范围 - 40 ° C至125°C 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2000年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TPIC6B596
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS095 - 2000年3月
逻辑图(正逻辑)
G
RCK
SRCLR
9
12
8
D
SRCK
SER IN
13
C1
CLR
3
D
C1
CLR
D
C2
CLR
6
DRAIN2
D
C2
CLR
5
DRAIN1
4
DRAIN0
D
C1
CLR
D
C2
CLR
7
DRAIN3
D
C1
CLR
D
C2
CLR
14
DRAIN4
D
C1
CLR
D
C2
CLR
15
DRAIN5
D
C1
CLR
D
C2
CLR
16
DRAIN6
D
C1
CLR
D
C2
CLR
17
DRAIN7
D
C1
CLR
D
C2
CLR
10, 11, 19
GND
D
C1
CLR
18
SER OUT
2
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TPIC6B596
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS095 - 2000年3月
输入和输出的原理图
等效每个输入
VCC
典型所有排水输出
50 V
输入
25 V
12 V
20 V
GND
GND
在推荐的工作温度范围内绝对最大额定值(除非
另有说明)
逻辑电源电压,V
CC
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7 V
逻辑输入电压范围,V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至7 V
功率DMOS漏极至源极电压V
DS
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50 V
连续源 - 漏二极管的阳极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
脉冲源 - 漏二极管的阳极电流(见注3) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
脉冲漏极电流,每路输出,所有输出,我
D
, T
C
= 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
连续漏电流,每个输出,所有输出,我
D
, T
C
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150毫安
峰值漏极电流单输出,我
DM
,T
C
= 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
单脉冲雪崩能量E
AS
(参见图4) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30兆焦耳
雪崩电流,我
AS
(见注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40℃ 150℃
工作温度范围内,T
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有电压值相对于GND 。
2.每个功率DMOS源内部连接到GND 。
3.脉冲持续时间
100
s
和占空比
2%.
4.漏极供电电压= 15V,开始结温( TJS ) = 25 ° C,L = 200 mH为IAS = 0.5 A(见图4) 。
额定功耗表
DW
N
TC
25°C
额定功率
1389毫瓦
1050毫瓦
降额因子
以上TC = 25°C
11.1毫瓦/°C的
10.5毫瓦/°C的
TC = 125°C
额定功率
278毫瓦
263毫瓦
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3
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功率逻辑8位移位寄存器
SLIS095 - 2000年3月
推荐工作条件
逻辑电源电压VCC
高电平输入电压, VIH
低电平输入电压, VIL
脉冲漏输出电流, TC = 25 ℃, VCC = 5 V (见注3和5 )
建立时间, SER在高SRCK ↑之前, TSU (见图2)
保持时间, SER在高SRCK ↑后,第(见图2)
脉冲持续时间,总重量(参见图2)
工作温度的情况下, TC
注: 3.脉冲持续时间
100
s
和占空比
2%.
5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
– 500
15
15
40
– 40
125
4.5
0.85 VCC
0.15 VCC
500
最大
5.5
单位
V
V
V
mA
ns
ns
ns
°C
电气特性,V
CC
= 5 V ,T
C
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
V( BR ) DSX
VSD
VOH
VOL
IIH
IIL
ICC
ICC ( FRQ )
IN
IDSX
漏极至源极击穿电压
源 - 漏极二极管的正向
电压
高层次的输出电压,
g
g ,
SER OUT
低级别的输出电压,
g ,
SER OUT
高层次的输入电流
低电平输入电流
逻辑电源电流
逻辑电源电流频率
额定电流
关闭状态
关机状态下漏电流
ID = 1毫安
IF = 100毫安
IOH = - 20
A,
VCC = 4.5 V
IOH = - 4毫安, VCC = 4.5 V
IOL = 20
A,
VCC = 4.5 V
IOL = 4毫安,
VCC = 5.5 V ,
VCC = 5.5 V ,
VCC = 5 V
5.5
VCC = 4.5 V
VI = VCC
VI = 0
所有输出关闭
所有输出开
20
150
0.4
90
0.1
0.15
4.2
6.8
5.5
5
8
5.7
9.5
8
4.4
4
测试条件
50
0.85
4.49
4.2
0.005
0.3
0.1
0.5
1
–1
100
300
5
1
典型值
最大
单位
V
V
V
V
A
A
A
mA
mA
A
fSRCK = 5兆赫, CL = 30 pF的,
所有输出关闭,参见图2和图6
VDS ( ON) = 0.5 V ,
IN = ID ,
TC = 85°C
VDS = 40 V ,
VDS = 40 V ,
ID = 100毫安,
ID = 100毫安,
VCC = 4.5 V
ID = 350 mA时,
VCC = 5.5 V
VCC = 5.5 V , TC = 125°C
VCC = 4.5 V
TC = 125°C ,
VCC = 4.5 V
见注5和6
与图7和图8
见注5 ,第6和7
RDS ( ON)
静态漏源导通状态
阻力
注: 5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
6.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
7.额定电流被定义为来自不同源的设备之间一致的比较。它是目前能产生
0.5 V电压TC压降= 85°C 。
4
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功率逻辑8位移位寄存器
SLIS095 - 2000年3月
开关特性,V
CC
= 5 V ,T
C
= 25°C
参数
TPLH
的TPH1
tr
tf
tPD的
F( SRCK )
ta
TRR
传播延迟时间,从低到高的电平输出给G
传播延迟时间,高到低级别的输出给G
上升时间,漏极开路输出
下降时间,漏极开路输出
传播延迟时间, SRCK ↓键SEROUT
串行时钟频率
反向恢复电流上升时间
反向恢复时间
CL = 30 pF的,
见图2
CL = 30 pF的,
见注8
ID = 100毫安,
ID = 100毫安,
100
300
CL = 30 pF的,
,
ID = 100毫安,
,
参见图1 ,图2和9
测试条件
典型值
150
90
200
200
15
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
ns
IF = 100 mA时,
的di / dt = 20A / μs的,
,
,
见注5和6和图3
注: 5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
6.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
8.这是最大串行时钟频率假设级联操作,其中串行数据被从一个阶段通入第二
阶段。时钟周期允许SRCK
SEROUT传播延迟和设置时间加上一些时序余量。
热阻
参数
R
θJA
热阻,结到环境
阻力结到环境
DW包装
N包装
测试条件
所有8个输出与功率相等
最大
90
95
单位
° C / W
参数测量信息
5V
2
8
13
发电机
(见注一)
3
12
9
SRCLR
SRCK
SER IN
RCK
G
GND
10, 11, 19
测试电路
DRAIN1
电压波形
VCC
ID
RL = 235
DUT
4 –7,
14 –17
产量
G
SER IN
RCK
SRCLR
24 V
SRCK
7
6
5
4
3
2
1
0
5V
0V
5V
0V
5V
0V
5V
0V
5V
0V
24 V
0.5 V
CL = 30 pF的
(见注B)
注:A字生成器具有以下特点: TR
10纳秒, TF
10毫微秒,总重量= 300纳秒,脉冲重复率( PRR )= 5千赫
ZO = 50
.
B. CL包括探针和夹具电容。
图1.电阻性负载测试电路和电压波形
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5
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功率逻辑8位移位寄存器
SLIS095A - 2000年3月 - 修订2005年5月
D
低R
DS ( ON)
. . . 5
D
雪崩能量。 。 。 30兆焦耳
D
八DMOS功率三极管的输出
D
D
D
D
D
150 mA的持续电流
500 - mA的典型电流限制能力
输出钳位电压。 。 。 50 V
增强层叠的多个阶段
疏通,单输入的所有寄存器
低功耗
DW或N包装
( TOP VIEW )
描述
该TPIC6B596是一款单芯片,高电压,
介质流电源8位的移位寄存器
在要求相对系统设计用于
高负载功耗。该器件包含一个内置的
电压钳位感性输出
瞬态保护。功率驱动器应用
包括继电器,螺线管和其他中等
电流或高电压负荷。
NC
V
CC
SER IN
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
SRCLR
G
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
NC
GND
SER OUT
DRAIN7
DRAIN6
DRAIN5
DRAIN4
SRCK
RCK
GND
NC - 无内部连接
逻辑符号
G
RCK
SRCLR
SRCK
9
12
8
13
R
EN3
C2
SRG8
C1
该器件包含一个8位串行输入,并行输出
4
3
DRAIN0
2
1D
SER IN
馈送一个8位D型存储移位寄存器
5
DRAIN1
注册。同时通过移动数据传输,
6
上的上升沿存储寄存器
DRAIN2
7
移位寄存器时钟( SRCK )和寄存器时钟
DRAIN3
( RCK )表示。存储寄存器
14
DRAIN4
SHIFT-时将数据传送到输出缓冲器
15
DRAIN5
寄存器清零( SRCLR )为高。当SRCLR是
16
DRAIN6
低,设备中的所有寄存器清零。当
17
输出使能(G)保持高电位,在所有的数据
DRAIN7
2
18
输出缓冲器保持为低电平,所有漏输出
SER OUT
关。当G为低,从存储数据
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984
寄存器是透明的输出缓冲器。当
和IEC出版617-12 。
在输出缓存器的数据为低电平时, DMOS-
晶体管输出关闭。当数据为高时,
DMOS晶体管输出具有吸收电流能力。串行输出( SER OUT )的同步输出设备
在SRCK的下降沿,以提供额外的保持时间为级联的应用程序。这将提供改进的
对于应用中的时钟信号可以被倾斜,装置不位于彼此接近的性能,
或系统必须能够承受的电磁干扰。
输出低端,漏极开路DMOS晶体管的50 V和150 mA连续sink-额定输出
电流的能力。每路输出提供了在T 500 - mA的典型电流限制
C
= 25°C 。电流限制降低
随着结温的升高对其他设备的保护。
该TPIC6B596的特点是工作在-40° C至125°C的工作温度范围。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2000年至2005年,德州仪器
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1
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功率逻辑8位移位寄存器
SLIS095A - 2000年3月 - 修订2005年5月
逻辑图(正逻辑)
G
RCK
SRCLR
9
12
8
D
SRCK
SER IN
13
C1
CLR
3
D
C1
CLR
D
C2
CLR
6
DRAIN2
D
C2
CLR
5
DRAIN1
4
DRAIN0
D
C1
CLR
D
C2
CLR
7
DRAIN3
D
C1
CLR
D
C2
CLR
14
DRAIN4
D
C1
CLR
D
C2
CLR
15
DRAIN5
D
C1
CLR
D
C2
CLR
16
DRAIN6
D
C1
CLR
D
C2
CLR
17
DRAIN7
D
C1
CLR
D
C2
CLR
10, 11, 19
GND
D
C1
CLR
18
SER OUT
2
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TPIC6B596
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS095A - 2000年3月 - 修订2005年5月
输入和输出的原理图
等效每个输入
VCC
典型所有排水输出
50 V
输入
25 V
12 V
20 V
GND
GND
在推荐的工作温度范围内绝对最大额定值(除非
另有说明)
逻辑电源电压,V
CC
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7 V
逻辑输入电压范围,V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
功率DMOS漏极至源极电压V
DS
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50 V
连续源 - 漏二极管的阳极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
脉冲源 - 漏二极管的阳极电流(见注3) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
脉冲漏极电流,每路输出,所有输出,我
D
, T
C
= 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
连续漏电流,每个输出,所有输出,我
D
, T
C
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150毫安
峰值漏极电流单输出,我
DM
,T
C
= 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
单脉冲雪崩能量E
AS
(参见图4) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30兆焦耳
雪崩电流,我
AS
(见注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至150℃
工作温度范围内,T
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有电压值相对于GND 。
2.每个功率DMOS源内部连接到GND 。
3.脉冲持续时间
100
s
和占空比
2%.
4.漏极供电电压= 15V,开始结温( TJS ) = 25 ° C,L = 200 mH为IAS = 0.5 A(见图4) 。
额定功耗表
DW
N
TC
25°C
额定功率
1389毫瓦
1050毫瓦
降额因子
以上TC = 25°C
11.1毫瓦/°C的
10.5毫瓦/°C的
TC = 125°C
额定功率
278毫瓦
263毫瓦
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TPIC6B596
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS095A - 2000年3月 - 修订2005年5月
推荐工作条件
逻辑电源电压VCC
高电平输入电压, VIH
低电平输入电压, VIL
脉冲漏输出电流, TC = 25 ℃, VCC = 5 V (见注3和5 )
建立时间, SER在高SRCK ↑之前, TSU (见图2)
保持时间, SER在高SRCK ↑后,第(见图2)
脉冲持续时间,总重量(参见图2)
工作温度的情况下, TC
注: 3.脉冲持续时间
100
s
和占空比
2%.
5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
500
15
15
40
40
125
4.5
0.85 VCC
0.15 VCC
500
最大
5.5
单位
V
V
V
mA
ns
ns
ns
°C
电气特性,V
CC
= 5 V ,T
C
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
V( BR ) DSX
VSD
VOH
VOL
IIH
IIL
ICC
ICC ( FRQ )
IN
IDSX
漏极至源极击穿电压
源 - 漏极二极管的正向
电压
高层次的输出电压,
SER OUT
低级别的输出电压,
SER OUT
高层次的输入电流
低电平输入电流
逻辑电源电流
逻辑电源电流频率
额定电流
断态漏电流
ID = 1毫安
IF = 100毫安
IOH = - 20
A,
VCC = 4.5 V
IOH = - 4毫安, VCC = 4.5 V
IOL = 20
A,
VCC = 4.5 V
IOL = 4毫安,
VCC = 5.5 V ,
VCC = 5.5 V ,
VCC = 5.5 V
VCC = 4.5 V
VI = VCC
VI = 0
所有输出关闭
所有输出开
fSRCK = 5兆赫, CL = 30 pF的,
所有输出关闭,参见图2和图6
VDS ( ON) = 0.5 V ,
IN = ID ,
TC = 85°C
VDS = 40 V ,
VDS = 40 V ,
ID = 100毫安,
ID = 100毫安,
VCC = 4.5 V
ID = 350 mA时,
见注5 ,第6和7
20
150
0.4
90
0.1
0.15
4.2
6.8
5.5
5
8
5.7
9.5
8
4.4
4
测试条件
50
0.85
4.49
4.2
0.005
0.3
0.1
0.5
1
1
100
300
5
V
A
A
A
A
mA
mA
A
A
V
1
典型值
最大
单位
V
V
VCC = 5.5 V
VCC = 5.5 V , TC = 125°C
VCC = 4.5 V
TC = 125°C ,
VCC = 4.5 V
见注5和6
与图7和图8
RDS ( ON)
静态漏源导通状态
阻力
注: 5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
6.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
7.额定电流被定义为来自不同源的设备之间一致的比较。它是目前能产生
0.5 V电压TC压降= 85°C 。
4
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功率逻辑8位移位寄存器
SLIS095A - 2000年3月 - 修订2005年5月
开关特性,V
CC
= 5 V ,T
C
= 25°C
参数
TPLH
的TPH1
tr
tf
tPD的
F( SRCK )
ta
TRR
传播延迟时间,从低到高的电平输出给G
传播延迟时间,高到低级别的输出给G
上升时间,漏极开路输出
下降时间,漏极开路输出
传播延迟时间, SRCK ↓键SEROUT
串行时钟频率
反向恢复电流上升时间
反向恢复时间
CL = 30 pF的,
见图2
CL = 30 pF的,
见注8
ID = 100毫安,
ID = 100毫安,
100
300
ns
CL = 30 pF的,
ID = 100毫安,
参见图1 ,图2和9
测试条件
典型值
150
90
200
200
15
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
IF = 100 mA时,
的di / dt = 20A / μs的,
见注5和6和图3
注: 5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
6.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
8.这是最大串行时钟频率假设级联操作,其中串行数据被从一个阶段通入第二
阶段。时钟周期允许SRCK
SEROUT传播延迟和设置时间加上一些时序余量。
热阻
参数
R
θJA
热阻,结到环境
DW包装
N包装
测试条件
所有8个输出与功率相等
最大
90
95
单位
° C / W
参数测量信息
5V
2
8
13
发电机
(见注一)
3
12
9
SRCLR
SRCK
SER IN
RCK
G
GND
10, 11, 19
测试电路
DRAIN1
电压波形
VCC
ID
RL = 235
DUT
4 7,
14 17
产量
G
SER IN
RCK
SRCLR
24 V
SRCK
7
6
5
4
3
2
1
0
5V
0V
5V
0V
5V
0V
5V
0V
5V
0V
24 V
0.5 V
CL = 30 pF的
(见注B)
注:A字生成器具有以下特点: TR
10纳秒, TF
10毫微秒,总重量= 300纳秒,脉冲重复率( PRR )= 5千赫
ZO = 50
.
B. CL包括探针和夹具电容。
图1.电阻性负载测试电路和电压波形
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