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TPIC6B595
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS032A - 1995年7月 - 修订2005年5月
D
低R
DS ( ON)
. . . 5
典型
D
雪崩能量。 。 。 30兆焦耳
D
八DMOS功率三极管的输出
D
D
D
D
150 mA的持续电流
500 - mA的典型电流限制能力
输出钳位电压。 。 。 50 V
设备的级联
低功耗
DW或N包装
( TOP VIEW )
描述
该TPIC6B595是一款单芯片,高电压,
介质流电源8位的移位寄存器
在要求相对系统设计用于
高负载功耗。该器件包含一个内置的
电压钳位感性输出
瞬态保护。功率驱动器应用
包括继电器,螺线管和其他中等
电流或高电压负荷。
该器件包含一个8位串行输入,并行输出
馈送一个8位D型存储移位寄存器
注册。同时通过移动数据传输,
上的上升沿存储寄存器
移位寄存器时钟( SRCK )和寄存器时钟
( RCK )表示。存储寄存器
SHIFT-时将数据传送到输出缓冲器
寄存器清零( SRCLR )为高。当SRCLR是
低,输入移位寄存器清零。当输出
使能( G)时保持高电平时,所有的数据在输出
缓冲区保持低电平,所有的漏输出关闭。
当G为低,从存储寄存器数据
是透明的输出缓冲器。当数据
输出缓冲器为低电平时, DMOS晶体管
输出关闭。当数据为高时, DMOS-
晶体管输出具有吸收电流能力。
串行输出( SER OUT )允许级联
从移位的数据的寄存器,以附加
设备。
NC
V
CC
SER IN
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
SRCLR
G
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
NC
GND
SER OUT
DRAIN7
DRAIN6
DRAIN5
DRAIN4
SRCK
RCK
GND
NC - 无内部连接
逻辑符号
G
RCK
SRCLR
SRCK
SER IN
9
12
8
13
3
R
EN3
C2
SRG8
C1
1D
2
4
5
6
7
14
15
16
17
2
18
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
DRAIN4
DRAIN5
DRAIN6
DRAIN7
SER OUT
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984
和IEC出版617-12 。
输出低端,漏极开路DMOS晶体管的50 V和150 mA连续sink-额定输出
电流的能力。每路输出提供了在T 500 - mA的典型电流限制
C
= 25°C 。电流限制降低
随着结温的升高对其他设备的保护。
该TPIC6B595的特点是工作在-40° C至125°C的工作温度范围。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年至2005年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TPIC6B595
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS032A - 1995年7月 - 修订2005年5月
逻辑图(正逻辑)
G
RCK
SRCLR
SRCK
SER IN
9
12
8
D
13
C1
CLR
3
D
C1
CLR
D
C2
6
DRAIN2
D
C2
5
DRAIN1
4
DRAIN0
D
C1
CLR
D
C2
7
DRAIN3
D
C1
CLR
D
C2
14
DRAIN4
D
C1
CLR
D
C2
15
DRAIN5
D
C1
CLR
D
C2
16
DRAIN6
D
C1
CLR
D
C2
17
DRAIN7
D
C1
CLR
D
C2
10, 11, 19
18
GND
SER OUT
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
TPIC6B595
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS032A - 1995年7月 - 修订2005年5月
输入和输出的原理图
等效每个输入
VCC
典型所有排水输出
50 V
输入
25 V
12 V
20 V
GND
GND
在推荐的工作温度范围内绝对最大额定值(除非
另有说明)
逻辑电源电压,V
CC
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7 V
逻辑输入电压范围,V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 V至7 V
功率DMOS漏极至源极电压V
DS
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50 V
连续源 - 漏二极管的阳极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
脉冲源 - 漏二极管的阳极电流(见注3) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
脉冲漏极电流,每路输出,所有输出,我
D
, T
C
= 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
连续漏电流,每个输出,所有输出,我
D
, T
C
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150毫安
峰值漏极电流单输出,我
DM
,T
C
= 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
单脉冲雪崩能量E
AS
(参见图4) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30兆焦耳
雪崩电流,我
AS
(见注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至150℃
工作温度范围内,T
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有电压值相对于GND 。
2.每个功率DMOS源内部连接到GND 。
3.脉冲持续时间
100
s
和占空比
2%.
4.漏极供电电压= 15V,开始结温( TJS ) = 25 ° C,L = 200 mH为IAS = 0.5 A(见图4) 。
额定功耗表
DW
N
TC
25°C
额定功率
1389毫瓦
1050毫瓦
降额因子
以上TC = 25°C
11.1毫瓦/°C的
10.5毫瓦/°C的
TC = 125°C
额定功率
278毫瓦
263毫瓦
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达拉斯,德克萨斯州75265
3
TPIC6B595
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS032A - 1995年7月 - 修订2005年5月
推荐工作条件
逻辑电源电压VCC
高电平输入电压, VIH
低电平输入电压, VIL
脉冲漏输出电流, TC = 25 ℃, VCC = 5 V (见注3和5 )
建立时间, SER在高SRCK ↑之前, TSU (见图2)
保持时间, SER在高SRCK ↑后,第(见图2)
脉冲持续时间,总重量(参见图2)
工作温度的情况下, TC
500
20
20
40
40
125
4.5
0.85 VCC
0.15 VCC
500
最大
5.5
单位
V
V
V
mA
ns
ns
ns
°C
电气特性,V
CC
= 5 V ,T
C
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
V( BR ) DSX
VSD
VOH
VOL
IIH
IIL
ICC
ICC ( FRQ )
IN
IDSX
漏极至源极击穿电压
源 - 漏极二极管的正向
电压
高层次的输出电压,
SER OUT
低级别的输出电压,
SER OUT
高层次的输入电流
低电平输入电流
逻辑电源电流
逻辑电源电流频率
额定电流
断态漏电流
ID = 1毫安
IF = 100毫安
IOH = - 20
A,
VCC = 4.5 V
IOH = - 4毫安, VCC = 4.5 V
IOL = 20
A,
VCC = 4.5 V
IOL = 4毫安,
VCC = 5.5 V ,
VCC = 5.5 V ,
VCC = 5.5 V
fSRCK = 5 MHz时, L = 30 pF的,
C
所有输出关闭,
VDS ( ON) = 0.5 V ,
IN = ID ,
TC = 85°C
VDS = 40 V ,
VCC = 5.5 V
VDS = 40 V ,
ID = 100毫安,
ID = 100毫安,
VCC = 4.5 V
ID = 350 mA时,
VCC = 4.5 V
VI = VCC
VI = 0
所有输出关闭
所有输出开
参见图2和6
见注5 ,第6和7
20
150
0.4
90
0.1
0.15
4.2
6.8
5.5
5
8
5.7
9.5
8
4.4
4
测试条件
50
0.85
4.49
4.2
0.005
0.3
0.1
0.5
1
1
100
300
5
V
A
A
A
A
mA
mA
A
A
V
1
典型值
最大
单位
V
V
VCC = 5.5 V , TC = 125°C
VCC = 4.5 V
TC = 125°C ,
VCC = 4.5 V
见注5和6
与图7和图8
RDS ( ON)
静态漏源导通状态
阻力
注:3 。
5.
6.
7.
脉冲持续时间
100
s
和占空比
2%.
技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
这些参数的测量用电压感应触头分开的通电接点。
额定电流被定义为来自不同源的设备之间一致的比较。它是目前能产生
0.5 V电压TC压降= 85°C 。
4
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TPIC6B595
功率逻辑8位移位寄存器
SLIS032A - 1995年7月 - 修订2005年5月
开关特性,V
CC
= 5 V ,T
C
= 25°C
参数
TPLH
的TPH1
tr
tf
ta
TRR
传播延迟时间,从低到高的电平输出给G
传播延迟时间,高到低级别的输出给G
上升时间,漏极开路输出
下降时间,漏极开路输出
反向恢复电流上升时间
反向恢复时间
IF = 100 mA时,
的di / dt = 20A / μs的,
见注5和6和图3
CL = 30 pF的,
ID = 100毫安,
参见图1 ,图2和9
测试条件
典型值
150
90
200
200
100
300
ns
最大
单位
ns
ns
ns
ns
注: 5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
6.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
热阻
参数
R
θJA
热阻,结到环境
DW包装
N包装
测试条件
所有8个输出与功率相等
最大
90
95
单位
° C / W
参数测量信息
5V
2
8
13
发电机
(见注一)
3
12
9
SRCLR
SRCK
SER IN
RCK
G
GND
10, 11, 19
测试电路
DRAIN1
电压波形
VCC
ID
RL = 235
DUT
4 7,
14 17
产量
G
SER IN
RCK
SRCLR
24 V
SRCK
7
6
5
4
3
2
1
0
5V
0V
5V
0V
5V
0V
5V
0V
5V
0V
24 V
0.5 V
CL = 30 pF的
(见注B)
注:A字生成器具有以下特点: TR
10纳秒, TF
10毫微秒,总重量= 300纳秒,脉冲重复率( PRR )= 5千赫
ZO = 50
.
B. CL包括探针和夹具电容。
图1.电阻性负载测试电路和电压波形
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5
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