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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第251页 > TPIC6273DWR
TPIC6273
功率逻辑八路D型锁存器
SLIS011A - 1992年4月 - 修订1995年10月
低R
DS （ ON）
. . . 1.3
典型值
雪崩能量。 。 。 75兆焦耳
八功率DMOS晶体管输出
250 - mA的持续电流
1.5脉冲电流每路输出
输出钳位电压高达45 V
低功耗
DW或N包装
（ TOP VIEW ）
描述
该TPIC6273是一款单芯片高电压
大电流功率逻辑八路D型锁存器带
DMOS晶体管输出设计用于使用
需要相对高的负载功率的系统。
该设备包含一个内置的电压钳位在
输出的感应瞬态保护。动力
驱动器应用包括继电器，螺线管和
其他中等电流或高电压负荷。
该TPIC6273包含八个正边沿
触发的D型触发器具有直接清零输入端。
每个触发器具有一个漏极开路功率
DMOS晶体管输出。
当清除（ CLR ）为高，信息在D
输入满足建立时间要求的
转移到漏输出的正性
将在时钟脉冲的边沿。时钟触发
发生在一个特定的电压电平，而不是
直接相关的转移时间
正向脉冲。当在时钟输入（CLK）
是在高或低电平时， D输入端的信号
具有在输出没有影响。异步CLR
提供把所有八个DMOS晶体管
输出关闭。
该TPIC6273的特点是操作过
40 °C - 的工作温度范围
至125 ℃。
CLR
D1
D2
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
DRAIN4
D3
D4
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
D8
D7
DRAIN8
DRAIN7
DRAIN6
DRAIN5
D6
D5
CLK
逻辑符号
CLR
CLK
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
1
11
2
3
8
9
12
13
18
19
R
C1
1D
4
5
6
7
14
15
16
17
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
DRAIN4
DRAIN5
DRAIN6
DRAIN7
DRAIN8
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984
和IEC出版617-12 。
功能表
（每个通道）
输入
CLR
L
H
H
H
CLK
X
↑
↑
L
D
X
H
L
X
产量
漏
H
L
H
LATCHED
H =水平高， L =水平低，X =无关
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
TPIC6273
功率逻辑八路D型锁存器
SLIS011A - 1992年4月 - 修订1995年10月
逻辑图（正逻辑）
4
1
2
11
DRAIN1
CLR
D1
CLK
R
1D
C1
5
DRAIN2
R
D2
3
1D
C1
6
DRAIN3
R
D3
8
1D
C1
7
DRAIN4
R
D4
9
1D
C1
14
DRAIN5
R
D5
12
1D
C1
15
DRAIN6
R
D6
13
1D
C1
16
DRAIN7
R
D7
18
1D
C1
17
DRAIN8
R
D8
19
1D
C1
10
GND
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TPIC6273
功率逻辑八路D型锁存器
SLIS011A - 1992年4月 - 修订1995年10月
输入和输出的原理图
等效每个输入
VCC
漏
45 V
输入
25 V
12 V
12 V
GND
GND
典型所有排水输出
在推荐的工作温度范围内绝对最大额定值（除非
另有说明）
逻辑电源电压，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7 V
逻辑输入电压范围，V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至7 V
功率DMOS漏极至源极电压V
DS
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45 V
连续的源极 - 漏极二极管的阳极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
脉冲源极 - 漏极二极管的阳极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2将
脉冲漏极电流，每路输出，所有输出，我
DN ，
T
A
= 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫安
连续漏电流，每个输出，所有输出，我
DN ，
T
A
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫安
峰值漏极电流单输出，我
DM ，
T
A
= 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2将
单脉冲雪崩能量E
AS
（参见图4） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75兆焦耳
雪崩电流，我
AS
（见注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40℃ 150℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有电压值相对于GND 。
2.每个功率DMOS源内部连接到GND 。
3.脉冲持续时间
≤
100
s,
占空比
≤
2%
4.漏极供电电压= 15V，开始结温（ TJS ） = 25 ° C，L = 100 mH为IAS = 1 A（见图4） 。
额定功耗表
包
DW
N
TA
≤
25°C
额定功率
1125毫瓦
1150毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
9.0毫瓦/°C的
9.2毫瓦/°C的
TA = 125°C
额定功率
225毫瓦
230毫瓦
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
TPIC6273
功率逻辑八路D型锁存器
SLIS011A - 1992年4月 - 修订1995年10月
在推荐的工作温度范围推荐工作条件（除非
另有说明）
民
逻辑电源电压VCC
高电平输入电压， VIH
低电平输入电压， VIL
脉冲漏输出电流， TC = 25 ℃， VCC = 5 V （见注3和5 ）
建立时间，D CLK ↑前高， TSU （见图2）
保持时间， CLK ↑ d后高，日（见图2）
脉冲持续时间，总重量（参见图2）
工作温度的情况下， TC
– 1.8
10
15
25
– 40
125
4.5
0.85 VCC
0.15 VCC
1.5
最大
5.5
单位
V
V
V
A
ns
ns
ns
°C
电气特性，V
CC
= 5 V ，T
C
= 25
°C
（除非另有说明）
参数
V（ BR ） DSX
VSD
IIH
IIL
ICC
IN
IDSX
漏源击穿电压
源极 - 漏极二极管正向电压
高层次的输入电流
低电平输入电流
逻辑电源电流
额定电流
关机状态下漏电流
关闭状态
测试条件
ID = 1毫安
IF = 250 mA时，见注3
VCC = 5.5 V ， VI = VCC
VCC = 5.5 V ， VI = 0
IO = 0，
所有输入低
VDS （ ON） = 0.5 V ，
IN = ID ，
TC = 85°C
VDS = 40 V
VDS = 40 V ，
TC = 125°C
见注5和6
和图8和9
见注5 ，第6和7
民
45
0.85
1
1
–1
15
250
0.05
0.15
1.3
2
1.3
1
5
2
3.2
2
100
典型值
最大
单位
V
V
A
A
A
mA
A
RDS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
ID = 250 mA时， VCC = 4.5 V
ID = 250 mA时， TC = 125°C ，
VCC = 4.5 V
ID = 500 mA时， VCC = 4.5 V
开关特性，V
CC
= 5 V ，T
C
= 25°C
参数
TPLH
的TPH1
tr
tf
ta
TRR
传播延迟时间，从低到高的电平输出从CLK
传播延迟时间，从CLK输出高电平到低电平
上升时间，漏极开路输出
下降时间，漏极开路输出
反向恢复电流上升时间
反向恢复时间
IF = 250 mA时，
的di / dt = 20A / μs的，
见注5和6和图3
CL = 30 pF的，
,
ID = 250毫安，
,
参见图1 ，图2和10
测试条件
民
典型值
625
150
675
400
100
300
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
注：3 。
5.
6.
7.
脉冲持续时间
≤
100
s,
占空比
≤
2%
技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值） 。
这些参数的测量用电压感应触头分开的通电接点。
额定电流被定义为来自不同源的设备之间一致的比较。它是目前能产生
0.5 V电压TC压降= 85°C 。
热阻
参数
R
θJA
热阻，结到环境
阻力结到环境
DW包装
N包装
测试条件
所有8个输出与功率相等
民
最大
111
108
单位
° C / W
4
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达拉斯，德克萨斯州75265
TPIC6273
功率逻辑八路D型锁存器
SLIS011A - 1992年4月 - 修订1995年10月
参数测量信息
5V
20
VCC
11
字
发电机
（见注一）
DUT
CLK
漏
D
1
CLR
GND
10
产量
0.5 V
测试电路
电压波形
CL = 30 pF的
（见注B）
CLR
0V
24 V
4 –7,
14 –17
ID
RL = 95
产量
D
24 V
5V
CLK
0V
5V
0V
5V
图1.电阻性负载正常运行
5V
D
5V
1
CLR
ID
DUT
4 –7,
14 –17
95
产量
产量
10%
tr
CL = 30 pF的
（见注B）
CLK
测试电路
D
TSU
50%
tw
输入建立和保持波形
开关时间
5V
50%
0V
th
50%
0V
5V
90%
90%
10%
tf
24 V
CLK
50%
TPLH
50%
0V
的TPH1
24 V
0.5 V
0V
5V
20
VCC
字
发电机
（见注一）
字
发电机
（见注一）
D
11
CLK
漏
GND
10
图2.测试电路，开关时间和电压波形
注：A字生成器具有以下特点： TR
≤
10纳秒， TF
≤
10毫微秒，总重量= 300纳秒，脉冲重复率（ PRR ）= 5千赫
ZO = 50
.
B. CL包括探针和夹具电容。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
TPIC6273
功率逻辑八路D型锁存器
SLIS011A - 1992年4月 - 修订1995年10月
低R
DS （ ON）
. . . 1.3
典型值
雪崩能量。 。 。 75兆焦耳
八功率DMOS晶体管输出
250 - mA的持续电流
1.5脉冲电流每路输出
输出钳位电压高达45 V
低功耗
DW或N包装
（ TOP VIEW ）
描述
该TPIC6273是一款单芯片高电压
大电流功率逻辑八路D型锁存器带
DMOS晶体管输出设计用于使用
需要相对高的负载功率的系统。
该设备包含一个内置的电压钳位在
输出的感应瞬态保护。动力
驱动器应用包括继电器，螺线管和
其他中等电流或高电压负荷。
该TPIC6273包含八个正边沿
触发的D型触发器具有直接清零输入端。
每个触发器具有一个漏极开路功率
DMOS晶体管输出。
当清除（ CLR ）为高，信息在D
输入满足建立时间要求的
转移到漏输出的正性
将在时钟脉冲的边沿。时钟触发
发生在一个特定的电压电平，而不是
直接相关的转移时间
正向脉冲。当在时钟输入（CLK）
是在高或低电平时， D输入端的信号
具有在输出没有影响。异步CLR
提供把所有八个DMOS晶体管
输出关闭。
该TPIC6273的特点是操作过
40 °C - 的工作温度范围
至125 ℃。
CLR
D1
D2
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
DRAIN4
D3
D4
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
D8
D7
DRAIN8
DRAIN7
DRAIN6
DRAIN5
D6
D5
CLK
逻辑符号
CLR
CLK
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
1
11
2
3
8
9
12
13
18
19
R
C1
1D
4
5
6
7
14
15
16
17
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
DRAIN4
DRAIN5
DRAIN6
DRAIN7
DRAIN8
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984
和IEC出版617-12 。
功能表
（每个通道）
输入
CLR
L
H
H
H
CLK
X
↑
↑
L
D
X
H
L
X
产量
漏
H
L
H
LATCHED
H =水平高， L =水平低，X =无关
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年，德州仪器
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达拉斯，德克萨斯州75265
1
TPIC6273
功率逻辑八路D型锁存器
SLIS011A - 1992年4月 - 修订1995年10月
逻辑图（正逻辑）
4
1
2
11
DRAIN1
CLR
D1
CLK
R
1D
C1
5
DRAIN2
R
D2
3
1D
C1
6
DRAIN3
R
D3
8
1D
C1
7
DRAIN4
R
D4
9
1D
C1
14
DRAIN5
R
D5
12
1D
C1
15
DRAIN6
R
D6
13
1D
C1
16
DRAIN7
R
D7
18
1D
C1
17
DRAIN8
R
D8
19
1D
C1
10
GND
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
TPIC6273
功率逻辑八路D型锁存器
SLIS011A - 1992年4月 - 修订1995年10月
输入和输出的原理图
等效每个输入
VCC
漏
45 V
输入
25 V
12 V
12 V
GND
GND
典型所有排水输出
在推荐的工作温度范围内绝对最大额定值（除非
另有说明）
逻辑电源电压，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7 V
逻辑输入电压范围，V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至7 V
功率DMOS漏极至源极电压V
DS
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45 V
连续的源极 - 漏极二极管的阳极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
脉冲源极 - 漏极二极管的阳极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2将
脉冲漏极电流，每路输出，所有输出，我
DN ，
T
A
= 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫安
连续漏电流，每个输出，所有输出，我
DN ，
T
A
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫安
峰值漏极电流单输出，我
DM ，
T
A
= 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2将
单脉冲雪崩能量E
AS
（参见图4） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75兆焦耳
雪崩电流，我
AS
（见注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40℃ 150℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有电压值相对于GND 。
2.每个功率DMOS源内部连接到GND 。
3.脉冲持续时间
≤
100
s,
占空比
≤
2%
4.漏极供电电压= 15V，开始结温（ TJS ） = 25 ° C，L = 100 mH为IAS = 1 A（见图4） 。
额定功耗表
包
DW
N
TA
≤
25°C
额定功率
1125毫瓦
1150毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
9.0毫瓦/°C的
9.2毫瓦/°C的
TA = 125°C
额定功率
225毫瓦
230毫瓦
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达拉斯，德克萨斯州75265
3
TPIC6273
功率逻辑八路D型锁存器
SLIS011A - 1992年4月 - 修订1995年10月
在推荐的工作温度范围推荐工作条件（除非
另有说明）
民
逻辑电源电压VCC
高电平输入电压， VIH
低电平输入电压， VIL
脉冲漏输出电流， TC = 25 ℃， VCC = 5 V （见注3和5 ）
建立时间，D CLK ↑前高， TSU （见图2）
保持时间， CLK ↑ d后高，日（见图2）
脉冲持续时间，总重量（参见图2）
工作温度的情况下， TC
– 1.8
10
15
25
– 40
125
4.5
0.85 VCC
0.15 VCC
1.5
最大
5.5
单位
V
V
V
A
ns
ns
ns
°C
电气特性，V
CC
= 5 V ，T
C
= 25
°C
（除非另有说明）
参数
V（ BR ） DSX
VSD
IIH
IIL
ICC
IN
IDSX
漏源击穿电压
源极 - 漏极二极管正向电压
高层次的输入电流
低电平输入电流
逻辑电源电流
额定电流
关机状态下漏电流
关闭状态
测试条件
ID = 1毫安
IF = 250 mA时，见注3
VCC = 5.5 V ， VI = VCC
VCC = 5.5 V ， VI = 0
IO = 0，
所有输入低
VDS （ ON） = 0.5 V ，
IN = ID ，
TC = 85°C
VDS = 40 V
VDS = 40 V ，
TC = 125°C
见注5和6
和图8和9
见注5 ，第6和7
民
45
0.85
1
1
–1
15
250
0.05
0.15
1.3
2
1.3
1
5
2
3.2
2
100
典型值
最大
单位
V
V
A
A
A
mA
A
RDS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
ID = 250 mA时， VCC = 4.5 V
ID = 250 mA时， TC = 125°C ，
VCC = 4.5 V
ID = 500 mA时， VCC = 4.5 V
开关特性，V
CC
= 5 V ，T
C
= 25°C
参数
TPLH
的TPH1
tr
tf
ta
TRR
传播延迟时间，从低到高的电平输出从CLK
传播延迟时间，从CLK输出高电平到低电平
上升时间，漏极开路输出
下降时间，漏极开路输出
反向恢复电流上升时间
反向恢复时间
IF = 250 mA时，
的di / dt = 20A / μs的，
见注5和6和图3
CL = 30 pF的，
,
ID = 250毫安，
,
参见图1 ，图2和10
测试条件
民
典型值
625
150
675
400
100
300
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
注：3 。
5.
6.
7.
脉冲持续时间
≤
100
s,
占空比
≤
2%
技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值） 。
这些参数的测量用电压感应触头分开的通电接点。
额定电流被定义为来自不同源的设备之间一致的比较。它是目前能产生
0.5 V电压TC压降= 85°C 。
热阻
参数
R
θJA
热阻，结到环境
阻力结到环境
DW包装
N包装
测试条件
所有8个输出与功率相等
民
最大
111
108
单位
° C / W
4
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TPIC6273
功率逻辑八路D型锁存器
SLIS011A - 1992年4月 - 修订1995年10月
参数测量信息
5V
20
VCC
11
字
发电机
（见注一）
DUT
CLK
漏
D
1
CLR
GND
10
产量
0.5 V
测试电路
电压波形
CL = 30 pF的
（见注B）
CLR
0V
24 V
4 –7,
14 –17
ID
RL = 95
产量
D
24 V
5V
CLK
0V
5V
0V
5V
图1.电阻性负载正常运行
5V
D
5V
1
CLR
ID
DUT
4 –7,
14 –17
95
产量
产量
10%
tr
CL = 30 pF的
（见注B）
CLK
测试电路
D
TSU
50%
tw
输入建立和保持波形
开关时间
5V
50%
0V
th
50%
0V
5V
90%
90%
10%
tf
24 V
CLK
50%
TPLH
50%
0V
的TPH1
24 V
0.5 V
0V
5V
20
VCC
字
发电机
（见注一）
字
发电机
（见注一）
D
11
CLK
漏
GND
10
图2.测试电路，开关时间和电压波形
注：A字生成器具有以下特点： TR
≤
10纳秒， TF
≤
10毫微秒，总重量= 300纳秒，脉冲重复率（ PRR ）= 5千赫
ZO = 50
.
B. CL包括探针和夹具电容。
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