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TPIC6259
功率逻辑8位可寻址锁存器
SLIS009A - APIRL 1992年 - 修订1995年9月
低R
DS （ ON）
. . . 1.3
典型
雪崩能量。 。 。 75兆焦耳
八功率DMOS晶体管输出
250 - mA的持续电流
1.5脉冲电流每路输出
输出钳位电压为45 V
四个不同的功能模式
低功耗
DW或N包装
（ TOP VIEW ）
描述
这种权力的逻辑8位可寻址锁存控制
漏极开路DMOS晶体管输出，并
设计用于一般用途的存储的应用
系统蒸发散在数字系统中。具体用途包括：
工作寄存器，串行保持寄存器，并
解码器或解复用器。这是一个多
能够存储单行的功能元件
在八个寻址锁存数据用3至8
解码或解复用方式，低电平有效
DMOS输出。
保护地
V
CC
S0
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
S1
LGND
保护地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
保护地
CLR
D
DRAIN7
DRAIN6
DRAIN5
DRAIN4
G
S2
保护地
功能表
输入
CLR摹
H
H
H
L
L
L
L
H
L
L
D
H
L
X
H
L
输出
讨论
漏
L
H
QIO
L
H
每
其他
漏
QIO
QIO
QIO
H
H
功能
寻址
LATCH
内存
8-Line
多路解复用器
四种不同的操作模式是通过可选择的
L
H X将
H
H
明确
控制清零（ CLR ）和使能（ G）输入
所列举的功能表。在
锁存器选型表
可寻址锁存模式中，在该数据中的数据（D）的
选择输入
漏
终端写入到所寻址的锁存器。该
讨论
S2 S1
S0
解决DMOS晶体管输出反转
L
L
L
0
数据输入与所有未解决的DMOS晶体管
L
L
H
1
输出留在他们以前的状态。在
L
H
L
2
内存模式下，所有DMOS晶体管输出
L
H
H
3
留在他们以前的状态，并不会受到影响
H
L
L
4
由数据或地址输入端。为了消除
H
L
H
5
在锁存输入错误数据的可能性，
H
H
L
6
H
H
H
7
让摹应保持高电平（无效），而
地址线正在发生变化。在3至8译码
或解复用模式中，被寻址的输出反相相对于所述D输入端和所有其它输出
高。在清澈模式中，所有的输出为高电平并且不受地址和数据输入。
提供独立的电源和逻辑电平接地引脚，以方便最大的系统灵活性。引脚1 ， 10 ， 11 ，
和20在内部相连，并且每个引脚必须从外部连接到电力系统接地，以
以减少寄生电感。 9针，逻辑地（ LGND ）和引脚1,10之间的单点连接，
11和20 ，功率地（PGND ）必须在外部的方式，减少之间的串扰制成
逻辑和负载电路。
该TPIC6259的特点是操作上的工作温度范围 - 40 ° C至125°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1995年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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1
TPIC6259
功率逻辑8位可寻址锁存器
SLIS009A - APIRL 1992年 - 修订1995年9月
逻辑符号
S0
S1
S2
G
D
CLR
3
8
12
13
18
19
2
G8
Z9
Z10
0
8M 0/7
9,0D
10,0R
9,1D
10,1R
9,2D
10,2R
9,3D
10,3R
9,4D
10,4R
9,5D
10,5R
9,6D
10,6R
9,7D
10,7R
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
4
DRAIN0
5
DRAIN1
6
DRAIN2
7
DRAIN3
14
DRAIN4
15
DRAIN5
16
DRAIN6
17
DRAIN7
2
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TPIC6259
功率逻辑8位可寻址锁存器
SLIS009A - APIRL 1992年 - 修订1995年9月
逻辑图（正逻辑）
4
DRAIN0
S0
3
D
C1
CLR
5
DRAIN1
D
C1
CLR
6
DRAIN2
D
S1
8
C1
CLR
7
DRAIN3
D
C1
CLR
S2
12
D
C1
CLR
15
DRAIN5
D
C1
CLR
16
DRAIN6
D
C1
CLR
D
18
17
DRAIN7
D
G
CLR
13
19
C1
CLR
1,10,11, 20
保护地
14
DRAIN4
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3
TPIC6259
功率逻辑8位可寻址锁存器
SLIS009A - APIRL 1992年 - 修订1995年9月
输入和输出的原理图
等效每个输入
VCC
漏
45 V
输入
25 V
12 V
12 V
典型所有排水输出
LGND
LGND
保护地
在推荐的工作温度范围内绝对最大额定值（除非
另有说明）
逻辑电源电压，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7 V
逻辑输入电压范围，V
I
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至7 V
功率DMOS漏极至源极电压V
DS
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45 V
连续的源极 - 漏极二极管的阳极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
脉冲源极 - 漏极二极管的阳极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2将
脉冲漏极电流，每路输出，所有输出，我
Dn
, T
A
= 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫安
连续漏电流，每个输出，所有输出，我
DN ，
T
A
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫安
峰值漏极电流单输出，我
DM ，
T
A
= 25 ° C（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2将
单脉冲雪崩能量E
AS
（见注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75兆焦耳
雪崩电流，我
AS
（见注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40℃ 150℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
引线温度从壳体1.6毫米（ 1/16英寸）为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有电压值相对于LGND和PGND 。
2.每个功率DMOS源内部连接到保护接地。
3.脉冲持续时间
≤
100
s,
占空比
≤
2%
4.漏极供电电压= 15V，开始结温（ TJS ） = 25°C ， L = 100 mH为IAS = 1 A（见图4） 。
额定功耗表
包
DW
N
TA
≤
25°C
额定功率
1125毫瓦
1150毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
9.0毫瓦/°C的
9.2毫瓦/°C的
TA = 125°C
额定功率
225毫瓦
230毫瓦
4
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TPIC6259
功率逻辑8位可寻址锁存器
SLIS009A - APIRL 1992年 - 修订1995年9月
在推荐的工作温度范围推荐工作条件（除非
另有说明）
民
逻辑电源电压VCC
高电平输入电压， VIH
低电平输入电压， VIL
脉冲漏输出电流， TC = 25 ℃， VCC = 5 V （见注3和5 ）
建立时间，D摹↑ ， TSU前高（见图2）
保持时间，G ↑ d后高，日（见图2）
脉冲持续时间，总重量（参见图2）
工作温度的情况下， TC
– 1.8
10
5
15
– 40
125
4.5
0.85 VCC
0.15 VCC
1.5
最大
5.5
单位
V
V
V
A
ns
ns
ns
°C
电气特性，V
CC
= 5 V ，T
C
= 25°
C
（除非另有说明）
参数
V（ BR ） DSX
VSD
IIH
IIL
ICC
IN
IDSX
漏源击穿电压
源极 - 漏极二极管正向电压
高层次的输入电流
低电平输入电流
逻辑电源电流
额定电流
关机状态下漏电流
关闭状态
ID = 1毫安
IF = 250 mA时，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 5.5 V ，
测试条件
见注3
VI = VCC
VI = 0
15
250
0.05
TC = 125°C
VCC = 4.5 V
TC = 125°C ，
VCC = 4.5 V
见注5和6
和图8和9
0.15
1.3
2
1.3
1
5
2
3.2
2
民
45
0.85
1
1
–1
100
典型值
最大
单位
V
V
A
A
A
mA
A
IO = 0，
所有输入低
VDS （ ON） = 0.5 V ， IN = ID ，
TC = 85°C ，
见注5 ，第6和7
VDS = 40 V
VDS = 40 V ，
ID = 250毫安，
ID = 250毫安，
VCC = 4.5 V
ID = 500 mA时，
RDS （ ON）
静态漏源导通状态
阻力
开关特性，V
CC
= 5 V ，T
C
= 25°
C
参数
TPLH
的TPH1
tr
tf
ta
TRR
传播延迟时间，从低到高的电平输出由D-
传播延迟时间，从D-输出高电平到低电平
上升时间，漏极开路输出
下降时间，漏极开路输出
反向恢复电流上升时间
反向恢复时间
IF = 250 mA时，
的di / dt = 20A / μs的，
见注5和6和图3
CL = 30 pF的，
,
ID = 250毫安，
,
参见图1 ，图2和10
测试条件
民
典型值
625
140
650
400
100
300
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
注：3 。
5.
6.
7.
脉冲持续时间
≤
100
s,
占空比
≤
2%
技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值） 。
这些参数的测量用电压感应触头分开的通电接点。
额定电流被定义为来自不同源的设备之间一致的比较。它是目前能产生
0.5 V电压TC压降= 85°C 。
热阻
参数
R
θJA
热阻结到环境
结到环境
DW包装
N包装
测试条件
所有8个输出与功率相等
民
最大
111
108
单位
° C / W
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