TPIC5404

H桥功率DMOS阵列

SLIS023B - 1994年3月 - 修订1995年9月

低R

DS （ ON）

. . . 0.3

典型值

高压输出。 。 。 60 V

脉冲电流。 。 。 10每个通道

快换速度

DW包装

（ TOP VIEW ）

描述

该TPIC5404是一款单芯片功率DMOS阵列

即由四个电隔离的N沟道

增强型DMOS晶体管，两个的

它们被设计成具有共同的源。

该TPIC5404是提供16引脚耐热

增强的双列直插式（ NE ）封装和20引脚

宽体表面贴装（ DW ）封装。该

TPIC5404的特点是操作过

外壳温度范围 - 40 ° C至125°C 。

GND

SOURCE4 / GND

GATE4

NC

DRAIN4

SOURCE3

DRAIN3

GATE3

NC

NC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

20

19

18

17

16

15

14

13

12

11

源2 / GND

GATE2

NC

NC

DRAIN2

SOURCE1

DRAIN1

GATE1

NC

NC

NE包装

（ TOP VIEW ）

DRAIN2

源2 / GND

GATE2

GND

GND

GATE4

SOURCE4 / GND

DRAIN4

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

SOURCE1

DRAIN1

GATE1

GND

GND

GATE3

DRAIN3

SOURCE3

NC - 无内部连接

概要

DRAIN1

14

Q1

GATE1

SOURCE1

DRAIN2

13

15

16

Q2

GATE2

19

Z2

Z4

Q4

3 GATE4

Z1

D1

D2

Z3

Q3

8

6

SOURCE3

5

DRAIN4

GATE3

7

DRAIN3

1

GND

注一：显示引脚数是为DW封装。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1995年，德州仪器

邮政信箱655303

邮政信箱1443

休斯敦，得克萨斯州77251-1443

达拉斯，德克萨斯州75265

21

TPIC5404

H桥功率DMOS阵列

SLIS023B - 1994年3月 - 修订1995年9月

在工作温度范围内的绝对最大额定值（除非另有说明）

漏极至源极电压，V

DS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V

源到GND电压（ Q1 ， Q3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 V

漏极至GND的电压（ Q1 ， Q3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 V

漏极至GND的电压（ Q2 ， Q4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60 V

栅 - 源电压范围，V

GS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

20

连续漏电流，每个输出，T

C

= 25 ° C： DW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.7 A

NE包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2将

连续源 - 漏二极管电流（网元包） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2将

脉冲漏极电流，每路输出，T

C

= 25 ° C（见注1和图15 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 A

单脉冲雪崩能量，T

C

= 25 ℃（见图4和16）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21兆焦耳

连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表

工作结温范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至150℃

工作温度范围内，T

C

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注1 ：脉冲持续时间= 10毫秒，占空比= 2 ％

额定功耗表

包

DW

NE

TC

≤

25°C

额定功率

1389毫瓦

2075毫瓦

降额因子

以上TC = 25°C

11.1毫瓦/°C的

毫瓦/ C

16.6毫瓦/ C

毫瓦/°C的

TC = 125°C

额定功率

279毫瓦

415毫瓦

22

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邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州77251-1443

TPIC5404

H桥功率DMOS阵列

SLIS023B - 1994年3月 - 修订1995年9月

电特性，T

C

= 25 ℃（除非另有说明）

参数

V（ BR ） DSX

VGS （ TH）

V（ BR ）

VDS （上）

VF

VF （ SD ）

漏极至源极击穿电压

栅极 - 源极阈值电压

反向漏 - GND击穿电压（跨越

D1, D2)

漏极至源极导通状态电压

正向通态电压，接地极到漏极

测试条件

ID = 250

A,

ID = 1毫安，

VGS = 0

VDS = VGS

民

60

1.5

100

0.6

7.5

0.7

1.85

2.2

典型值

最大

单位

V

V

V

V

V

漏极至GND电流= 250

A

ID = 2 A，

见注2和3

ID = 2 A（ D1 ， D2 ）

见注2和3

IS = 2 A，

VGS = 0（ Z1，Z2 ，Z3，Z4 ） ，

见注2和3

VDS = 48 V ，

VGS = 0

VGS = 16 V ，

VSG = 16 V ，

VR = 48 V

VGS = 10V ，

ID = 2 A，

见注2和3

图6和图7

VDS = 15 V ，

见注2和3

TC = 25°C

TC = 125°C

VDS = 0

VDS = 0

TC = 25°C

TC = 125°C

TC = 25°C

TC = 125°C

ID = 1 A，

VGS = 10V ，

前的导通状态的电压，源极 - 漏极

1

0.05

0.5

10

10

0.05

0.5

0.3

0.41

1.6

1.9

220

1.2

1

10

100

100

1

10

0.35

V

IDSS

IGSSF

IGSSR

ILKG

零栅极电压漏电流

正向栅电流，漏短路到源代码

反向栅极电流，漏短路到源代码

泄漏电流，漏极至GND

A

A

nA

nA

A

A

RDS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

0.5

S

275

150

125

pF

政府飞行服务队

西塞

科斯

CRSS

正向跨导

短路的输入电容，公共源极

短路输出电容，公共源极

短路反向传输电容，

常见的来源

VDS = 25 V ，

F = 1 MHz的

VGS = 0时，

120

100

注： 2.技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值） ，脉冲持续时间

≤

5毫秒。

3.这些参数测量电压感测触点分开的通电接点。

源 - 漏二极管特性，T

C

= 25°C

参数

TRR （ SD ）

QRR

TRR （ SD ）

QRR

反向恢复时间

共有二极管充电

反向恢复时间

共有二极管充电

测试条件

IS = 1 ，

VGS = 0时，

的di / dt = 100 A / μs的，

见图1

IS = 1 ，

VGS = 0时，

的di / dt = 100 A / μs的，

见图1

VDS = 48 V ，

（ Z1和Z3 ） ，

VDS = 48 V ，

（ Z2与Z4 ）

民

典型值

120

0.12

280

0.9

最大

单位

ns

C

ns

C

接地 - 漏极二极管的特性，T

C

= 25 ℃（见示意图， D1和D2）

参数

TRR

QRR

反向恢复时间

共有二极管充电

测试条件

IF = 1 A，

的di / dt = 100 A / μs的，

VDS = 48 V ，

见图1

民

典型值

260

2.2

最大

单位

ns

C

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邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州77251-1443

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H桥功率DMOS阵列

SLIS023B - 1994年3月 - 修订1995年9月

阻性负载开关特性，T

C

= 25°C

参数

TD （上）

TD （关闭）

tr2

tf2

Qg

QGS （日）

QGD

LD

LS

Rg

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

上升时间

下降时间

总栅极电荷

阈值的栅 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

内部排水电感

内部源极电感

内部栅极电阻

VDS = 48 V ，

见图3

ID = 1 A，

VGS = 10V ，

VDD = 25 V ，

TF1 = 10纳秒，

RL = 25

,

见图2

TR1 = 10纳秒，

测试条件

民

典型值

32

40

15

25

6.6

0.8

2.6

5

5

0.25

nH

最大

65

80

30

50

8

1

3.2

nC

ns

单位

热阻

参数

DW包装

R

θJA

R

θJP

结至环境热阻

NE包装

DW包装

结对引脚热阻

NE包装

与同等功率所有输出，

见注4

测试条件

民

典型值

90

60

30

25

最大

单位

° C / W

° C / W

注4 ：包安装在一FR4印刷电路板没有散热片

参数测量信息

2

TJ = 25°C

相反的di / dt = 100 A / μs的

I S - 源极到漏极二极管电流 - 一个

1

0

IRM 25％

1

2

3

IRM

TRR （ SD ）

4

0

200

400

600

时间 - NS

800

1000

1200

IRM =最大恢复电流

图1.反向恢复电流源极到漏极二极管波形

24

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邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州77251-1443

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H桥功率DMOS阵列

SLIS023B - 1994年3月 - 修订1995年9月

参数测量信息

VDD = 25 V

tr1

RL

脉冲发生器

VGS

DUT

RGEN

50

50

CL 30 pF的

（见注一）

VDS

TD （上）

tf2

VDS

VGS

0V

TD （关闭）

tr2

VDD

VDS （上）

tf1

10 V

电压波形

测试电路

注一： CL包括探针和夹具电容。

图2.电阻开关测试电路和电压波形

VDS

Qg

同一类型

作为DUT

0.3

F

VDD

DUT

VGS

栅极电压

时间

IG电流 -

取样电阻

测试电路

ID电流 -

取样电阻

QGS的Qg = - 的Qgd

电压波形

10 V

QGS （日）

QGD

当前

调节器

12-V

电池

0.2

F

50 k

0

IG = 1

A

图3.栅极电荷测试电路和电压波形

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邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州77251-1443

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