TPIC5403

4路独立GATE保护

功率DMOS阵列

SLIS038A - 1994年9月 - 修订1995年9月

低R

DS （ ON）

. . . 0.23

典型值

高电压输出。 。 。 60 V

扩展ESD能力。 。 。 4000 V

脉冲电流。 。 。 11.25每通道

快换速度

DW包装

（ TOP VIEW ）

描述

该TPIC5403是单片栅极保护

功率DMOS阵列是由四个

独立电隔离的N沟道

增强型DMOS晶体管。每

晶体管的功能集成高电流稳压

二极管（Z

CXA

和Z

CXB

），以防止门的损坏

在一个过载条件下发生的事件。

这些稳压二极管也提供了高达4000 V

ESD保护时使用的测试

100 - pF电容串联的人体模型

有1.5 kΩ的电阻。

DRAIN1

DRAIN1

GATE1

GND

SOURCE1

SOURCE1

SOURCE2

SOURCE2

GND

GATE2

DRAIN2

DRAIN2

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

14

13

DRAIN3

DRAIN3

GATE3

GND

SOURCE3

SOURCE3

SOURCE4

SOURCE4

GND

GATE4

DRAIN4

DRAIN4

该TPIC5403提供一个24针宽体表面贴装（ DW）封装，特点是操作

以上的情况下，温度范围 - 40 ° C至125°C 。

概要

DRAIN1

1, 2

Q1

GATE1

3

ZC1b

5, 6

11, 12

Q2

GATE2

10

ZC2b

7, 8

ZC2a

4, 9, 16, 21

GND

注答：对于正确的操作，没有终端可以采取以下GND 。

Z2

D2

D4

Z4

ZC4b

ZC4a

17, 18

Q4

15

GATE4

ZC1a

Z1

D1

D3

Z3

ZC3b

ZC3a

19, 20

13, 14

SOURCE3

DRAIN4

Q3

22

GATE3

23, 24

DRAIN3

SOURCE1

DRAIN2

SOURCE2

SOURCE4

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1995年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

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功率DMOS阵列

SLIS038A - 1994年9月 - 修订1995年9月

在工作温度范围内的绝对最大额定值（除非另有说明）

漏极至源极电压，V

DS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V

源到接地电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 V

漏极至GND的电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 V

栅 - 源电压范围，V

GS

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 9 V至18 V

连续漏电流，每个输出，T

C

= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.25

连续源 - 漏极二极管的电流，T

C

= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.25

脉冲漏极电流，每路输出，我

最大

, T

C

= 25 ° C（见注1和图15 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11.25一

连续栅极 - 源极的齐纳二极管的电流，T

C

= 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

50毫安

脉冲栅极 - 源极的齐纳二极管的电流，T

C

= 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

500毫安

单脉冲雪崩能量E

AS

, T

C

= 25℃ （参照图4，图15，图16 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17.2兆焦耳

连续总功耗，T

C

= 25 ° C（见图15） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.39 W

工作结温范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40℃ 150℃

工作温度范围内，T

C

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注1 ：脉冲持续时间= 10毫秒，占空比= 2 ％

2

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电特性，T

C

= 25 ℃（除非另有说明）

参数

V（ BR ） DSX

VGS （ TH）

V（ BR ） GS

V（ BR ） SG

V（ BR ）

VDS （上）

VF （ SD ）

VF

IDSS

IGSSF

IGSSR

ILK

LKG

漏极至源极击穿电压

栅极 - 源极阈值电压

栅极 - 源极击穿电压

源 - 栅极击穿电压

反向漏 - GND击穿电压（跨越

D1，D2， D3和D4 ）

漏极至源极导通状态电压

测试条件

ID = 250

A,

ID = 1毫安，

参见图5

IGS = 250

A

ISG = 250

A

漏极至GND电流= 250

A

ID = 2.25 A，

见注2和3

VGS = 10V ，

VGS = 0

VDS = VGS ，

民

60

1.5

18

9

100

0.5

0.62

1.75

2.2

典型值

最大

单位

V

V

V

V

V

V

前的导通状态的电压，源极 - 漏极

IS = 2.25 A，

VGS = 0（ Z1，Z2 ，Z3，Z4 ） ，

见注2和3以及图12

ID = 2.25 A（ D1 ， D2 ， D3 ， D4 ）

见注2和3

VDS = 48 V ，

,

VGS = 0

VGS = 15 V ，

VSG = 5 V ，

VDGND = 48 V

VGS = 10V ，

ID = 2.25 A，

,

见注2和3

图6和图7

TC = 25°C

TC = 125°C

VDS = 0

VDS = 0

TC = 25°C

TC = 125°C

TC = 25°C

TC = 125°C

1.6

0.9

1.1

V

正向通态电压，接地极到漏极

零栅极电压

零栅极电压漏极电流

正向栅电流，漏短路到源代码

反向栅极电流，漏短路到

来源

泄漏电流，漏极至GND

漏电流至GND

2.5

0.05

0.5

20

10

0.05

0.5

0.23

0.35

2.1

200

250

175

75

1

10

200

100

1

10

0.27

V

A

nA

nA

A

RDS （ ）

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

漏源极导通状态

0.4

S

政府飞行服务队

西塞

科斯

CRSS

正向跨导

短路的输入电容，公共源极

短路输出电容，公共源极

短路反向传输电容，

常见的来源

VDS = 15 V ，

ID = 1.125 A，

见注2和3以及图9

VDS = 25 V ，

F = 1MHz时，

VGS = 0时，

见图11

100

60

pF

F

注： 2.技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值） 。

3.这些参数测量电压感测触点分开的通电接点。

源 - 漏和GND - 漏二极管特性，T

C

= 25°C

参数

TRR

QRR

反向恢复

反向恢复时间

共有二极管充电

IS = 1.125 A，

VGS = 0时，

0

参见图1和14

测试条件

Z1，Z2， Z3和Z4的

VDS = 48 V ，

A / μs的，

的di / dt = 100 A / μs的

D1，D2， D3和D4

Z1，Z2， Z3和Z4的

D1，D2， D3和D4

民

典型值

80

160

0.12

0.5

最大

单位

ns

C

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3

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阻性负载开关特性，T

C

= 25°C

参数

TD （上）

TD （关闭）

tr2

tf2

Qg

QGS （日）

QGD

LD

LS

Rg

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

上升时间

下降时间

总栅极电荷

阈值的栅 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

内部排水电感

内部源极电感

内部栅极电阻

VDS = 48 V ，

V

见图3

ID = 1 125一

1.125 A,

VGS = 10V ，

V

VDD = 25 V ，

,

TF1 = 10纳秒，

RL = 20

,

,

见图2

TR1 = 10纳秒，

,

测试条件

民

典型值

32

27

14

7

6.6

0.6

2.8

5

5

0.25

nH

最大

55

50

30

15

8

0.7

3.2

nC

ns

单位

热阻

参数

R

θJA

R

θJB

R

θJP

结至环境热阻

结至电路板的热阻

结对引脚热阻

测试条件

见注4和7

见注5和7

见注6和7

民

典型值

90

49

28

最大

单位

° C / W

° C / W

° C / W

注： 4 。

5.

6.

7.

包安装在一FR4印刷电路板没有散热片

包安装在24平方英寸， 4层FR4印刷电路板

安装在散热片的无限亲密接触套餐

与同等功率输出的所有

4

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参数测量信息

1.5

0.75

I S - 源极到漏极二极管电流 - 一个

相反的di / dt = 100 A / μs的

0

– 0.75

IRM 25％

– 1.5

– 2.25

阴影面积= QRR

–3

IRM

– 3.75

TRR （ SD ）

– 4.25

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

500

VDS = 48 V

VGS = 0

TJ = 25°C

Z1 – Z4

时间 - NS

IRM =最大恢复电流

上面的波形是代表D1，D2， D3和D4的唯一形状。

图1.反向恢复电流源极到漏极二极管波形

VDD = 25 V

tr1

RL

脉冲发生器

VGS

DUT

RGEN

50

50

CL 30 pF的

（见注一）

VDS

TD （上）

tf2

VDS

VGS

0V

TD （关闭）

tr2

VDD

VDS （上）

tf1

10 V

电压波形

测试电路

注一： CL包括探针和夹具电容。

图2.电阻开关测试电路和电压波形

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