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TPIC5302
3通道独立功率DMOS阵列
SLIS029B - 1994年4月 - 修订1995年9月
低R
DS ( ON)
. . . 0.3
典型值
高压输出。 。 。 60 V
脉冲电流。 。 。 7每通道
快换速度
( TOP VIEW )
描述
该TPIC5302是一款单芯片功率DMOS阵列
它由三个电气隔离的
独立的N沟道增强模式
DMOS晶体管。该TPIC5302提供了
标准的16引脚小外形表面贴装(D )
封装。
该TPIC5302的特点是操作过
外壳温度范围 - 40 ° C至125°C 。
GND
SOURCE1
SOURCE1
SOURCE2
SOURCE2
SOURCE3
SOURCE3
GATE3
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
DRAIN1
DRAIN1
GATE1
DRAIN2
DRAIN2
GATE2
DRAIN3
DRAIN3
概要
DRAIN1
15, 16
GATE2
11
DRAIN2
12, 13
GATE3
8
DRAIN3
9, 10
Q1
GATE1
14
Z1
D1
Q2
Z2
D2
Q3
Z3
D3
2, 3
SOURCE1
1
GND
4, 5
SOURCE2
6, 7
SOURCE3
在工作温度范围内的绝对最大额定值(除非另有说明)
漏极至源极电压,V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V
源到接地电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 V
漏极至GND的电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 V
栅极 - 源极电压,V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
20 V
连续漏电流,每个输出上,T所有输出
C
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.4 A
连续源 - 漏二极管电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.4 A
脉冲漏极电流,每路输出,T
C
= 25 ° C(见注1和图6) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7将
单脉冲雪崩能量E
AS
, T
C
= 25 ℃(参见图4) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10.5兆焦耳
连续总功率耗散(或低于)T
C
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1087毫瓦
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至150℃
工作温度范围内,T
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 :脉冲持续时间= 10毫秒,占空比= 2 %
版权
1995年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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邮政信箱1443休斯敦,得克萨斯州
772511443
1
TPIC5302
3通道独立功率DMOS阵列
SLIS029B - 1994年4月 - 修订1995年9月
电特性,T
C
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
V( BR ) DSX
VGS ( TH)
V( BR )
VDS (上)
VF ( SD )
VF
IDSS
IGSSF
IGSSR
ILKG
漏极至源极击穿电压
栅极 - 源极阈值电压
反向漏 - GND击穿电压(跨越
D1,D2和D3)的
漏极至源极导通状态电压
测试条件
ID = 250
A,
ID = 1毫安,
VGS = 0
VDS = VGS
60
1.5
100
0.42
0.49
1.85
2.2
典型值
最大
单位
V
V
V
V
漏极至GND电流= 250
A
ID = 1.4 A,
见注2和3
IS = 1.4 A,
VGS = 0( Z1,Z2, Z3) ,
见注2和3
ID = 1.4 A
VDS = 48 V ,
VGS = 0
VGS = 16 V ,
VSG = 16 V ,
VR = 48 V
VGS = 10V ,
ID = 1.4 A,
见注2和3
图6和图7
VDS = 10V ,
见注2和3
TC = 25°C
TC = 125°C
VDS = 0
VDS = 0
TC = 25°C
TC = 125°C
TC = 25°C
TC = 125°C
ID = 0.7 A ,
VGS = 10V ,
前的导通状态的电压,源极 - 漏极
正向通态电压,接地极到漏极
零栅极电压漏电流
正向栅电流,漏短路到源代码
反向栅极电流,漏短路到源代码
泄漏电流,漏极至GND
0.9
4.8
0.05
0.5
10
10
0.05
0.5
0.3
0.41
1.15
1.41
135
1.1
V
V
1
10
100
100
1
10
0.35
A
A
nA
nA
A
A
RDS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
0.5
S
170
100
40
pF
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
正向跨导
短路的输入电容,公共源极
短路输出电容,公共源极
短路反向传输电容,
常见的来源
VDS = 25 V ,
F = 1 MHz的
VGS = 0时,
80
30
注: 2.技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值)和脉冲宽度
5毫秒。
3.这些参数测量电压感测触点分开的通电接点。
源 - 漏二极管特性,T
C
= 25°C
参数
TRR ( SD )
QRR
反向恢复时间
共有二极管充电
测试条件
IS = 0.5 A , VGS = 0 ,
的di / dt = 100 A / μs的,
VDS = 48 V ,
见图1
典型值
35
0.04
最大
单位
ns
C
接地 - 漏极二极管的特性,T
C
= 25 ℃(见示意图, D1,D2和D3)的
参数
TRR
QRR
反向恢复时间
共有二极管充电
测试条件
IF = 0.5 A ,
的di / dt = 100 A / μs的,
VDS = 48 V ,
见图1
典型值
130
0.4
最大
单位
ns
C
2
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3通道独立功率DMOS阵列
SLIS029B - 1994年4月 - 修订1995年9月
阻性负载开关特性,T
C
= 25°C
参数
TD (上)
TD (关闭)
tr2
tf2
Qg
QGS (日)
QGD
LD
LS
Rg
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
下降时间
总栅极电荷
阈值的栅 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感
内部源极电感
内部栅极电阻
VDS = 48 V ,
见图3
ID = 0.5 A ,
VGS = 10V ,
VDD = 25 V ,
TF1 = 10纳秒,
RL = 50
,
见图2
TR1 = 10纳秒,
测试条件
典型值
23
25
5
17
8
0.5
1.5
5
5
0.25
nH
最大
46
50
10
34
9.8
0.63
1.85
nC
ns
单位
热阻
参数
R
θJA
R
θJP
结至环境热阻
结对引脚热阻
测试条件
与同等功率所有输出,
见注4
典型值
115
32
最大
单位
° C / W
注4 :包安装在一FR4印刷电路板没有散热片
参数测量信息
1
TJ = 25°C
0.5
I S - 源极到漏极二极管电流 - 一个
相反的di / dt = 100 A / μs的
0
0.5
IRM 25%
1
1.5
2
IRM
2.5
TRR ( SD )
3
0
25
50
75
100
125 150
时间 - NS
175
200
225
250
IRM =最大恢复电流
图1.反向恢复电流源极到漏极二极管波形
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TPIC5302
3通道独立功率DMOS阵列
SLIS029B - 1994年4月 - 修订1995年9月
参数测量信息
VDD = 25 V
tr1
VGS
VGS
DUT
RGEN
50
50
CL = 30 pF的
(见注一)
VDS
电压波形
测试电路
注一: CL包括探针和夹具电容。
TD (上)
tf2
0V
TD (关闭)
tr2
VDD
VDS (上)
tf1
10 V
RL
脉冲发生器
VDS
图2.电阻开关测试电路和电压波形
VDS
Qg
同一类型
作为DUT
0.3
F
VDD
DUT
VGS
栅极电压
时间
IG电流 -
取样电阻
测试电路
ID电流 -
取样电阻
QGS的Qg = - 的Qgd
电压波形
10 V
QGS (日)
QGD
当前
调节器
12-V
电池
0.2
F
50 k
0V
IG = 1
A
图3.栅极电荷测试电路和电压波形
4
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TPIC5302
3通道独立功率DMOS阵列
SLIS029B - 1994年4月 - 修订1995年9月
参数测量信息
25 V
tw
VGS
0V
ID
IAS
(见注B)
0V
50
VDS
V( BR ) DSX = 60 V最小
TAV
15 V
250
H
脉冲发生器
(见注一)
50
RGEN
VDS
ID
VGS
DUT
0V
电压和电流波形
测试电路
注:A脉冲发生器具有以下特点:痕量
10纳秒, TF
10 NS, ZO = 50
.
B.输入脉冲宽度( TW )增加至峰值电流IAS = 7 A,其中TAV =雪崩的时间。
I
V
吨AV
AS
( BR ) DSX
能量检测水平定义为E
+
+
10.5兆焦耳
AS
2
图4.单脉冲雪崩能量测试电路和波形
典型特征
栅极 - 源极阈值电压
vs
结温
VGS ( TH) - 栅 - 源阈值电压 - V
2.5
静态漏 - 源极导通电阻
vs
结温
1
ID = 1.4 A
2
ID = 1毫安
1.5
ID = 100
A
1
R DS(ON ) - 静态漏 - 源
0.8
导通状态电阻 -
0.6
VGS = 10 V
0.4
VGS = 15 V
0.2
0.5
0
40 20
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ - 结温 -
°C
0
0
40 20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ - 结温 -
°C
图5
图6
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