TPIC44L01 ， TPIC44L02 ， TPIC44L03

4通道串行和并行低侧前置FET驱动器

SLIS062A

–

1996年11月 - 修订1997年9月

D

D

D

D

D

D

D

4通道串行，并行，在低端

前置FET驱动器

设备的级联

内置55 -V感性负载钳位和

V

GS

保护钳位外部电源

场效应管

独立的短路负载/短路用于─

电池故障检测上的所有排水

码头

独立的关断状态负载开路故障

SENSE

过电池欠压锁定保护

和故障报告

下电池欠压锁定保护

为TPIC44L01和TPIC44L02

D

D

D

D

D

D

D

异步漏极开路故障标志

器件输出可丝与或运算

多台设备

故障状态返回通过串行

输出端子

设备内部全局上电复位

和外部复位端

高阻抗CMOS兼容输入

与迟滞

TPIC44L01和TPIC44L03禁用

门当输出短路，负载故障

OCCURS

TPIC44L02跃迁门输出到

低占空比的PWM模式当

短路负载发生故障

描述

该TPIC44L01 ， TPIC44L02和TPIC44L03是

低侧预驱动器提供串行和并行

输入接口来控制四个外部FET功率

开关如所提供的TI TPIC系列

功率阵列。这些器件的设计

主要为低频下的开关，电感

负载应用，例如螺线管和继电器。

每个通道的故障状态是一个可用

串行数据格式。每个驱动器通道都有

独立的关断状态负载开路检测和

通态短路负载/短路至电池电压检测。

电池过压和欠压检测

和设置在TPIC44L01 / L02关机。

在TPIC44L03驱动程序，只过电池电压

年龄关机设置每个通道还

提供感应电压瞬变保护

外部FET 。

DB包装

（ TOP VIEW ）

FLT

VCOMPEN

VCOMP

IN0

IN1

IN2

IN3

CS

SDO

SDI

SCLK

V

CC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

14

13

V

BAT

N / C

RESET

DRAIN0

GATE0

DRAIN1

GATE1

GATE2

DRAIN2

GATE3

DRAIN3

GND

这些器件提供了通过串行输入接口或并行接口的输入输出控制通道。

一个命令来使能输出从任一接口使各个通道门输出到

外部FET 。串行接口时，建议的信号的控制装置之间的数量和

预驱动器必须被最小化，并且操作的速度是不严格的。在实际应用中的预驱动器在哪里

必须非常迅速地或异步响应，并行输入接口，值得推荐。

对于串行操作，控制装置必须从高转换的CS为低电平，激活串行输入接口。

当发生这种情况时，SDO启用，故障数据被锁存到串行接口，以及故障标志被刷新。

数据的时钟在SCLK的通过SDI低到高的转换串行寄存器。每个数据字符串必须

至少由4位的数据。在应用中的多个设备级联在一起，串

数据必须由四部份位为每个设备。高数据位开启相应的输出通道和低数据

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

TI是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1997年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

TPIC44L01 ， TPIC44L02 ， TPIC44L03

4通道串行和并行低侧前置FET驱动器

SLIS062A

–

1996年11月 - 修订1997年9月

位将其关闭。故障的设备数据同步输出SDO为串行输入数据移入器件。故障

数据包括故障标志为短路负载和开路负载的标志（位0-3）的每一个的四个输出通道。

在故障数据的高比特指示故障和低比特表示没有故障存在该通道。故障

寄存器位被置位或清零异步反映了硬件的当前状态。故障必须

目前，当CS由高向低转变为被捕获并报告在串行故障数据。新故障

不能捕获串行寄存器当CS为低电平。毕竟串行数据的CS必须转变高

已移入器件。 CS从低到高的转变转移的最后四位串行数据到的

输出缓冲器使SDO的高阻抗状态，并清除并重新启用故障寄存器。该

TPIC44L01 / L02 / L03被设计为允许多个设备的串行输入接口，可级联

在一起以简化串行接口到控制器。串行输入的数据流过装置，是

转出SDO下面级联配置中的故障数据。

为并行操作，数据被直接从并行输入接口IN0 - IN3传送到各自的

GATE （ 0-3）输出异步。 SCLK或CS不需要并行控制。 A 1的并行输入转

上，各个频道里一0将其关闭。请注意，任一串行输入接口或并行输入

接口可以使一个信道。下并行运行，故障数据仍然必须通过串行数据采集

界面。

该预驱动器监视漏极电压为每个信道，以检测短路负载或负载开路故障条件

在所述开和关状态分别。这些器件提供了一种使用内部的选择

故障的参考电压或通过VCOMP外部提供的故障参考电压用于故障检测。该

内部故障参考选择通过连接VCOMPEN到GND和外部基准选择

连接VCOMPEN到V

CC

。漏极电压进行比较故障时作为参考的信道被接通

上，以检测短路负载条件下，当所述信道处于关闭状态，以检测负载开路条件。当一个短路

发生故障后，使用该TPIC44L01或TPIC44L03 ，信道被关断和一个故障标志被发送到控制

设备以及对串行故障寄存器位。如果在使用TPIC44L02 ，信道发生故障

跃迁到低占空比，脉冲宽度调制（PWM）信号，只要故障存在。

短路负载故障条件必须存在于至少在短路负载尖峰脉冲的时间t

（ STBDG ）

，被标记

为故障。一个故障标志被发送到控制装置，以及将串行的故障寄存器位。关于故障的更多细节

检测工作，提出本数据手册的设备操作部分。

这些设备免受过电压的电池，并在电池电压条件下提供保护无关

的输出信道的状态。当电池电压大于过压阈值或更小

超过欠压阈值，所有的通道都被禁止，并生成故障标志。电池电压故障

不报告的串行故障数据。的输出返回到正常操作，一旦电池电压故障

已得到纠正。当过电池/下电池电压条件发生时，设备会报告

电池故障，但禁用错误报告的开路和短路负载条件下。故障报告和开放

重新启用短路负载条件下电池故障已得到纠正之后。

这些器件提供在所有通道上的感应瞬态保护。漏极电压被钳位，以保护

场效应管。所述钳位电压为V的总和定义

C

并开启了外部FET的电压。预驱动器

还提供了一种栅 - 源电压（V

GS ）

钳位，以保护功率FET的栅极 - 源极端子从

超过其额定电压。外部低电平有效复位是为了清除所有寄存器和标志

装置。 GATE （ 0-3 ）输出被禁止复位后拉低。

这些器件提供除CS和RESET所有输入下拉电阻。一个上拉电阻，用于CS

并复位。

2

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TPIC44L01 ， TPIC44L02 ， TPIC44L03

4通道串行和并行低侧前置FET驱动器

SLIS062A

–

1996年11月 - 修订1997年9月

原理图

4

故障逻辑

RST

SDI

SCLK

VCC

串行寄存器

SDO

CS

平行注册

4

RST

PREZ

GND

D

Q

在0

IN 1

IN 2

IN 3

FLT

RST

漏极0

排水1

排水2

排水3

4

机顶盒和负载开路故障

保护

VCOMPEN

OSC

BIAS

A

S

B

VCOMP

2

门

驱动块

VBAT

OVLO

UVLO

VCC

RST

RESET

OVLO不TPIC44L03

RST

VBG

门0

门1

门2

3号门

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

3

TPIC44L01 ， TPIC44L02 ， TPIC44L03

4通道串行和并行低侧前置FET驱动器

SLIS062A

–

1996年11月 - 修订1997年9月

终端功能

终奌站

名字

CS

号

8

I / O

I

描述

片选。高到CS低电平的转换使SDO ，锁存故障数据为串行接口，以及

刷新FLT 。当CS为高电平时，故障寄存器可以改变故障状态。在CS的下降沿，故障数据

被锁存到串行输出寄存器，并使用SDO和SCLK传输。在一个由低到高的转变

CS，串行数据被锁存到输出控制寄存器。

DRAIN0

DRAIN1

DRAIN2

DRAIN3

FLT

21

19

16

14

1

I

FET漏极输入。 DRAIN0通过DRAIN3既用于负载开路和短路故障检测处

g

外部FET的漏极。它们也可用于电感性瞬态保护。

I

故障标志。 FLT是一个逻辑电平开漏输出，提供了实时故障标志短路负载/

负载开路/过电池电压/欠电压电池故障。该设备可以与上FLT终端进行或运算

其它设备的中断处理。 FLT需要一个外部上拉电阻。

GATE0

GATE1

GATE2

GATE3

GND

IN0

IN1

IN2

IN3

RESET

SCLK

SDI

SDO

20

18

17

15

13

4

5

6

7

22

11

10

9

O

栅极驱动输出。 GATE0通过GATE3输出都来自于VBAT电源电压。内部夹

g

y

g

防止在这些节点上的电压超出了VGS评级最场效应管。

I

I

平行克

栅极驱动器。通过IN3 IN0是对G实时控制

门预驱动电路。他们是CMOS

g

y

y

与迟滞不兼容。

地面和基板

I

I

I

O

复位。 RESET的高到低转换清除所有寄存器和标志。门输出关闭和FLT标志

被清除。

串行时钟。 SCLK提供时钟的移位寄存器。串行数据移入SDI和串行故障数据同步输出

对SDO的串行时钟的下降沿。

串行数据输入。输出控制数据移入通过SDI串行寄存器。在SDI A 1命令一

上一个0特定门的输出将其关闭。

串行数据输出。 SDO是该故障的数据传送到控制装置的三态输出。它还通过串行

输入数据，以用于级联操作的下一阶段。 SDO是采取高阻抗状态，当CS是一个

HIGH状态。

电池电源电压

逻辑电源电压

故障参考电压选择。 VCOMPEN选择内部产生故障的参考电压（0）或

在shorted-和负载开路故障检测电路，以用于外部故障参考（1） 。

故障的参考电压。 VCOMP提供了外部故障的参考电压为短路的负载和

负载开路故障检测电路。

VBAT

VCC

VCOMPEN

VCOMP

24

12

2

3

I

I

I

I

4

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TPIC44L01 ， TPIC44L02 ， TPIC44L03

4通道串行和并行低侧前置FET驱动器

SLIS062A

–

1996年11月 - 修订1997年9月

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至7 V

电池电源电压范围，V

BAT

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至60 V

输入电压范围，V

I

（在任何输入）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至7 V

输出电压范围，V

O

（ SDO和FLT ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至7 V

漏极至源极电压，V

DS

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至60 V

输出电压V

O

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至15 V

工作温度范围内，T

C

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C

热阻，结到环境，R

θJA

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 135 ° C / W

最高结温，T

J

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 150°C

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注1 ：所有的电压值是相对于GND 。

推荐工作条件

民

逻辑电源电压VCC

电池的供电电压， VBAT

高电平输入电压， VIH

低电平输入电压， VIL

建立时间， SDI前SCLK上升沿高， TSU （见图5）

保持时间后SCLK上升沿SDI高，日（见图5）

外壳温度， TC

4.5

8

0.85 VCC

0

10

10

–40

125

喃

5

最大

5.5

24

VCC

0.15 VCC

单位

V

V

V

V

ns

ns

°C

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

5