TPIC3322L
3通道的公共漏逻辑电平功率DMOS阵列
SLIS035B - 1994年6月 - 修订1995年9月
低R
DS （ ON）
. . . 0.6
典型值
高压输出。 。 。 60 V
脉冲电流。 。 。 2.25每通道
快换速度
直接逻辑电平接口
包
（ TOP VIEW ）
SOURCE1
GATE2
SOURCE2
SOURCE3
1
2
3
4
8
7
6
5
GATE1
GND
漏
GATE3
描述
该TPIC3322L是单片逻辑电平功率DMOS晶体管阵列，它由三个孤立的
配置成与公共漏极和公开来源的N沟道增强型DMOS晶体管。
该TPIC3322L提供了标准的8引脚小外形表面贴装（D ）封装，其特征为
在操作的情况下温度范围 - 40 ° C至125°C 。
原理图
漏
6
Q1
GATE1
8
Z1
GATE2
2
Q2
Z2
GATE3
5
Q3
Z3
D1
1
SOURCE1
3
SOURCE2
4
SOURCE3
7
GND
在工作温度范围内的绝对最大额定值（除非另有说明）
漏极至源极电压，V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V
源到接地电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 V
漏极至GND的电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 V
栅极 - 源极电压，V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
20 V
连续漏电流，每个输出上，T所有输出
C
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.75
连续源 - 漏极二极管的电流，T
C
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.75
脉冲漏极电流，每路输出，我
最大
, T
C
= 25 ° C（见注1和图15 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.25
单脉冲雪崩能量E
AS
, T
C
= 25 ℃（参见图4） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19兆焦耳
连续总功率耗散（或低于）T
C
= 25 ° C（见图15） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.95 W
工作结温范围，T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至150℃
工作温度范围内，T
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 ：脉冲持续时间= 10毫秒，占空比= 2 ％ 。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
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所有测试参数。
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1995年，德州仪器
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