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TPIC2701
7通道共源极功率DMOS阵列
SLIS019A - 1992年9月 - 修订1996年9月
D
D
D
D
D
D
七0.5 -A独立输出通道
集成钳位二极管每路输出
低R
DS ( ON)
. . . 0.5
典型
输出电压。 。 。 60 V
脉冲电流。 。 。 3每通道
雪崩能量。 。 。 22兆焦耳
TPIC2701
N包装
( TOP VIEW )
描述
该TPIC2701是一款单芯片功率DMOS
晶体管阵列,由七个indepen-
凹痕的N沟道增强型DMOS
连接成共源极晶体管
配置明渠。该TPIC2701是
引脚对引脚与得克萨斯功能兼容
仪器ULN2001A通过ULN2004A 。
该TPIC2701的特点是操作过
为0℃至125℃ C.The的温度范围内
TPIC2701M的特点是操作过
55 ° C至 - 的整个军用温度范围
125°C.
GATE1
GATE2
GATE3
GATE4
GATE5
GATE6
GATE7
来源
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
DRAIN4
DRAIN5
DRAIN6
DRAIN7
TPIC2701M
包装
( TOP VIEW )
逻辑图
9
GATE1
1
16
DRAIN1
GATE2
2
15
DRAIN2
GATE1
GATE2
GATE3
NC
NC
GATE4
GATE5
NC
GATE6
GATE7
来源
来源
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
NC
NC
DRAIN4
DRAIN5
NC
DRAIN6
DRAIN7
来源
GATE3
3
14
DRAIN3
NC - 无内部连接
参见机械数据为JW封装。
GATE4
4
13
DRAIN4
GATE5
5
12
DRAIN5
GATE6
6
11
DRAIN6
GATE7
7
10
DRAIN7
8
来源
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1996年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TPIC2701
7通道共源极功率DMOS阵列
SLIS019A - 1992年9月 - 修订1996年9月
在工作温度范围内的绝对最大额定值(除非另有说明)
漏极 - 源极电压V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V
栅源电压,V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
20 V
钳漏电压,V
CD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V
连续的源极 - 漏极二极管的电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5 A
脉冲漏极电流,每路输出,我
D
(见注1和图17 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 [3] A
脉冲钳位电流,I
CL
(见注1和图18 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 [3] A
连续漏电流,每个输出,所有输出上。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.5 A
单脉冲雪崩能量E
AS
(参见图4) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22兆焦耳
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作结温范围,T
J
: TPIC2701 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40℃ 150℃
TPIC2701M 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至150℃
工作温度范围内,T
C:
TPIC2701 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
TPIC2701M 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下10秒:N包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下10秒:J-包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
注1 :脉冲持续时间= 10毫秒,占空比= 6 % 。
额定功耗表
J
N
TA
25°C
额定功率
2660毫瓦
1400毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
21.3毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
1701毫瓦
905毫瓦
TA = 85°C
额定功率
毫瓦1382
740毫瓦
TA = 125°C
额定功率
530毫瓦
300毫瓦
电特性,T
C
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
V( BR ) DS
VTGS
VDS (上)
IDSS
IGSSF
IGSSR
RDS ( )
DS ( ON)
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
漏源击穿电压
门源阈值电压
漏源通态电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压
正向栅电流,漏短路到
来源
反向栅极电流,漏短路到
来源
在通电阻正向漏源
漏极 - 源极导通状态
测试条件
ID = 1的
A,
ID = 1毫安,
VGS = 0
VDS = VGS
TPIC2701
60
1.2
1.75
0.25
TC = 25°C
TC = 125°C
0.05
0.5
10
10
TC = 25°C
TC = 125°C
0.5
0.5
0.8
0.8
105
VDS = 25 V
V,
VGS = 0
0,
F = 300千赫
65
15
pF
F
2.4
0.4
1
10
100
100
0.8
1.3
S
典型值
最大
单位
V
V
V
A
nA
nA
ID = 0.5 A ,
VGS = 15 V ,
见注2和3
VDS = 48 V
V,
VGS = 20 V ,
VGS = 0
VDS = 0
VGS = - 20 V , VDS = 0
VGS = 15V, ID = 0.5 A ,
见注2和3
图5和图6
VDS = 15 V时, ID = 0.5 A ,
见注2和3
正向跨导
短路的输入电容,公共源极
短路输出电容,公共源极
短路反向传输电容,
常见的来源
注: 2.技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
3.这些参数与电压感测接触测量从与单个输出的载流触头分离
晶体管导通。
2
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TPIC2701
7通道共源极功率DMOS阵列
SLIS019A - 1992年9月 - 修订1996年9月
电特性随外壳的温度的工作范围(除非另有说明)
(见注4 )
参数
V( BR ) DS
VTGS
VDS ( )
DS ( ON)
IDSS
IGSSF
IGSSR
RDS ( )
DS ( ON)
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
漏 - 源
漏源击穿电压
栅极到源极的输入阈值电压
漏极至源极导通状态
漏源导通状态电压
零栅极电压
零栅极电压漏极电流
前锋克
栅极电流,漏极短路到
,
来源
反向栅极电流,漏电短路
g
,
来源
在通电阻正向漏源
漏极 - 源极导通状态
正向跨导
短路的输入电容,公共源极
短路输出电容,公共源极
短路反向传输电容,
常见的来源
VDS = 25 V ,
F = 300千赫
VGS = 0时,
全系列
测试条件
ID = 1的
A,
ID = 1毫安,
ID = 1毫安,
ID = 0 5 A,
0.5 A
VDS = 48 V
V,
VGS = 20 V ,
V
VGS = 0
VGS = 0
VDS = VGS
VGS = 15 V
VGS = 0
VDS = 0
TC =
25°C
全系列
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
0.8
105
65
15
pF
F
0.5
10
10
0.05
TPIC2701M
60
1.2
1.75
0.25
2.4
0.45
0.65
1
10
100
10
100
10
0.9
1.3
典型值
最大
单位
V
V
V
A
nA
A
nA
A
S
VGS = - 20 V VDS = 0
V,
VGS = 15 V ,
V
VDS = 15 V ,
ID = 0.5 A
05
ID = 0.5 A
全系列为 - 55 ° C至125°C 。
注4 :脉冲检测技术的使用,以保持结温为接近的情况下成为可能。热
效果,必须单独考虑。
源极 - 漏极二极管的特性,T
C
= 25°C
参数
VSD
正向电压上
TRR ( SD )反向恢复时间
QRR
共源极 - 漏极二极管充电
测试条件
IS = 0.5 A ,
VGS = 0
VDS = 48 V ,
见图1
TPIC2701
典型值
0.9
165
250
最大
1.4
单位
V
ns
nC
IS = 0.5 A , VGS = 0 ,
的di / dt = 25A / μs的,
源极到漏极在工作温度范围内二极管的特性(除非另有
说明)(见注4 )
参数
VSD
TRR
QRR
正向电压上
反向恢复时间
共源极到漏极二极管充电
IS = 0.5 A ,
IS = 0.5 A ,
的di / dt = 25A / μs的,
测试条件
VGS = 0
VGS = 0时,
TC = 25°C ,
VDS = 48 V ,
见图1
TPIC2701M
典型值
0.9
165
250
最大
1.4
单位
V
ns
nC
注4 :脉冲检测技术的使用,以保持结温为接近的情况下成为可能。热
效果,必须单独考虑。
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3
TPIC2701
7通道共源极功率DMOS阵列
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钳位二极管的特性,T
C
= 25°C
参数
VF
VBR
IR
TRR ( CD)
QRR
在正向电压
击穿电压
反向漏电流
反向恢复时间
共源极 - 漏极二极管充电
测试条件
IF = 0.5 A
IR = 1
A
VR = 48 V
IF = 0.1 A ,
VCD = 48 V,
的di / dt = 25A / μs的,
见图1
TPIC2701
60
0.05
90
100
1
典型值
1
最大
1.5
单位
V
V
A
ns
nC
在工作温度范围内钳位二极管的特性(除非另有说明)
(见注4 )
参数
VF
V( BR )
IR
正向电压
击穿电压
反向漏电流
IF = 0.5 A
IR = 1
A,
IR = 1毫安
VR = 48 V
IF = 0.1 A ,
VCD = 48 V,
TC = 25°C
的di / dt = 25A / μs的,
见图1
TC = 25°C
测试条件
TPIC2701M
典型值
1
TC = 25°C
60
0.05
90
100
1
10
最大
1.5
单位
V
V
A
ns
nC
反向恢复时间trr (SD)的反向恢复时间,源 - 漏
QRR
共源极到漏极二极管充电
注4 :脉冲检测技术的使用,以保持结温为接近的情况下成为可能。热
效果,必须单独考虑。
阻性负载开关特性,T
C
= 25°C
参数
TD (上)
TD (关闭)
tr
tf
Qg
QGS
QGD
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
VDS = 48 V ,
V
见图3
ID = 0.25 A ,
0 25 A
VGS = 10V ,
V
VDD = 25 V ,
,
TDIS = 10纳秒,
RL = 100
,
,
见图2
10 = 10纳秒,
,
测试条件
TPIC2701
典型值
10
30
15
5
2.8
1.6
1.2
3.6
2
1.6
nC
ns
最大
单位
4
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TPIC2701
7通道共源极功率DMOS阵列
SLIS019A - 1992年9月 - 修订1996年9月
阻性负载切换工作温度范围特性(除非另有
说明)(见注4 )
参数
TD (上)
TD (关闭)
tr
tf
Qg
QGS
QGD
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷
VDS = 48 V ,
V
见图3
ID = 0 25 A
0.25 A,
VGS = 10V ,
V
VDD = 25 V ,
,
TDIS = 10纳秒,
RL = 100
,
,
见图2
10 = 10纳秒,
,
测试条件
TPIC2701M
典型值
10
30
15
5
2.8
1.6
1.2
nC
ns
最大
单位
注4 :脉冲检测技术的使用,以保持结温为接近的情况下成为可能。热
效果,必须单独考虑。
热阻
参数
R
θJA
结至环境热阻
测试条件
N包装,所有输出的功率相等
封装,所有输出的功率相等
典型值
最大
90
66
单位
° C / W
参数测量信息
0.5 A
IF / IS
0
的di / dt = 25A / μs的
QRR =阴影区
IRM的25 %
IRM
(见注一)
TRR
注一: IRM =最大恢复电流
图1.源极 - 漏极和钳位二极管的反向恢复电流波形
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TPIC2701
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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