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TPIC2601
6通道共源极功率DMOS阵列
SLIS048A - 1996年11月 - 修订1998年1月
D
D
D
D
D
低R
DS ( ON)
. . . 0.25
典型值
高输出电压。 。 。 60 V
脉冲电流。 。 。 10每个通道
雪崩能量能力。 。 。 105兆焦耳
输入瞬态保护。 。 。 2000 V
KTC或KTD 包装
( TOP VIEW )
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
TI仅适用于日本
描述
该TPIC2601是一款单芯片功率DMOS阵列
它包含6电隔离的N沟道
增强型
DMOS
晶体管
配置有一个共同的源和开
水渠。每个晶体管的功能集成
高电流的齐纳二极管,以防止栅
在事件损害,一个逾限应变条件
发生。这些稳压二极管也提供了高达
ESD保护时使用的测试2000伏
人体模型。
DRAIN6
GATE6
DRAIN5
GATE5
DRAIN4
DRAIN4
GATE4
来源/ GND
GATE3
DRAIN3
DRAIN3
GATE2
DRAIN2
GATE1
DRAIN1
该TPIC2601提供了15针的PowerFlex ( KTC )封装,特点是操作过
外壳温度范围 - 40 ° C至125°C 。
一个15针的PowerFlex
( KTD )封装也可用于TI日本
只。
概要
DRAIN1
1
Q1
GATE1
2
DRAIN2
3
GATE2
4
Q2
GATE3
7
Q3
DRAIN3
5, 6
DRAIN4
DRAIN5
DRAIN6
10, 11
13
15
GATE4
GATE5
9
Q4
Q5 12
Q6
14
GATE6
8
来源/ GND
注答:对于正确的操作,不漏端可以采取以下GND 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
POWERFLEX是德州Intruments公司的注册商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1998年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TPIC2601
6通道共源极功率DMOS阵列
SLIS048A - 1996年11月 - 修订1998年1月
在工作温度范围内的绝对最大额定值(除非另有说明)
漏极至源极电压,V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V
栅极 - 源极电压,V
GS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 9 V至18 V
连续漏电流,每个输出上,T所有输出
C
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2将
脉冲漏极电流,每路输出,我
O
最大值,T
C
= 25 ° C(见注1和图7 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 A
连续栅极 - 源极的齐纳二极管的电流,T
C
= 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
25毫安
脉冲栅极 - 源极的齐纳二极管的电流,T
C
= 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
250毫安
单脉冲雪崩能量E
AS
, T
C
= 25 ℃(见图4和16)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 105兆焦耳
连续总功率耗散(或低于)T
A
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为1.7W
功率消耗在(或低于)T
C
= 75 ° C,所有的输出上。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18.75 W
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40℃ 150℃
工作温度范围内,T
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 :脉冲持续时间= 10毫秒,占空比= 2 %
电特性,T
C
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
V( BR ) DSX
VGS ( TH)
VGS ( TH)比赛
V( BR ) GS
V( BR ) SG
VDS (上)
VF ( SD )
IDSS
IGSSF
IGSSR
漏极至源极击穿电压
栅极 - 源极阈值电压
栅极 - 源极阈值电压的匹配
栅极 - 源极击穿电压
源 - 栅极击穿电压
漏极至源极导通状态电压
前的导通状态的电压,源极 - 漏极
零栅极电压漏极电流
零栅极电压
正向栅电流,漏短路到
来源
反向栅极电流,漏短路到
来源
测试条件
ID = 250
A,
ID = 1毫安,
,
参见图5
IGS = 250
A
ISG = 250
A
ID = 2 A,
见注2和3
VGS = 10V ,
VGS = 0
VDS = VGS ,
60
1.5
18
9
0.5
0.85
0.05
0.5
20
10
0.25
0.4
0.6
1
1
10
200
100
0.3
0.5
2.05
5
2.2
40
典型值
最大
单位
V
V
mV
V
V
V
V
A
nA
nA
IS = 2A ,
VGS = 0时,
见注2和3以及图12
VDS = 48 V ,
,
VGS = 0
VGS = 10V ,
VSG = 5 V ,
VGS = 10V ,
ID = 2 A,
,
见注2和3
图6和图7
VDS = 15 V ,
见注2和3
和图9
TC = 25°C
TC = 125°C
VDS = 0
VDS = 0
TC = 25°C
TC = 125°C
ID = 1
1.3
RDS ( )
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
漏源极导通状态
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
正向跨导
短路的输入电容,公共源极
短路输出电容,共同
来源
短路反向传输电容,
常见的来源
1.95
180
225
138
100
S
VDS = 25 V ,
F = 1MHz时,
VGS = 0时,
见图11
110
80
pF
注: 2.技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
3.这些参数测量电压感测触点分开的通电接点。
2
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TPIC2601
6通道共源极功率DMOS阵列
SLIS048A - 1996年11月 - 修订1998年1月
源 - 漏二极管特性,T
C
= 25°C
参数
TRR ( SD )
QRR
反向恢复时间
共有二极管充电
测试条件
IS = 1 ,
VDS = 48 V ,
VGS = 0时,
0
的di / dt = 100 A / μs的
A / μs的,
参见图1和14
典型值
72
180
最大
单位
ns
nC
阻性负载开关特性,T
C
= 25°C
参数
TD (上)
TD (关闭)
tr
tf
Qg
QGS (日)
QGD
LD
LS
Rg
延迟时间, VGS
到VDS
打开
延迟时间, VGS
到VDS
上升时间, VDS
秋天的时候, VDS
总栅极电荷
阈值的栅 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感
内部源极电感
内部栅极电阻
VDD = 48 V ,
V
见图3
ID = 1 A,
A
VGS = 10V ,
V
VDD = 25 V ,
,
TDIS = 10纳秒,
RL = 25
,
,
见图2
10 = 10纳秒,
,
测试条件
典型值
194
430
90
180
5.1
0.5
2.75
5
5
500
nH
6.4
0.63
3.4
nC
ns
最大
单位
热阻
参数
R
θJA
R
θJC
结至环境热阻
结到外壳热阻
测试条件
与同等功率输出的所有
与同等功率输出的所有
一个输出功率耗散
典型值
最大
72
4
7
° C / W
单位
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6通道共源极功率DMOS阵列
SLIS048A - 1996年11月 - 修订1998年1月
参数测量信息
2
TJ = 25°C
1
我的SD - 源极到漏极二极管电流 - 一个
逆转的di / dt = 100 A / μs的
0
–1
LRM 25%
{
–2
–3
阴影面积= QRR
–4
LRM
{
TRR ( SD )
–5
–6
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
吨 - 时间 - NS
IRM =最大恢复电流
源极到漏极二极管图1.反向恢复电流波形
VDD
TEN
RL
脉冲发生器
(见注一)
VGS
DUT
RGEN
50
50
TD (上)
VDS
tf
电压波形
测试电路
注一:脉冲发生器具有以下特点: 10
10纳秒, TDIS
10 NS, ZO = 50
.
10%
TD (关闭)
90%
VDD
VDS (上)
tr
VDS
VGS
90%
10%
90%
TDI发动机
10 V
0
图2.电阻开关
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6通道共源极功率DMOS阵列
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参数测量信息
当前
调节器
12-V
电池
0.2
F
50 k
0.3
F
VDD
IG = 1毫安
DUT
同一类型
作为DUT
10 V
QGS (日)
VGS
栅极电压
吨 - 时间 - S
IG采样
电阻器
测试电路
ID取样
电阻器
QGS的Qg = - 的Qgd
波形
QGD
Qg
0
图3.栅极电荷测试电路和波形
25 V
tw
L
VGS
脉冲发生器
(见注一)
50
RGEN
50
VDS
VGS
DUT
ID
VDS
ID
TAV
10 V
0
IAS
(见注B)
0
V( BR ) DSX = 60 V最小
0
测试电路
电压和电流波形
注:A脉冲发生器具有以下特点:痕量
10纳秒, TF
10 NS, ZO = 50
.
B.输入脉冲宽度( TW )增加至峰值电流IAS = 2 A.
能量检测水平定义为E
AS
+
I
AS
V
( BR ) DSX
2
吨AV
+
105兆焦耳的最小其中t
+
雪崩的时间。
av
图4.单脉冲雪崩能量测试电路和波形
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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