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TPIC2406
智能功耗四MOSFET LATCH
SLIS012 - D3378 , 1990年2月
输出电压高达60 V
700毫安标称的4个输出通道
每通道电流
脉冲电流。 。 。 3每通道
低R
DS ( ON)
. . . 0.5
典型值
雪崩能量。 。 。 50兆焦耳
热关断保护与Fault
(过热)输出
NE套餐专为散热
整体输出钳位二极管
输入透明锁存器用于数据存储
异步清除关闭所有输出
输出并行能力的提高
电流驱动多达12个- A总脉冲负载
当前
NE包装
( TOP VIEW )
1,4 CLAMP
ENBL
1年
1 DRAIN
散热器
和GND
2漏
2年
V
CC
F
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
CLR
LGND
4 IN
4漏
散热器
和GND
3漏
3 IN
V
DD
2,3 CLAMP
功能表
(每个通道)
功能
输入
ENBL CLR
X
正常
手术
L
L
H
关闭
H =高层次,
X
L
H
H
H
X
IN
X
L
H
X
X
产量
Y
H
H
L
Q0
H
故障
F
H
H
H
H
L
描述
该TPIC2406是一款单芯片,高电压,
大电流,四联电力驱动设计
在要求高负载功率系统使用。该
设备包含内置的高速输出钳位
二极管感应瞬态保护。动力
驱动程序的应用包括灯,继电器,
螺线管和直流步进电机。
L =低的水平,
X =无关
该器件具有四个反向漏极开路输出,每一个输入存储控制锁存器与普通
清除并启用控件。所有的输入接受标准TTL和CMOS逻辑电平。 CLR的功能
异步和关闭所有四个输出关闭,无论数据输入。以ENBL为低电平时,输入锁存到
透明模式下,允许数据输入,以影响输出。在这种状态下,所有四个输出被保持关闭,而
CLR为低,但返回到阶段上的数据输入时的CLR变为高电平。当ENBL被拉高,锁存器
放入存储模式和数据输入的最后一个状态,在锁存器被保持。如果CLR为低电平时,数据
在锁存器中被清除,并且所有的输出都被关闭。如果CLR被拉高再次, ENBL必须循环低
读取新数据锁存器。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1990年,德州仪器
邮政信箱655303达拉斯,德克萨斯州75265
邮政信箱1443 HOUSTON , TEXAS 77001
21
TPIC2406
智能功耗四MOSFET LATCH
SLIS012 - D3378 , 1990年2月
逻辑符号
20
CLR
ENBL
2
R
[ TEMP
关机]
C1
10
F
4
1年
3
1D
17
4 IN
18
1
7
2年
8
14
3 IN
13
11
1 DRAIN
4漏
1,4 CLAMP
2漏
3漏
2,3 CLAMP
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和IEC出版617-12 。
逻辑图(正逻辑)
12
电压
调节器
VDD
VCC
9
欠压
检测
关闭
4
1 DRAIN
1
CLR
ENBL
1年
2年
3 IN
4 IN
LGND
3
8
13
18
19
关闭
17
5,6,15,16
20
2
R
C1
1D
关闭
14
关闭
7
11
1,4 CLAMP
2漏
2,3 CLAMP
3漏
4漏
GND
10
F
22
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TPIC2406
智能功耗四MOSFET LATCH
SLIS012 - D3378 , 1990年2月
输入和输出的原理图
等效每个输入
VCC
典型所有排水输出
电压
调节器
输入
GND
GND
在-40绝对最大额定值
°
C至125
°
C外壳温度范围(除非另有说明)
逻辑电源电压,V
CC
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7 V
功率MOSFET驱动器电源电压,V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V
逻辑输入电压,V
I
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V
功率MOSFET的漏极 - 源极电压,V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V
输出电压F,V
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V
钳位二极管的电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60 V
连续的源极 - 漏极二极管的阳极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.25 A
脉冲源极 - 漏极二极管的阳极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6的
脉冲漏极电流,每路输出,所有输出,我
D1
= I
D2
= I
D3
= I
D4
, T
A
= 25°C
(见注2和图5到8) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 [3] A
连续漏电流,每个输出,所有输出,我
D1
= I
D2
= I
D3
= I
D4
, T
A
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 770毫安
峰值漏极电流,单路输出,我
DM
, T
A
= 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12.5 A
单脉冲雪崩能量E
AS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50兆焦耳
等于或低于25 ℃的自由空气的温度连续总功耗(见注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.5瓦
在或低于100 ℃的情况下连续总功耗(见注4 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6 W
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至150℃
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至150℃
引线温度从壳体1.6毫米( 1/16英寸)为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
注:1 。
2.
3.
4.
所有电压值都是相对于该5接地(GND和LGND )端子连接到一起。
脉冲持续时间= 10毫秒,占空比= 6 % 。
脉冲持续时间
100
s,
占空比
2%.
对于运行在25℃以上自由空气的温度,线性降额在20毫瓦/ ℃的速度升温。操作高于100 ℃的情况下,
降额直线以120毫瓦/ ℃的速率。为了避免超过设计最大结温,这些评级不应该
超标。由于变化的单个设备,电特性和耐热性,内置的热过载
保护可以在功率电平略高于或低于额定耗散被激活。
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TPIC2406
智能功耗四MOSFET LATCH
SLIS012 - D3378 , 1990年2月
推荐工作条件
逻辑电源电压VCC
输出电源电压VDD
高电平输入电压, VIH
低电平输入电压, VIL
建立时间, ENBL前数据
↑,
ツ(参见图1)
ENBL后保持时间,数据
↑,
日(参照图1)
ENBL低
脉冲持续时间,总重量(参见图1)
工作温度的情况下, TC
CLR低
300
40
125
ns
°C
100
100
4.5
10
2
0.6
最大
5.5
35
单位
V
V
V
V
ns
ns
电气特性,V
CC
= 5 V, V
DD
= 14 V ,T
C
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
V( BR ) DSX
VF ( K)
VSD
VIK
VOL
IIH
IIL
ICC
IN
国际直拨电话
红外光谱( K)的
IDSX
IO ( F)
漏源击穿电压
钳位二极管的正向电压
源极 - 漏极二极管正向电压
输入钳位电压
低电平输出电压以F
高层次的输入电流
低电平输入电流
逻辑电源电流
额定电流
输出电源电流
钳位二极管的反向电流
断态漏电流
高层次的故障漏电电流
ID = 1毫安
IF = 1.25 A,
IS = 1.25 A,
VCC = MIN ,
IOL = 4毫安
VCC = 5.5 V ,
VCC = 5.5 V ,
IO = 0,
测试条件
见注5和6
见注5和6
II =
12毫安
0.4
VI = 2.7 V
VI = 0.4 V
所有输出关闭
TC = 85°C ,
700
6
1
TC = 125°C
10
1
TC = 125°C
0.5
见注5和6
0.8
0.55
10
1
0.6
1
0.65
20
0.1
10
60
1.6
1.5
1.5
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
A
mA
mA
mA
mA
A
A
A
A
A
VDS ( ON) = 0.5 V ,
IN = ID ,
见注5 ,第6和7
IO = 0,
VDS = 55 V ,
VDS = 55 V ,
VR = 55 V
VR = 55 V ,
VOH = 5.5 V
ID = 1.25 A
ID = 1.25 A,
TC = 125°C
ID = 3] A
所有输出关闭
VO = 0
VO = 0,
RDS ( ON)
静态漏源导通电阻
对于显示为MIN和MAX的条件下,使用推荐的工作条件下,指定相应的值。
注: 5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
6.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
7.额定电流被定义为来自不同源的设备之间一致的比较。它是产生一个电压电流
降0.5 V在85°C的外壳温度。
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智能功耗四MOSFET LATCH
SLIS012 - D3378 , 1990年2月
开关特性,V
CC
= 5 V, V
DD
= 24 V ,T
C
= 25°C
参数
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
TPLH
的TPH1
tr
tf
ta
传播延迟时间,从低到高级别漏极输出
从时钟
传播延迟时间,高到低级别的漏极输出
从时钟
过渡时,源极 - 漏极的输出由低到高级别
过渡时,源极 - 漏极输出的高电平到低电平
传播延迟时间,从低到高级别漏极输出
从输入
传播延迟时间,高到低级别的漏极输出
从输入
上升时,从低到高的电平的源极 - 漏极输出的
下降时间,高到低级别的源极 - 漏极输出的
反向恢复电流上升时间
IF = 3 A,
见注5和6 ,
的di / dt = 100 A / μs的,
见图3
CL = 30 pF的,
ID = IN = 700毫安
参见图2 ,
CL = 30 pF的,
见图1
测试条件
典型值
450
550
35
30
380
380
35
70
45
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注: 5.技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
6.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结至环境热阻
测试条件
所有四个输出与功率相等
典型值
最大
8.33
50
单位
° C / W
在-40 ° C至125 ° C的温度范围内工作特性
参数
欠压关断
热关断温度
热关断迟滞
3
155
15
典型值
最大
4.5
单位
V
°C
°C
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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