TPIC2302

3通道的公共源功率DMOS阵列

SLIS028B - 1994年4月 - 修订1995年9月

低R

DS （ ON）

. . . 0.4

典型值

高压输出。 。 。 60 V

脉冲电流。 。 。 5每通道

快换速度

包

（ TOP VIEW ）

DRAIN1

GATE2

DRAIN2

DRAIN3

1

2

3

4

8

7

6

5

GATE1

来源/ GND

来源/ GND

GATE3

描述

该TPIC2302是单片功率DMOS阵列，它由三个电气隔离的N沟道

配置有一个共同的源极和漏极开路增强型DMOS晶体管。该TPIC2302是

在一个标准的8引脚小外形表面贴装（ D）封装。

该TPIC2302的特点是操作过的情况下，温度范围 - 40 ° C至125°C 。

概要

DRAIN1

1

Q1

GATE1

8

Z1

GATE2

2

Q2

Z2

GATE3

5

DRAIN2

3

Q3

Z3

DRAIN3

4

6, 7

来源/ GND

在工作温度范围内的绝对最大额定值（除非另有说明）

漏极至源极电压，V

DS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V

栅极 - 源极电压，V

GS

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

20 V

连续漏电流，每个输出上，T所有输出

C

= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1

脉冲漏极电流，每路输出，T

C

= 25 ° C（见注1和图6） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5 A

单脉冲雪崩能量，T

C

= 25 ° C，E

AS

（参见图4和图16）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9兆焦耳

连续总功率耗散（或低于）T

C

= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.95 W

工作结温范围，T

J

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至150℃

工作温度范围内，T

C

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注1 ：脉冲持续时间= 10毫秒，占空比= 2 ％

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1995年，德州仪器

邮政信箱655303达拉斯，德克萨斯州75265

邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州

772511443

1

TPIC2302

3通道的公共源功率DMOS阵列

SLIS028B - 1994年4月 - 修订1995年9月

电特性，T

C

= 25 ℃（除非另有说明）

参数

V（ BR ） DSX

VGS （ TH）

VDS （上）

VF （ SD ）

漏极至源极击穿电压

栅极 - 源极阈值电压

漏极至源极导通状态电压

测试条件

ID = 250

A,

ID = 1毫安，

ID = 1 A，

见注2和3

IS = 1 ，

VGS = 0（ Z1，Z2， Z3） ，

见注2和3

VDS = 48 V ，

VGS = 0

VGS = 16 V ，

VSG = 16 V ，

VR = 48 V

VGS = 10V ，

ID = 1 A，

见注2和3

图6和图7

VDS = 10V ，

见注2和3

TC = 25°C

TC = 125°C

VDS = 0

VDS = 0

TC = 25°C

TC = 125°C

TC = 25°C

TC = 125°C

ID = 0.5 A ，

0.85

VGS = 0

VDS = VGS

VGS = 10V ，

民

60

1.5

1.85

0.4

2.2

0.475

典型值

最大

单位

V

V

V

前的导通状态的电压，源极 - 漏极

0.9

0.05

0.5

10

10

0.05

0.5

0.4

0.63

1.02

115

1.1

1

10

100

100

1

10

0.475

V

IDSS

IGSSF

IGSSR

ILKG

零栅极电压漏电流

正向栅电流，漏短路到源代码

反向栅极电流，漏短路到源代码

泄漏电流，漏极至GND

A

A

nA

nA

A

A

RDS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

0.7

S

145

75

40

pF

政府飞行服务队

西塞

科斯

CRSS

正向跨导

短路的输入电容，公共源极

短路输出电容，公共源极

短路反向传输电容，

常见的来源

VDS = 25 V ，

F = 1 MHz的

VGS = 0时，

60

30

注： 2.技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值） ，脉冲持续时间

≤

5毫秒。

3.这些参数测量电压感测触点分开的通电接点。

源 - 漏二极管特性，T

C

= 25°C

参数

TRR （ SD ）

QRR

反向恢复时间

共有二极管充电

测试条件

IS = 0.5 A ， VGS = 0 ，

的di / dt = 100 A / μs的，

VDS = 48 V ，

见图1

民

典型值

65

0.03

最大

单位

ns

C

2

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阻性负载开关特性，T

C

= 25°C

参数

TD （上）

TD （关闭）

tr2

tf2

Qg

QGS （日）

QGD

LD

LS

Rg

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

上升时间

下降时间

总栅极电荷

阈值的栅 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

内部排水电感

内部源极电感

内部栅极电阻

VDS = 48 V ，

见图3

ID = 0.5 A ，

VGS = 10V ，

VDD = 25 V ，

TF1 = 10纳秒，

RL = 50

,

见图2

TR1 = 10纳秒，

测试条件

民

典型值

21

20

5

13

3.1

0.4

1.3

5

5

0.25

nH

最大

42

40

10

26

3.8

0.5

1.6

nC

ns

单位

热阻

参数

R

θJA

R

θJP

结至环境热阻

结对引脚热阻

测试条件

与同等功率所有输出，

见注4

民

典型值

130

44

最大

单位

°C/

W

注4 ：包安装在一FR4印刷电路板没有散热片

参数测量信息

1.5

TJ = 25°C

1

I S - 源极到漏极二极管电流 - 一个

0.5

相反的di / dt = 100 A / μs的

0

IRM 25％

0.5

1

1.5

2

IRM

TRR （ SD ）

50

75

100 125 150

时间 - NS

175

200

225

250

2.5

0

25

IRM =最大恢复电流

图1.反向恢复电流源极到漏极二极管波形

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3

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参数测量信息

VDD = 25 V

tr1

VGS

VGS

DUT

RGEN

50

50

TD （上）

CL = 30 pF的

（见注一）

VDS

电压波形

测试电路

注一： CL包括探针和夹具电容。

tf2

0V

TD （关闭）

tr2

VDD

VDS （上）

tf1

10 V

RL

脉冲发生器

VDS

图2.电阻开关测试电路和电压波形

VDS

同一类型

作为DUT

0.3

F

VDD

DUT

VGS

栅极电压

时间

IG电流 -

取样电阻

测试电路

ID电流 -

取样电阻

QGS的Qg = - 的Qgd

电压波形

Qg

10 V

QGS （日）

QGD

当前

调节器

12-V

电池

0.2

F

50 k

0

IG = 1

A

图3.栅极电荷测试电路和电压波形

4

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参数测量信息

VDD = 25 V

tw

VGS

0V

ID

IAS

（见注B）

0V

50

VDS

V（ BR ） DSX = 60 V最小

TAV

15 V

420

H

脉冲发生器

（见注一）

50

RGEN

VDS

ID

VGS

DUT

0V

电压和电流波形

测试电路

雪崩时不JEDEC符号

注：A脉冲发生器具有以下特点：痕量

≤

10纳秒， TF

≤

10 NS， ZO = 50

.

B.输入脉冲宽度（ TW ）增加至峰值电流IAS = 5 A.

I

V

吨AV

AS

（ BR ） DSX

+

9毫焦，其中t的av

+

雪崩的时间。

能量检测水平定义为E

+

AS

2

图4.单脉冲雪崩能量测试电路和波形

典型特征

栅极 - 源极阈值电压

vs

结温

V GS （ TH） - 栅 - 源阈值电压 - V

2.5

静态漏 - 源极导通电阻

vs

结温

1

ID = 1

2

ID = 1毫安

R DS（ON ） - 静态漏 - 源

0.8

导通状态电阻 -

1.5

ID = 100

A

0.6

VGS = 10 V

0.4

VGS = 15 V

0.2

1

0.5

0

40 20

20 40 60 80 100 120 140 160

TJ - 结温 -

°C

0

0

40 20

0

20 40 60 80 100 120 140 160

TJ - 结温 -

°C

图5

图6

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邮政信箱1443休斯敦，得克萨斯州

772511443

5