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TPIC2202
2通道的公共源功率DMOS阵列
SLIS017 - 1992年9月
两个7.5 -A独立输出通道,
每个通道的连续电流
低R
DS ( ON)
. . . 0.09
典型
输出电压。 。 。 60 V
脉冲电流。 。 。 15每个通道
雪崩能量。 。 。 120兆焦耳
KC包装
( TOP VIEW )
5
4
3
2
1
DRAIN2
GATE2
来源
DRAIN1
GATE1
描述
该TPIC2202是一款单芯片功率DMOS阵列
它由两个独立的N沟道
增强型
DMOS
晶体管
连接在同一个共源极组态
露天水渠。
该选项卡电连接到源。
概要
DRAIN1
2
DRAIN2
5
1
GATE1
4
GATE2
3
来源
在工作温度范围内的绝对最大额定值(除非另有说明)
漏极 - 源极电压V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V
栅源电压,V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
20 V
连续的源极 - 漏极二极管的电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7.5 A
脉冲漏极电流,每路输出,所有输出,我
D
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15 A
连续漏电流,每个输出,所有输出上。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7.5 A
单脉冲雪崩能量E
AS
(参见图4) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120兆焦耳
连续功率耗散(或低于)T
A
= 25 ° C(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2 W
连续功率耗散(或低于)T
C
= 75 ° C,在所有输出(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31 W
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至150℃
工作温度范围内,T
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
注: 1,脉冲持续时间= 10毫秒,占空比= 6 %
2.操作25°C以上自由空气的温度,线性降额在16毫瓦/°C的速度。对于运行75°C以上温度的情况下,
并与所有的输出导通,降额直线为0.42瓦/ ℃的速率。为了避免超过设计最大虚拟结
温度,这些评级不应超过。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1992年,德州仪器
邮政信箱655303
邮政信箱1443
休斯敦,得克萨斯州77251-1443
达拉斯,德克萨斯州75265
21
TPIC2202
2通道的公共源功率DMOS阵列
SLIS017 - 1992年9月
电特性,T
C
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
V( BR ) DS
VTGS
VDS (上)
IDSS
IGSSF
IGSSR
RDS ( ON)
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
漏源击穿电压
门源阈值电压
漏源通态电压
零栅极电压漏电流
正向栅电流,漏短
短路源
反向栅极电流,漏短
短路源
静态漏源导通状态
阻力
正向跨导
短路输入电容
常见的来源
短路输出电容
常见的来源
短路反向传输
电容,共源
VDS = 25 V ,
VGS = 0时,
F = 300千赫
ID = 1的
A,
ID = 1毫安,
ID = 7.5 A,
VDS = 48 V ,
VGS = 20 V ,
VGS = - 20 V ,
测试条件
VGS = 0
VDS = VGS
VGS = 15 V ,
VGS = 0
VDS = 0
VDS = 0
TC = 25°C
TC = 125°C
2.5
见注释3和4
TC = 25°C
TC = 125°C
60
1.2
1.75
0.68
0.07
1.3
10
10
0.09
0.15
4.7
490
285
90
pF
2.4
0.94
1
10
100
100
0.125
0.21
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
nA
nA
S
VGS = 15 V ,
ID = 7.5 A,
见注3和4以及图5和图6
VDS = 15 V ,
ID = 5 A,
见注释3和4
注: 3,技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
4.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
源极 - 漏极二极管的特性,T
C
= 25°C
参数
VSD
TRR
QRR
正向电压上
反向恢复时间
共源极 - 漏极二极管充电
IS = 7.5 A,
VDS = 48 V ,
VGS = 0时,
见图1
的di / dt = 100 A / S,
A / μs的,
测试条件
典型值
0.8
200
1.5
最大
1.3
单位
V
ns
C
阻性负载开关特性,T
C
= 25
°
C
参数
TD (上)
TD (关闭)
tr
tf
Qg
QGS
QGD
LD
LS
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感
内部源极电感
VDD = 48 V ,
见图3
ID = 2.5 A ,
VGS = 10V ,
VDD = 25 V ,
TDIS = 10纳秒,
RL = 6.7
,
见图2
10 = 10纳秒,
测试条件
典型值
12
100
43
5
13.6
8.3
5.3
7
7
18
11
7
nH
nC
ns
最大
单位
热阻
参数
R
θJA
R
θJC
结至环境热阻
结到外壳热阻
测试条件
与同等功率输出的所有
与同等功率输出的所有
一个输出功率耗散
典型值
最大
62.5
2.4
3.3
单位
° C / W
° C / W
° C / W
22
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TPIC2202
2通道的公共源功率DMOS阵列
SLIS017 - 1992年9月
参数测量信息
7.5 A
的di / dt = 100 A / μs的
IS
0
IRM的25 %
QRR =阴影区
IRM
(见注一)
TRR
注一: IRM =最大恢复电流
图1.源极 - 漏极二极管的反向恢复电流波形
25 V
TEN
RL
VDS
脉冲发生器
VGS
DUT
RGEN
50
50
TD (上)
VDS
tf
电压波形
测试电路
10%
TD (关闭)
90%
VDD
VDS (上)
tr
VGS
90%
10%
90%
TDI发动机
15 V
0
图2.测试电路和电压波形,电阻开关
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TPIC2202
2通道的公共源功率DMOS阵列
SLIS017 - 1992年9月
参数测量信息
当前
调节器
12-V
电池
0.2
F
50 k
0.3
F
VDD = 48 V
IG = 1毫安
DUT
同一类型
作为DUT
10 V
QGD
VGS
栅极电压
时间
IG电流 -
取样电阻
测试电路
ID电流 -
取样电阻
QGS的Qg = - 的Qgd
波形
Qg
0
图3.栅极电荷测试电路和波形
25 V
tw
2.5 mH的
VGS
脉冲发生器
50
RGEN
50
VDS
VGS
DUT
ID
VDS
ID
TAV
15 V
0
IAS
(见注B)
0
V( BR ) DSX = 60 V最小
0
测试电路
电压和电流波形
注:A脉冲发生器具有以下特点:痕量
10纳秒, TF
10 NS, ZO = 50
.
B.输入脉冲宽度( TW )增加至峰值电流IAS = 7.5 A.
I
V
吨AV
AS
( BR ) DSX
能量检测水平定义为E
+
+
120兆焦耳分钟。
AS
2
图4.单脉冲雪崩能量测试电路和波形
24
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TPIC2202
2通道的公共源功率DMOS阵列
SLIS017 - 1992年9月
典型特征
静态漏源导通电阻
vs
外壳温度
0.30
ID = 7.5 A
0.25
r
- 静态漏源
DS ( ON)
导通状态电阻 -
VGS = 5V
0.20
VGS = 10 V
RDS(ON) - 静态漏源
导通状态电阻 -
静态漏源导通电阻
vs
漏电流
1
TC = 25°C
VGS = 5V
VGS = 10 V
VGS = 15 V
0.1
0.15
0.1
VGS = 15 V
0.05
VGS = 20 V
VGS = 20 V
0
50
0.01
25
0
25
50
75
100
125
0
3
TC - 外壳温度 -
°C
6
9
12
ID - 漏电流 - 一个
15
图5
分布
正向跨导
25
TC = 25°C
ID = 7.5 A
VDS = 15 V
I D - 漏电流 - 一个
15
图6
漏电流
vs
漏极至源极电压
VGS = 5V
VGS = 10 V
12
TC = 25°C
VGS = 4.5 V
20
单位百分比 - %
VGS = 24 V
9
VGS = 3.5 V
6
VGS = 3V
15
10
5
3
0
4.6
4.65
4.7
4.75
4.8
政府飞行服务队 - 正向跨导 - S
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
VDS - 漏极 - 源极电压 - V
50
图7
图8
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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