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TPIC1502
Quad和HEX功率DMOS阵列
SLIS054 - 1996年10月
D
D
D
D
低R
DS ( ON)
:
0.25
典型值( H桥)
0.4
典型值(三重半H桥)
脉冲电流。 。 。 4每通道
匹配检测晶体管的A类, B
线性操作
快换速度
DW包装
( TOP VIEW )
描述
该TPIC1502是一款单芯片功率DMOS阵列
它由10电隔离的N沟道
增强型功率DMOS晶体管
其中四个被配置为一个完整的H桥和
6作为一种三重半H桥。的下段
全H桥设置有一个集成的
感觉-FET ,允许在课堂上桥偏置
A-B运行。
OUTPUT3
来源
GND
GATE3B
GATE2B
GATE2C
OUTPUT2
GATE4B
GATE2A
GATE5B
V
DD2
来源
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
DD3
GND
GATE3A
GATE1B
SENSE
OUTPUT1
GATE4A
GATE1A
GATE5A
V
DD1
OUTPUT4
OUTPUT5
该TPIC1502提供一个24针宽体表面贴装( DW)封装,特点是操作
以上的情况下,温度范围 - 40 ° C至125°C 。
概要
VDD1
15
VDD2
11
VDD3
24
Q1A
17
GATE1A
19
OUTPUT1
Q1B
21
GATE1B
D1
D2
Q2A
9
GATE2A
7
OUTPUT2
Q2B
5
GATE2B
Q3A
22
GATE3A
1
OUTPUT3
Q3B
4
GATE3B
D3
Q4A
18
GATE4A
14
OUTPUT4
Q4B
8
GATE4B
Q5A
16
GATE5A
13
OUTPUT5
Q5B
10
GATE5B
SENSE
6
20
Q2C
2, 12
来源
GATE2C
6V
3, 23
GND
注意事项: A.端子3和23必须从外部连接。
B.端子2和12必须从外部连接。
C.禁止输出可以取大于0.5 V低于GND。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1996年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TPIC1502
Quad和HEX功率DMOS阵列
SLIS054 - 1996年10月
绝对最大额定值,T
C
= 25 ℃(除非另有说明)
供应到接地电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20 V
源到GND电压( Q3A , Q4A , Q5A ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20 V
输出至GND的电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20 V
感觉对GND电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20 V
栅 - 源电压范围,V
GS
( Q1A , Q1B , Q2A , Q2B , Q3A , Q3B , Q4A , Q4B , Q5A , Q5B ) 。 。 。 。 。
±
20 V
栅极 - 源极电压,V
GS
( Q2C ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.7 V至6 V
连续栅极 - 源极的齐纳二极管的电流( Q2C ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±10
mA
脉冲栅极 - 源极的齐纳二极管的电流( Q2C ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±50
mA
连续漏电流,每个输出( Q1A , Q1B , Q2A , Q2B ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 A
连续漏电流,每个输出( Q3A , Q3B , Q4A , Q4B , Q5A , Q5B ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 A
连续漏电流( Q2C ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
连续源 - 漏极二极管的电流( Q1A , Q1B , Q2A , Q2B ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 A
连续源 - 漏极二极管的电流( Q3A , Q3B , Q4A , Q4B , Q5A , Q5B ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 A
连续源 - 漏二极管电流( Q2C ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
脉冲漏极电流,每路输出,我
最大
( Q1A , Q1B , Q2A , Q2B ) (见注1和图24 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4将
脉冲漏极电流,每路输出,我
最大
( Q3A , Q3B , Q4A , Q4B , Q5A , Q5B )
(见注1和图25 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4将
脉冲漏极电流,每路输出,我
最大
( Q2C ) (见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
连续总功耗,T
C
= 70 ° C(见注2和图24和图25 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.86 W
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40℃ 150℃
工作温度范围内,T
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注: 1,脉冲持续时间= 10毫秒,占空比= 2 %
2.安装包与无限大的散热器亲密接触。
2
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TPIC1502
Quad和HEX功率DMOS阵列
SLIS054 - 1996年10月
电特性, Q1A , Q1B , Q2A , Q2B ,T
C
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
V( BR ) DSX
VGS ( TH)
VGS ( TH)比赛
V( BR )
V( BR ) GS
V( BR ) SG
V( DS )上
VF
VF ( SD )
IDSS
IGSSF
IGSSR
ILK
LKG
漏极至源极击穿电压
栅极 - 源极阈值电压
栅极 - 源极阈值电压的匹配
反向漏 - GND击穿电压
栅极至源极击穿电压, Q2C
源 - 栅击穿电压, Q2C
漏极至源极导通状态电压
正向通态电压, GND到VDD1 ,
GND-to-VDD2
前的导通状态的电压,源极 - 漏极
零栅极电压漏极电流
零栅极电压
正向栅电流,漏短路
反向栅极电流,漏电短路
漏电流, VDD1到GND ,
g
,
,
VDD2到GND ,栅极短路到源
测试条件
ID = 250
A,
ID = 1毫安,
参见图5
VGS = 0
VDS = VGS ,
20
1.5
1.85
2.2
40
20
6
0.7
VGS = 10V ,
0.375
1.5
0.93
0.05
0.5
10
10
0.05
0.5
0.25
0.38
0.75
1.2
98
VDS = 14 V ,
F = 1MHz时,
VGS = 0时,
见图17
70
54
VDS = 6 V ,
ID ( Q2B )= 1.5毫安
100
150
200
pF
1.2
1
10
100
100
1
10
0.3
0.51
S
0.45
典型值
最大
单位
V
V
mV
V
V
V
V
V
V
A
nA
nA
A
ID = 1毫安,
VDS = VGS
漏极至GND电流= 250
A
(D1, D2)
IGS = 100
A
IGS = 100
A
ID = 1.5 A ,
见注释3和4
ID = 1.5 A( D1 , D2 )
见注释3和4
IS = 1.5 A ,
VGS = 0时,
见注3和4以及图19中
VDS = 16 V ,
,
VGS = 0
VGS = 16 V ,
VSG = 16 V ,
VDGND = 16 V
VGS = 10V ,
ID = 1.5 A ,
,
见注释3和4
和图9
TC = 25°C
TC = 125°C
VDS = 0
VDS = 0
TC = 25°C
TC = 125°C
TC = 25°C
TC = 125°C
RDS ( )
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
漏源极导通状态
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
α
s
正向跨导
短路的输入电容,共同
来源
短路输出电容,共同
来源
短路反向传输电容,
常见的来源
感觉- FET的漏极电流比
VDS = 14 V ,
ID = 750 mA时,
见注3和4以及图13中
注: 3,技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
4.这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
源 - 漏二极管特性, Q1A , Q2A ,T
C
= 25°C
参数
TRR
QRR
反向恢复时间
共有二极管充电
测试条件
IS = 750 mA时,
VGS = 0时,
VDS = 14 V ,
V
的di / dt = 100 A / μs的
A / μs的,
参见图1和23
典型值
18
14
最大
单位
ns
nC
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3
TPIC1502
Quad和HEX功率DMOS阵列
SLIS054 - 1996年10月
阻性负载开关特性, Q1A , Q1B , Q2A , Q2B ,T
C
= 25°C
参数
TD (上)
TD (关闭)
tr
tf
Qg
QGS (日)
QGD
LD
LS
Rg
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
下降时间
总栅极电荷
阈值的栅 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感
内部源极电感
内部栅极电阻
VDS = 14 V ,
V
ID = 750 mA时,
A
参见图4和图21
VGS = 10V ,
V
VDD = 14 V ,
,
TDIS = 10纳秒,
RL = 18.7
,
,
见图3
10 = 10纳秒,
,
测试条件
典型值
12
13
2.2
6
1.7
0.3
0.4
7
7
0.25
2.1
0.4
0.5
nH
nC
ns
最大
单位
电气特性, Q3A , Q3B , Q4A , Q4B , Q5A , Q5B ,T
C
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
V( BR ) DSX
VGS ( TH)
V( BR )
V( DS )上
VF
VF ( SD )
IDSS
IGSSF
IGSSR
ILK
LKG
漏极至源极击穿电压
栅极 - 源极阈值电压
反向漏 - GND击穿电压
漏极至源极导通状态电压
正向通态电压, GND到VDD3
前的导通状态的电压,源极 - 漏极
零栅极电压漏极电流
零栅极电压
正向栅电流,漏短路
来源
反向栅极电流,漏电短路
来源
漏电流, VDD3至GND ,G
g
,
,门短路到
来源
测试条件
ID = 250
A,
ID = 1毫安,
参见图6
VGS = 0
VDS = VGS ,
20
1.5
20
0.6
1.5
1
0.05
0.5
10
10
0.05
0.5
0.4
1.2
1
10
100
100
1
10
0.5
TC = 125°C
0.4
0.61
0.74
73
VDS = 14 V ,
F = 1MHz时,
VGS = 0时,
见图18
65
43
pF
F
0.85
S
0.75
1.85
2.2
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
V
A
nA
nA
A
漏极至GND电流= 250
A
(D3)
ID = 1.5 A ,
VGS = 10V ,
见注释3和4
ID = 1.5 A( D3 ) ,
4
见注3
IS = 1.5 A ,
VGS = 0
见注3和4以及图20中
VDS = 16 V ,
,
VGS = 0
VGS = 16 V ,
VSG = 16 V ,
VDGND = 16 V
VGS = 10V ,
ID = 1.5 A ,
见注释3
与图4和
图10
TC = 25°C
TC = 125°C
VDS = 0
VDS = 0
TC = 25°C
TC = 125°C
TC = 25°C
RDS ( )
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
漏源极导通状态
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
正向跨导
短路的输入电容,公共源极
短路输出电容,公共源极
短路反向传输电容,
常见的来源
VDS = 14 V ,
ID = 750 mA时,
见注3和4以及图14中
注:3 :技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
4:这些参数测量与电压感测触点分开的通电接点。
4
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Quad和HEX功率DMOS阵列
SLIS054 - 1996年10月
源极到漏极二极管的特性, Q3A , Q4A , Q5A ,T
C
= 25°C
参数
TRR
QRR
反向恢复时间
共有二极管充电
测试条件
IS = 750 mA时,
VDS = 14 V
V,
参见图2和23
VGS = 0时,
的di / dt = 100 A / μs的
A / μs的,
典型值
26
17
最大
单位
ns
nC
阻性负载开关特性, Q3A , Q3B , Q4A , Q4B , Q5A , Q5B ,T
C
= 25°C
参数
TD (上)
TD (关闭)
tr
tf
Qg
QGS (日)
QGD
LD
LS
Rg
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
下降时间
总栅极电荷
阈值的栅 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感
内部源极电感
内部栅极电阻
VDS = 14 V ,
V
ID = 750 mA时,
A
参见图4和图22
VGS = 10V ,
V
VDD = 14 V ,
,
TDIS = 10纳秒,
RL = 18.7
,
,
见图3
10 = 10纳秒,
,
测试条件
典型值
13
13
3
7
1
0.2
0.2
7
7
0.25
1.3
0.25
0.25
nH
nC
ns
最大
单位
热阻
参数
R
θJA
R
θJB
R
θJP
结至环境热阻
结至电路板的热阻
结对引脚热阻
包安装在FR4印刷电路板没有散热片。
包安装在24平方英寸, 4层FR4印刷电路板。
包安装在了无限的散热器亲密接触。
与同等功率输出的所有
测试条件
见注5和8
见注6和8
见注7和8
典型值
90
52
28
° C / W
最大
单位
注: 5 。
6.
7.
8.
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5
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