特征
TPI
1
特征
表1中。
符号
I
PP
I
TSM
T
英镑
T
j
T
L
绝对额定值（T
AMB
= 25 °C)
参数
峰值脉冲电流（见注
(1)
价值
10/1000 s
5/310 s
2/10 s
t
p
= 10毫秒
T = 1秒
30
40
90
8
3.5
- 55 150
150
260
单位
A
)
不重复浪涌峰值通态电流（ F = 50赫兹）
存储温度范围
最高结温
在10 s最大无铅焊接温度的。
A
°C
°C
1.见
网络连接gure 3 。
表2中。
符号
R
号（j -a）的
热阻
参数
结到环境
价值
170
单位
° C / W
表3中。
符号
V
RM
V
BR
V
BO
I
RM
I
PP
I
BO
I
H
V
F
C
电气特性（T
AMB
= 25 °C)
参数
对峙电压
击穿电压
击穿电压
漏电流
峰值脉冲电流
导通电流
保持电流
正向电压降
电容
I
RM
@ V
RM
V
BR
@ I
R
分钟。
V
70
105
V
80
120
mA
1
1
V
BO
马克斯。
记
(1)
V
110
160
V
BO
达因。
典型值。
记
(2)
V
120
170
I
BO
马克斯。
记
(1)
mA
800
800
I
H
分钟。
记
(3)
mA
150
150
订货编号
马克斯。
A
TPI8011N
TPI12011N
10
10
1.请参阅参考测试电路1 （图
5.)
根据CCITT 1.5 kV时，提示或环和地面之间的10/700微秒2.浪涌测试
3.请参见功能的维持电流测试电路2
（图
6.)
图2中。
2/9
特征
图5中。
参考测试电路1
TP = 20毫秒
AUTO
变压器
220伏/ 2A
R1
STATIC
接力
140
Ω
R2
240
Ω
K
220 V
TPI
VOUT
IBO ， IH
措施
D.U.T.
VBO
措施
变压器
220 V / 800 V
2A
测试程序
脉冲测试持续时间（ TP = 20毫秒） ：
●
对于双向器件=开关K闭合
●
对于单向设备=开关K是开放的
V
OUT
选择：
●
器件采用V
BO
< 200 V
V
OUT
= 250 V
RMS
, R1 = 140
Ω
●
器件采用V
BO
＆ GT ; 200 V
V
OUT
= 480 V
RMS
, R2 = 240
Ω
图6 。
功能HOLDING电流（I
H
）测试电路2
R
D.U.T.
V
BAT
= - 48 V
浪涌发生器
- V
P
这是一个GO - NOGO测试，其允许确认的保持电流（I
H
在一个）水平
功能测试电路。
测试程序
1 /由短路DUT的AK调整目前的水平在IH值
2 /火的D.U.T.有浪涌电流
I
PP
10 A ， 10/1000微秒。
3 / D.U.T.会回来的关断状态毫秒内最多50个。
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TPI
应用信息
2
应用信息
图7 。
应用电路 - U接口保护
A
R或PTC
TPIxx
GND
B
R或PTC
网络连接gure 8 。
应用电路 - S接口保护
A
R或PTC
TPIxx
GND
R或PTC
B
A
R或PTC
TPIxx
GND
R或PTC
B
此组件使用造成对称的特性具有良好的intemal结构
平衡的行为。其拓扑结构可以确保相同的击穿电压等级为正，
负浪涌在差动和共模。
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TPI8011N
TPI12011N
三极保护
对于ISDN INTERFACES
专用分立器件
A.S.D.
特点
双向TRIPLE CROWBAR
保护。
峰值脉冲电流：
I
PP
= 30 A , 10/1000
s.
击穿电压：
TPI80xxN ： 80V
TPI120xxN ： 120V 。
适用车型SO8封装。
低动态击穿电压：
TPI80N ： 150V
TPI120 ： 200V
描述
对于ISDN接口和高的专用设备
高速数据通信线路保护。相当于
三TRISIL低电容。
这些器件提供：
-
从线低电容到地，使
没有信号的高速传输
衰减。
-
在线路之间的良好平衡电容
命令以确保纵向平衡。
-
在固定的击穿电压一般和
差分模式。
-
在两个相同的浪涌电流能力
共模和差模。
-
一个特别注意了对
内部引线接合。在“ 4点”配置
确保了可靠的保障，免除
过电压由寄生引入
布线（ Ldi上/ dt的） ，尤其是对电感
特快速暂态过电压。
COMPLIESWITHTHE FOLLOWINGSTANDARDS ：
CCITT K17 - K20
VDE 0433
VDE 0878
CNET
10/700
s
5/310
s
10/700
s
5/310
s
1.2/50
s
1/20
s
0.5/700
s
0.2/310
s
1.5
38
2
50
1.5
40
1.5
38
kV
A
kV
A
kV
A
kV
A
SO 8
原理图
TIP
GND
GND
环
1
2
3
4
8
7
6
5
TIP
GND
GND
环
TM ： ASD是SGS - THOMSON微电子公司的商标。
1999年11月版： 3A
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TPI8011N/TPI12011N
ELECTRICALCHARACTERISTICS
(
TAMB
= 25°C)
符号
V
RM
I
RM
V
BR
V
BO
I
H
I
BO
I
PP
V
F
C
参数
待机offvoltage
漏电流
击穿电压
击穿电压
保持电流
导通电流
峰值脉冲电流
正向电压降
电容
I
RM
@ V
RM
类型
马克斯。
A
TPI8011N
TPI12011N
10
10
V
70
105
V
BR
@ I
R
分钟。
V
80
120
mA
1
1
V
BO
马克斯。
note1
V
120
180
VBO
达因。
典型值。
note2
V
150
200
I
BO
马克斯。
note1
mA
800
800
I
H
分钟。
note3
mA
150
150
注1 ：
请参见参考测试电路1 。
注2 ：
根据CCITT 1.5KV浪涌测试， 700分之10
s
与提示或环和地面。
注3 ：
请参阅功能保持电流测试电路2 。
电容特性
线路一
线路一
CA
TPIxx
CB
B线
B线
CON组fi guration
V
A
=1V
V
B
=56V
V
A
= 56V
V
B
= 1V
C
A
（PF ）
最大
70
50
C
B
（PF ）
最大
50
70
C
A
- C
B
（PF ）
最大
30
30
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TPI8011N/TPI12011N
参考测试电路1 ：
测试步骤：
脉冲测试持续时间（ TP = 20毫秒） ：
- 对于双向器件=开关K闭合
- 单向设备=开关K断开。
V
OUT
选择
- 设备与V
BO
＆ LT ;
200伏
- V
OUT
= 250 V
RMS
, R
1
= 140
.
- 设备与V
BO
≥
200伏
- V
OUT
= 480 V
RMS
, R
2
= 240
.
功能HOLDING电流（I
H
）测试电路2 ：
R
D.U.T.
V
BAT
= - 48 V
浪涌发生器
- V
P
这是一个GO - NOGO测试，其允许确认的保持电流（I
H
在一个功能性）水平
测试电路。
测试步骤：
1）调整所述电流电平在我
H
值由短路的D.U.T.的AK
2 ）消防用浪涌电流DUT ：伊普= 10A ， 10/1000
s.
3） DUT会回来的关断状态在50毫秒内最大。
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TPI8011N/TPI12011N
图。 1 ：
Surgepeakcurrent与过载时间。
I
TSM
(A)
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1E-2
1E-1
1E+0
F = 50H
TJ初始= 25°C
T（ S）
1E+1
1E+2
1E+3
应用笔记。
1）连接销2，3， 6和7至地面或 -
德，以保证良好的浪涌电流capabil-
性的，持续时间长的干扰。
2）为了充分advantageof的“四点”
在TPIxxxN ，提示和环结构
线必须穿过该装置。在这种情况下，该
设备将消除overvoltagesgener-
由寄生inductancesof布线ated
（的Ldi / dt的） ，特别是对于非常快速的瞬态。
TIP
1
2
IN
OUT
8
7
TIP
GND
3
环
4
IN
OUT
GND
6
5
环
4-点结构布局设计。
应用电路：
1 - U接口保护
2 - s接口保护
A
A
R 0 PTC
GND
R 0 PTC
R 0 PTC
T P上九十
B
T P上九十
GND
A
T P上九十
B
R 0 PTC
R 0 PTC
GND
B
R 0 PTC
此组件使用造成对称的特性具有良好平衡的intemal结构
行为。其拓扑结构可以确保相同的击穿电压电平为正的和负的浪涌
差分和共模。
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