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TPD4E004
4通道ESD保护阵列
对于高速数据接口
SLVS729A - 2008年2月 - 修订2008年2月
1
特点
应用
USB
ETHERNET
火线
视频
手机
SVGA视频连接
血糖仪
ESD保护超过JESD
- ± 15 kV的人体模型（ HBM ）
- ± 8千伏IEC 61000-4-2接触放电
- ± 12 kV的IEC 61000-4-2气隙放电
低1.6 pF的输入电容
0.9 V至5.5 V的电源电压范围
4通道器件
节省空间的SON （ DRY ）套餐
2
干包装
（ TOP VIEW ）
IO1
IO2
1
2
3
6
V
CC
IO4
5
4
GND
IO3
描述/订购信息
该TPD4E004是低电容± 15 kV的ESD保护二极管阵列设计用于保护敏感的电子
附连到通信线路。每个通道都包含一对二极管，可以引导ESD电流脉冲的V
CC
或GND 。该TPD4E004可防止ESD脉冲高达± 15 kV的人体模型（ HBM ） ， ± 8 kV接触
放电和± 12千伏气隙放电，如IEC 61000-4-2规定。该器件具有1.6 pF的电容
每个通道，因此非常适合于高速数据IO接口的使用。
该TPD4E004是专为USB ，以太网和其它高速应用的四ESD结构。
该TPD4E004是在干燥的封装，规定工作在-40 ° C至85°C操作。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
包
(1) (2)
SON - 干
(1.0 mm
×
1.45 mm,
节距= 0.5毫米，高度= 0.55mm）上
5000卷
订购型号
TPD4E004DRYR
顶部端标记
2P
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
2008 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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V
CC
IO1
IO2
IO3
IO4
GND
引脚说明
终奌站
名字
GND
IOx扩展
V
CC
号
3
6
地
电源输入
描述
1,2,4,5 ESD保护通道
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
IO
T
英镑
T
J
电源电压范围
输入/输出电压范围
存储温度范围
结温
凹凸温度（焊接）
焊接温度（焊接， 10秒）
(1)
红外（ 15秒）
气相（ 60秒）
–0.3
–0.3
–65
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
150
150
220
215
300
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，和功能在这些或超出中的业务部门所标明的任何其他条件的设备的操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
2
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电气特性
V
CC
= 0.9 V至5.5 V ，T
A
= T
民
给T
最大
（除非另有说明）
参数
V
CC
I
CC
V
F
I
I
V
BR
C
I / O
(1)
电源电压
电源电流
二极管的正向电压
道泄漏电流
击穿电压
通道输入电容
I
I
= 10
A
V
CC
= 5 V ，V的偏置
CC
/ 2 ， F = 10 MHz的
6
1.6
I
F
= 1毫安
0.8
±1
8
2
测试条件
民
0.9
典型值
(1)
最大
5.5
500
单位
V
nA
V
nA
V
pF
典型值是在V
CC
= 5 V和T
A
= 25°C.
ESD保护
参数
HBM
IEC 61000-4-2接触放电
IEC 61000-4-2气隙放电
典型值
±15
±8
±12
单位
kV
kV
kV
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对于高速数据接口
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典型工作特性
160
140
120
70
60
50
IO电流（mA ）
漏电流（PA ）
1.15
1.25
1.35
IO电压（V ）
1.45
1.55
100
80
60
40
20
0
1.05
40
30
20
10
0
–40
25
55
85
温度（℃）
图1.正向二极管电压（上钳位二极管）
(V
CC
= 0 V ，在整个IO引脚的直流扫描）
16.0
14.0
图2.漏电流与温度（V
IO
= 2.5 V)
5.0
4.0
12.0
10.0
IO电流（ μA ）
IO的电容（pF）
3.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
2.0
1.0
0.0
1
2
3
IO电压（V ）
4
5
IO电压（V ）
图3.反向二极管曲线电流Io到GND
(V
CC
=开）
图4. IO电容与输入电压
(V
CC
= 5 V)
4
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典型工作特性（续）
120
100
80
振幅（ V）
60
40
20
0
–20
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
时间（纳秒）
图5. IEC ESD波形钳位+ 8 - kV接触
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1
特点
应用
USB
ETHERNET
火线
视频
手机
SVGA视频连接
血糖仪
ESD保护超过JESD
- ± 15 kV的人体模型（ HBM ）
- ± 8千伏IEC 61000-4-2接触放电
- ± 12 kV的IEC 61000-4-2气隙放电
低1.6 pF的输入电容
0.9 V至5.5 V的电源电压范围
4通道器件
节省空间的SON （ DRY ）套餐
2
干包装
（ TOP VIEW ）
IO1
IO2
1
2
3
6
V
CC
IO4
5
4
GND
IO3
描述/订购信息
该TPD4E004是低电容± 15 kV的ESD保护二极管阵列设计用于保护敏感的电子
附连到通信线路。每个通道都包含一对二极管，可以引导ESD电流脉冲的V
CC
或GND 。该TPD4E004可防止ESD脉冲高达± 15 kV的人体模型（ HBM ） ， ± 8 kV接触
放电和± 12千伏气隙放电，如IEC 61000-4-2规定。该器件具有1.6 pF的电容
每个通道，因此非常适合于高速数据IO接口的使用。
该TPD4E004是专为USB ，以太网和其它高速应用的四ESD结构。
该TPD4E004是在干燥的封装，规定工作在-40 ° C至85°C操作。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
包
(1) (2)
SON - 干
(1.0 mm
×
1.45 mm,
节距= 0.5毫米，高度= 0.55mm）上
5000卷
订购型号
TPD4E004DRYR
顶部端标记
2P
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
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德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
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仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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V
CC
IO1
IO2
IO3
IO4
GND
引脚说明
终奌站
名字
GND
IOx扩展
V
CC
号
3
6
地
电源输入
描述
1,2,4,5 ESD保护通道
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
IO
T
英镑
T
J
电源电压范围
输入/输出电压范围
存储温度范围
结温
凹凸温度（焊接）
焊接温度（焊接， 10秒）
(1)
红外（ 15秒）
气相（ 60秒）
–0.3
–0.3
–65
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
150
150
220
215
300
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，和功能在这些或超出中的业务部门所标明的任何其他条件的设备的操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
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电气特性
V
CC
= 0.9 V至5.5 V ，T
A
= T
民
给T
最大
（除非另有说明）
参数
V
CC
I
CC
V
F
I
I
V
BR
C
I / O
(1)
电源电压
电源电流
二极管的正向电压
道泄漏电流
击穿电压
通道输入电容
I
I
= 10
A
V
CC
= 5 V ，V的偏置
CC
/ 2 ， F = 10 MHz的
6
1.6
I
F
= 1毫安
0.8
±1
8
2
测试条件
民
0.9
典型值
(1)
最大
5.5
500
单位
V
nA
V
nA
V
pF
典型值是在V
CC
= 5 V和T
A
= 25°C.
ESD保护
参数
HBM
IEC 61000-4-2接触放电
IEC 61000-4-2气隙放电
典型值
±15
±8
±12
单位
kV
kV
kV
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典型工作特性
160
140
120
70
60
50
IO电流（mA ）
漏电流（PA ）
1.15
1.25
1.35
IO电压（V ）
1.45
1.55
100
80
60
40
20
0
1.05
40
30
20
10
0
–40
25
55
85
温度（℃）
图1.正向二极管电压（上钳位二极管）
(V
CC
= 0 V ，在整个IO引脚的直流扫描）
16.0
14.0
图2.漏电流与温度（V
IO
= 2.5 V)
5.0
4.0
12.0
10.0
IO电流（ μA ）
IO的电容（pF）
3.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
2.0
1.0
0.0
1
2
3
IO电压（V ）
4
5
IO电压（V ）
图3.反向二极管曲线电流Io到GND
(V
CC
=开）
图4. IO电容与输入电压
(V
CC
= 5 V)
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典型工作特性（续）
120
100
80
振幅（ V）
60
40
20
0
–20
0
5
10
15
20
25
30
35
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应用
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手机
SVGA视频连接
血糖仪
ESD保护超过JESD
- ± 15 kV的人体模型（ HBM ）
- ± 8千伏IEC 61000-4-2接触放电
- ± 12 kV的IEC 61000-4-2气隙放电
低1.6 pF的输入电容
0.9 V至5.5 V的电源电压范围
4通道器件
节省空间的SON （ DRY ）套餐
2
干包装
（ TOP VIEW ）
IO1
IO2
1
2
3
6
V
CC
IO4
5
4
GND
IO3
描述/订购信息
该TPD4E004是低电容± 15 kV的ESD保护二极管阵列设计用于保护敏感的电子
附连到通信线路。每个通道都包含一对二极管，可以引导ESD电流脉冲的V
CC
或GND 。该TPD4E004可防止ESD脉冲高达± 15 kV的人体模型（ HBM ） ， ± 8 kV接触
放电和± 12千伏气隙放电，如IEC 61000-4-2规定。该器件具有1.6 pF的电容
每个通道，因此非常适合于高速数据IO接口的使用。
该TPD4E004是专为USB ，以太网和其它高速应用的四ESD结构。
该TPD4E004是在干燥的封装，规定工作在-40 ° C至85°C操作。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
包
(1) (2)
SON - 干
(1.0 mm
×
1.45 mm,
节距= 0.5毫米，高度= 0.55mm）上
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包装图纸，热数据和符号可在
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对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
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请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
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仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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IO1
IO2
IO3
IO4
GND
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名字
GND
IOx扩展
V
CC
号
3
6
地
电源输入
描述
1,2,4,5 ESD保护通道
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
IO
T
英镑
T
J
电源电压范围
输入/输出电压范围
存储温度范围
结温
凹凸温度（焊接）
焊接温度（焊接， 10秒）
(1)
红外（ 15秒）
气相（ 60秒）
–0.3
–0.3
–65
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
150
150
220
215
300
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
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电气特性
V
CC
= 0.9 V至5.5 V ，T
A
= T
民
给T
最大
（除非另有说明）
参数
V
CC
I
CC
V
F
I
I
V
BR
C
I / O
(1)
电源电压
电源电流
二极管的正向电压
道泄漏电流
击穿电压
通道输入电容
I
I
= 10
A
V
CC
= 5 V ，V的偏置
CC
/ 2 ， F = 10 MHz的
6
1.6
I
F
= 1毫安
0.8
±1
8
2
测试条件
民
0.9
典型值
(1)
最大
5.5
500
单位
V
nA
V
nA
V
pF
典型值是在V
CC
= 5 V和T
A
= 25°C.
ESD保护
参数
HBM
IEC 61000-4-2接触放电
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IO电流（mA ）
漏电流（PA ）
1.15
1.25
1.35
IO电压（V ）
1.45
1.55
100
80
60
40
20
0
1.05
40
30
20
10
0
–40
25
55
85
温度（℃）
图1.正向二极管电压（上钳位二极管）
(V
CC
= 0 V ，在整个IO引脚的直流扫描）
16.0
14.0
图2.漏电流与温度（V
IO
= 2.5 V)
5.0
4.0
12.0
10.0
IO电流（ μA ）
IO的电容（pF）
3.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
2.0
1.0
0.0
1
2
3
IO电压（V ）
4
5
IO电压（V ）
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振幅（ V）
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40
20
0
–20
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5
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15
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