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TPD4E001
低电容4通道± 15 kV ESD保护阵列
对于高速数据接口
SLLS682C - 2006年7月 - 修订2007年4月
1
特点
应用
USB 2.0
ETHERNET
火线
视频
手机
SVGA视频连接
血糖仪
ESD保护超过
- ± 15 kV的人体模型（ HBM ）
- ± 8千伏IEC 61000-4-2接触放电
- ± 15 kV的IEC 61000-4-2气隙放电
低1.5 pF的输入电容
最低1 -NA （最大）漏电流
最低1 -NA电源电流
0.9 V至5.5 V电源电压范围
四通道器件
节省空间的DRL和QFN封装选项
替代2-， 3-， 6声道选项可用：
TPD2E001 ， TPD3E001和TPD6E001
2
描述/订购信息
该TPD4E001是低电容± 15 kV的ESD保护二极管阵列设计用于保护敏感的电子
附连到通信线路。每个通道都包含一对二极管，可以将ESD电流脉冲的V
CC
或GND 。该TPD4E001可防止ESD脉冲高达± 15 kV的人体模型（ HBM ） ， ± 8 kV接触
放电和± 15 kV的气隙放电，如IEC 61000-4-2规定。该器件具有1.5 pF的电容
每个通道，因此非常适合于高速数据IO接口的使用。
该TPD4E001是专为以太网和FireWire 应用四ESD结构。
该TPD4E001是DRL和薄型QFN封装，规定工作在-40 ° C至85°C操作。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
3
×
3 QFN
包
(1)
1.6
×
1.6 DRL
4000卷
1000卷
订购型号
TPD4E001DRLR
TPD4E001DRSR
顶部端标记
2CR
ZWM
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
QFN封装
（ TOP VIEW ）
DRL包装
（ TOP VIEW ）
IO1
IO1
IO2
GND
1
2
3
6
5
4
1
2
6
5
V
CC
IO4
IO3
IO2
GND
GND
3
4
V
CC
IO4
IO3
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
FireWire是苹果电脑公司的商标。
2006-2007 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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低电容4通道± 15 kV ESD保护阵列
对于高速数据接口
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功能框图
V
CC
IO1
IO2
IO3
IO4
GND
引脚说明
QFN / DRL NO 。
1, 2, 4, 5
3
6
EP
名字
IOx扩展
GND
V
CC
EP
ESD保护通道
地
电源输入。绕道V
CC
至GND 0.1μF的陶瓷电容。
裸露焊盘。连接到GND 。
功能
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I / O
T
英镑
T
J
存储温度范围
结温
凹凸温度（焊接）
焊接温度（焊接， 10秒）
(1)
红外（ 15秒）
气相（ 60秒）
–0.3
–0.3
–65
最大
7
V
CC
+ 0.3
150
150
220
215
300
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，和功能在这些或超出中的业务部门所标明的任何其他条件的设备的操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
2
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低电容4通道± 15 kV ESD保护阵列
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电气特性
V
CC
= 5 V± 10 ％ ，T
A
= -40 ℃至85 ℃（除非另有说明）
参数
V
CC
I
CC
V
F
V
BR
电源电压
电源电流
二极管的正向电压
击穿电压
I
F
= 10毫安
I
BR
= 10毫安
T
A
= 25 ° C， ± 15 kV的HBM ，
I
F
= 10 A
V
C
通道钳位电压
(2)
测试条件
民
0.9
典型值
(1)
1
最大
5.5
100
0.95
V
CC
+ 25
–25
V
CC
+ 60
–60
V
CC
+ 100
–100
±1
单位
V
nA
V
V
0.65
11
积极瞬变
负瞬态
积极瞬变
负瞬态
积极瞬变
负瞬态
T
A
= 25°C,
± 8 kV接触放电
（ IEC 61000-4-2 ） ，我
F
= 24 A
T
A
= 25°C,
± 15 kV空气隙放电
（ IEC 61000-4-2 ） ，我
F
= 45 A
V
I
I / O
C
I / O
(1)
(2)
道泄漏电流
通道输入电容
V
I / O
= GND到V
CC
V
CC
= 5 V ，V的偏置
CC
/2
1.5
nA
pF
典型值是在V
CC
= 5 V和T
A
= 25°C.
通道钳位电压不生产测试
ESD保护
参数
HBM
IEC 61000-4-2接触放电
IEC 61000-4-2气隙放电
典型值
±15
±8
±15
单位
kV
kV
kV
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典型工作特性
IO电容
vs
IO电压
(V
CC
= 5.0 V)
2.20
2.00
IO的电容（pF）
1.80
1.60
1.40
1.20
1.00
0.00
1.00
2.00
2.50
3.00
4.00
5.00
IO电压（V ）
1000
IO漏电流
vs
温度
(V
CC
= 5.5 V)
IO漏电流（PA ）
100
10
1
–40
25
45
温度（℃）
65
85
4
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对于高速数据接口
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应用信息
V
公共汽车
0.1 F
V
CC
R
T
IO4
USB
调节器
IO3
D1
IO2
V
公共汽车
D+
GND
D–
GND
IO1
D+
D–
GND
详细说明
当放置在连接器附近时， TPD4E001 ESD解决方案提供了在正常很少或没有信号失真
操作由于低IO电容和超低漏电流规格。该TPD4E001保证
核心电路进行保护，并且系统中的ESD冲击的情况下正常运行。为了正确
操作时，下面的布局/设计原则应遵循：
1.将TPD4E001溶液靠近连接器。这使得TPD4E001带走的能量
与ESD冲击相关联的才达到主板的内部电路。
2.将一个0.1 μF的电容非常接近V
CC
引脚。这限制了任何瞬间浪涌电压的IO引脚
在ESD冲击的事件。
3.确保有足够的金属的V
CC
和GND循环。在正常操作中， TPD4E001
消耗nA的漏电流。但在ESD事件中，V
CC
和GND可能会看到15 A到
电流30 A ，取决于ESD级别。足够的电流路径使所有的能量安全放电
与ESD冲击有关。
4.保留未使用的IO引脚悬空。
5. V
CC
销可连接两种不同的方法：
一。如果在V
CC
销被连接到所述系统供电， TPD4E001可以作为一个瞬变抑制器
对于上述V的任何信号摆幅
CC
+ V
F
。一个0.1 μF的电容装置V
CC
引脚被推荐用于ESD
绕行。
B 。如果在V
CC
针没有连接到系统的电源， TPD4E001可以容忍更高的信号
摆动范围为高达10V。请注意，一个0.1μF的电容仍建议在V
CC
引脚
ESD绕行。
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低电容4通道
±15-kV
ESD保护阵列
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特点
ESD保护超过
–
±15-kV
人体模型（ HBM ）
–
±8-kV
IEC 61000-4-2接触放电
–
±15-kV
IEC 61000-4-2气隙放电
低1.5 pF的输入电容
最低1 -NA （最大）漏电流
最低1 -NA电源电流
0.9 V至5.5 V电源电压范围
四通道器件
节省空间的DRL和QFN封装选项
替代2-， 3-， 6声道选项可用：
TPD2E001 ， TPD3E001和TPD6E001
应用
USB 2.0
ETHERNET
火线
视频
手机
SVGA视频连接
血糖仪
描述/订购信息
该TPD4E001是一种低电容
±15-kV
ESD保护二极管阵列设计用于保护敏感
电子附着到通信线路。每个通道都包含一对二极管，可以将ESD电流
脉冲V
CC
或GND 。该TPD4E001可防止ESD脉冲高达
±15-kV
人体模型（ HBM ） ，
±8-kV
接触放电和
±15-kV
气隙放电，如IEC 61000-4-2规定。此装置有一个
每通道1.5 pF的电容，因此非常适合于高速数据IO接口的使用。
该TPD4E001是专为以太网和FireWire 应用四ESD结构。
该TPD4E001是DRL和薄型QFN封装，规定工作在-40 ° C至85°C操作。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
3
×
3 QFN
包
(1)
1.6
×
1.6 DRL
4000卷
1000卷
订购型号
TPD4E001DRLR
TPD4E001DRSR
顶部端标记
2CR
ZWM
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
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QFN封装
（ TOP VIEW ）
DRL包装
（ TOP VIEW ）
IO1
IO1
IO2
GND
1
2
3
6
5
4
1
2
6
5
V
CC
IO4
IO3
IO2
GND
GND
3
4
V
CC
IO4
IO3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
FireWire是苹果电脑公司的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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低电容4通道
±15-kV
ESD保护阵列
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功能框图
V
CC
IO1
IO2
IO3
IO4
GND
引脚说明
QFN / DRL NO 。
1, 2, 4, 5
3
6
EP
名字
IOx扩展
GND
V
CC
EP
ESD保护通道
地
电源输入。绕道V
CC
至GND 0.1μF的陶瓷电容。
裸露焊盘。连接到GND 。
功能
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I / O
T
英镑
T
J
存储温度范围
结温
凹凸温度（焊接）
焊接温度（焊接， 10秒）
(1)
红外（ 15秒）
气相（ 60秒）
–0.3
–0.3
–65
最大
7
V
CC
+ 0.3
150
150
220
215
300
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，和功能在这些或超出中的业务部门所标明的任何其他条件的设备的操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
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低电容4通道
±15-kV
ESD保护阵列
对于高速数据接口
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电气特性
V
CC
= 5 V
±
10%, T
A
= -40 ℃至85 ℃（除非另有说明）
参数
V
CC
I
CC
V
F
V
BR
电源电压
电源电流
二极管的正向电压
击穿电压
I
F
= 10毫安
I
BR
= 10毫安
T
A
= 25°C,
±15-kV
HBM ，
I
F
= 10 A
V
C
频道钳
电压
(2)
T
A
= 25°C,
±8-kV
接触放电
（ IEC 61000-4-2 ） ，我
F
= 24 A
T
A
= 25°C,
±15-kV
气隙放电
（ IEC 61000-4-2 ） ，我
F
= 45 A
I
I / O
C
I / O
(1)
(2)
道泄漏电流
通道输入电容
V
I / O
= GND到V
CC
V
CC
= 5 V ，V的偏置
CC
/2
1.5
积极瞬变
负瞬态
积极瞬变
负瞬态
积极瞬变
负瞬态
0.65
11
V
CC
+ 25
–25
V
CC
+ 60
–60
V
CC
+ 100
–100
±1
nA
pF
V
测试条件
民
0.9
1
典型值
(1)
最大
5.5
100
0.95
单位
V
nA
V
V
典型值是在V
CC
= 5 V和T
A
= 25°C.
通道钳位电压不生产测试
ESD保护
参数
HBM
IEC 61000-4-2接触放电
IEC 61000-4-2气隙放电
典型值
±15
±8
±15
单位
kV
kV
kV
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低电容4通道
±15-kV
ESD保护阵列
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典型工作特性
IO电容
vs
IO电压
(V
CC
= 5.0 V)
2.20
2.00
IO的电容（pF）
1.80
1.60
1.40
1.20
1.00
0.00
1.00
2.00
2.50
3.00
4.00
5.00
IO电压（V ）
1000
IO漏电流
vs
温度
(V
CC
= 5.5 V)
IO漏电流（PA ）
100
10
1
–40
25
45
温度（℃）
65
85
4
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低电容4通道
±15-kV
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应用信息
V
公共汽车
0.1 F
V
CC
R
T
IO4
USB
调节器
IO3
D1
IO2
V
公共汽车
D+
GND
D–
GND
IO1
D+
D–
GND
详细说明
当放置在连接器附近时， TPD4E001 ESD解决方案提供了在正常很少或没有信号失真
操作由于低IO电容和超低漏电流规格。该TPD4E001保证
核心电路进行保护，并且系统中的ESD冲击的情况下正常运行。为了正确
操作时，下面的布局/设计原则应遵循：
1.将TPD4E001溶液靠近连接器。这使得TPD4E001带走的能量
与ESD冲击相关联的才达到主板的内部电路。
2.将一个0.1 μF的电容非常接近V
CC
引脚。这限制了任何瞬间浪涌电压的IO引脚
在ESD冲击的事件。
3.确保有足够的金属的V
CC
和GND循环。在正常操作期间，该
TPD4E001消耗nA的漏电流。但在ESD事件中，V
CC
和GND可能会看到15 A到
电流30 A ，取决于ESD级别。足够的电流路径使所有的安全放电
与ESD冲击相关的能源。
4.保留未使用的IO引脚悬空。
5. V
CC
销可连接两种不同的方法：
一。如果在V
CC
销被连接到所述系统供电， TPD4E001可以作为一个瞬变抑制器
对于上述V的任何信号摆幅
CC
+ V
F
。一个0.1 μF的电容装置V
CC
引脚被推荐用于ESD
绕行。
B 。如果在V
CC
针没有连接到系统的电源， TPD4E001可以容忍更高的信号
摆动范围为高达10V。请注意，一个0.1μF的电容仍建议在V
CC
引脚
ESD绕行。
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–
2006年7月
–
经修订的2011年5月
1.5 pF的电容IO四通道ESD保护阵列
检查样品：
TPD4E001
1
特点
4通道ESD钳位阵列提升
系统级ESD保护
超过IEC61000-4-2 （ 4级）ESD
保护要求
- ± 8千伏
IEC 61000-4-2接触放电
- ± 15千伏
IEC 61000-4-2气隙放电
±15-kV
人体模型（ HBM ）
5.5 A峰值脉冲电流（ 8月20日，美国PULSE）
低1.5 pF的输入电容
最低1 -NA （最大）漏电流
0.9 V至5.5 V电源电压范围
节省空间的DRL ， DBV ， DCK和DRS
封装选项
替代2-， 3-， 6声道选项可用：
TPD2E001 ， TPD3E001和TPD6E001
USB 2.0
ETHERNET
火线
精密模拟接口
SVGA连接
2
应用
描述/订购信息
该TPD4E001是一种低电容
±15-kV
ESD保护二极管阵列，旨在保护敏感的电子设备
附连到通信线路。每个通道都包含一对二极管，可以将ESD电流脉冲的V
CC
或GND 。该TPD4E001可防止ESD脉冲高达
±15-kV
人体模型（ HBM ） ，
±8-kV
联系
排放，
±15-kV
气隙放电，如IEC 61000-4-2规定。该器件具有1.5 pF的IO
每个通道的电容，因此非常适合于高速数据IO接口的使用。超低漏电流
（ <1 nA的最大值）是适合用于精密的模拟测量值在像血糖仪的应用，心脏速率
监视器等
该TPD4E001可在DRL ， DBV （ SOT -23 ） ， DCK （ SC - 70 ）和DRS （ QFN ）封装，规定
为
–40°C
至85°C操作。
订购信息
T
A
1.6
×
1.6 DRL
–40°C
至85℃
2.9
×
2.8 DBV （ SOT -23 ）
2.1
×
2.0 DCK （ SC- 70 ）
3
×
3 DRS （ QFN ）
(1)
包
(1)
订购型号
4000卷
3000卷
3000卷
1000卷
TPD4E001DRLR
TPD4E001DBVR
TPD4E001DCKR
TPD4E001DRSR
顶部端标记
2CR
NFY5
2CF
ZWM
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DRL包装
（ TOP VIEW ）
IO1
IO2
GND
DBV / DCK包装
（ TOP VIEW ）
V
CC
IO4
GND
IO1
QFN封装
（ TOP VIEW ）
IO4
IO1
1
6
1
2
3
6
5
4
1
2
3
6
5
4
V
CC
IO4
IO3
IO3
IO2
V
CC
IO2
2
5
IO3
GND
3
GND
4
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
FireWire是苹果电脑公司的商标。
版权
2006-2011年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPD4E001
SLLS682F
–
2006年7月
–
经修订的2011年5月
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图1.功能框图
V
CC
IO1
IO2
IO3
IO4
GND
引脚说明
DRS / DRL NO 。
1, 2, 4, 5
3
6
裸露散热
垫（ DRS包
只）
DBV / DCK NO 。
1, 3, 4, 6
2
5
名字
IOx扩展
GND
V
CC
不适用
ESD保护通道
地
电源输入。绕道V
CC
至GND 0.1μF的陶瓷电容。
裸露的散热焊盘。连接到GND或悬空。
功能
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I / O
T
英镑
T
J
IO电压容差
存储温度范围
结温
凹凸温度（焊接）
焊接温度（焊接， 10秒）
(1)
红外（ 15秒）
气相（ 60秒）
–0.3
–0.3
–65
最大
7
V
CC
+ 0.3
150
150
220
215
300
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，和功能在这些或超出中的业务部门所标明的任何其他条件的设备的操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
2
版权
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SLLS682F
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2006年7月
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经修订的2011年5月
应用信息
V
公共汽车
0.1 F
V
CC
R
T
IO4
USB
调节器
IO3
D1
IO2
V
公共汽车
D+
GND
D–
GND
IO1
D+
D–
GND
详细说明
当放置在连接器附近时， TPD4E001 ESD解决方案提供了在正常很少或没有信号失真
操作由于低IO电容和超低漏电流规格。该TPD4E001保证
核心电路进行保护，并且系统中的ESD冲击的情况下正常运行。为了正确
操作时，下面的布局/设计原则应遵循：
1.将TPD4E001溶液靠近连接器。这使得TPD4E001带走的能量
与ESD冲击相关联的才达到主板的内部电路。
2.将一个0.1 μF的电容非常接近V
CC
引脚。这限制了任何瞬间浪涌电压的IO引脚
在ESD冲击的事件。
3.确保有足够的金属的V
CC
和GND循环。在正常操作中， TPD4E001
消耗nA的漏电流。但在ESD事件中，V
CC
和GND可能会看到15 A到
电流30 A ，取决于ESD级别。足够的电流路径使所有的能量安全放电
与ESD冲击有关。
4.保留未使用的IO引脚悬空。
5. V
CC
销可连接两种不同的方法：
（a）如果在V
CC
销被连接到所述系统供电， TPD4E001可以作为一个瞬变抑制器
对于上述V的任何信号摆幅
CC
+ V
F
。一个0.1 μF的电容装置V
CC
引脚被推荐用于ESD
绕行。
（b）若在V
CC
针没有连接到系统的电源， TPD4E001可以容忍更高的信号
摆动范围为高达10V。请注意，一个0.1μF的电容仍建议在V
CC
引脚
ESD绕行。
版权
2006-2011年，德州仪器
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