【TPD4E001www.ti.comSLLS682F–2006年7月–经修订的2011年5月1.5 】,IC型号TPD4E001DCKR,TPD4E001DCKR PDF资料,TPD4E001DCKR经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPD4E001

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SLLS682F

–

2006年7月

–

经修订的2011年5月

1.5 pF的电容IO四通道ESD保护阵列

检查样品：

TPD4E001

特点

4通道ESD钳位阵列提升

系统级ESD保护

超过IEC61000-4-2 （ 4级）ESD

保护要求

- ± 8千伏

IEC 61000-4-2接触放电

- ± 15千伏

IEC 61000-4-2气隙放电

±15-kV

人体模型（ HBM ）

5.5 A峰值脉冲电流（ 8月20日，美国PULSE）

低1.5 pF的输入电容

最低1 -NA （最大）漏电流

0.9 V至5.5 V电源电压范围

节省空间的DRL ， DBV ， DCK和DRS

封装选项

替代2-， 3-， 6声道选项可用：

TPD2E001 ， TPD3E001和TPD6E001

USB 2.0

ETHERNET

火线

精密模拟接口

SVGA连接

应用

描述/订购信息

该TPD4E001是一种低电容

±15-kV

ESD保护二极管阵列，旨在保护敏感的电子设备

附连到通信线路。每个通道都包含一对二极管，可以将ESD电流脉冲的V

或GND 。该TPD4E001可防止ESD脉冲高达

±15-kV

人体模型（ HBM ），

±8-kV

联系

排放，

±15-kV

气隙放电，如IEC 61000-4-2规定。该器件具有1.5 pF的IO

每个通道的电容，因此非常适合于高速数据IO接口的使用。超低漏电流

（ <1 nA的最大值）是适合用于精密的模拟测量值在像血糖仪的应用，心脏速率

监视器等

该TPD4E001可在DRL ， DBV （ SOT -23 ）， DCK （ SC - 70 ）和DRS （ QFN ）封装，规定

为

–40°C

至85°C操作。

订购信息

1.6

1.6 DRL

–40°C

至85℃

2.9

2.8 DBV （ SOT -23 ）

2.1

2.0 DCK （ SC- 70 ）

3 DRS （ QFN ）

(1)

包

(1)

订购型号

4000卷

3000卷

1000卷

TPD4E001DRLR

TPD4E001DBVR

TPD4E001DCKR

TPD4E001DRSR

顶部端标记

2CR

NFY5

2CF

ZWM

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

DRL包装

（ TOP VIEW ）

IO1

IO2

GND

DBV / DCK包装

（ TOP VIEW ）

IO4

GND

IO1

QFN封装

（ TOP VIEW ）

IO4

IO1

IO4

IO3

IO2

IO3

GND

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

FireWire是苹果电脑公司的商标。

版权

2006-2011年，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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图1.功能框图

IO1

IO2

IO3

IO4

GND

引脚说明

DRS / DRL NO 。

1, 2, 4, 5

裸露散热

垫（ DRS包

只）

DBV / DCK NO 。

1, 3, 4, 6

名字

IOx扩展

GND

不适用

ESD保护通道

地

电源输入。绕道V

至GND 0.1μF的陶瓷电容。

裸露的散热焊盘。连接到GND或悬空。

功能

绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

民

I / O

英镑

IO电压容差

存储温度范围

结温

凹凸温度（焊接）

焊接温度（焊接， 10秒）

(1)

红外（ 15秒）

气相（ 60秒）

–0.3

–65

最大

+ 0.3

150

220

215

300

单位

°C

超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

只是，和功能在这些或超出中的业务部门所标明的任何其他条件的设备的操作

规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。

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电气特性

= 5 V

10%, T

= -40 ℃至85 ℃（除非另有说明）

参数

电源电压

电源电流

二极管的正向电压

击穿电压

= 10毫安

= 25°C,

±15-kV

HBM ，

= 10 A

通道钳位电压

(2)

测试条件

民

0.9

典型值

(1)

最大

5.5

100

0.95

+ 25

–25

+ 60

–60

+ 100

–100

±1

单位

0.65

积极瞬变

负瞬态

积极瞬变

负瞬态

积极瞬变

负瞬态

= 25°C,

±8-kV

接触放电

（ IEC 61000-4-2 ），我

= 24 A

= 25°C,

±15-kV

气隙放电

（ IEC 61000-4-2 ），我

= 45 A

I / O

(1)

(2)

道泄漏电流

通道输入电容

I / O

= GND到V

= 5 V ，V的偏置

1.5

典型值是在V

= 5 V和T

= 25°C.

通道钳位电压不生产测试

ESD保护

参数

HBM

IEC 61000-4-2接触放电

IEC 61000-4-2气隙放电

峰值脉冲电流， IPK （TP = 8/20

峰值脉冲功率， PPK （TP = 8/20

典型值

±15

±8

±15

5.5

100

单位

安培

瓦

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典型工作特性

IO电容

IO电压

= 5.0 V)

2.20

2.00

IO的电容（pF）

1.80

1.60

1.40

1.20

1.00

0.00

1.00

2.00

2.50

3.00

4.00

5.00

IO电压（V ）

IO漏电流

温度

= 5.5 V)

1000

IO漏电流（PA ）

100

–40

温度（℃）

尖峰脉冲波形，V

= 5.5 V

6.0

5.5

5.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

100

电流（A ）

(A)

功率（W）的

时间（s）

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(W)

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应用信息

公共汽车

0.1 F

IO4

USB

调节器

IO3

IO2

公共汽车

D+

GND

D–

GND

IO1

D+

D–

GND

详细说明

当放置在连接器附近时， TPD4E001 ESD解决方案提供了在正常很少或没有信号失真

操作由于低IO电容和超低漏电流规格。该TPD4E001保证

核心电路进行保护，并且系统中的ESD冲击的情况下正常运行。为了正确

操作时，下面的布局/设计原则应遵循：

1.将TPD4E001溶液靠近连接器。这使得TPD4E001带走的能量

与ESD冲击相关联的才达到主板的内部电路。

2.将一个0.1 μF的电容非常接近V

引脚。这限制了任何瞬间浪涌电压的IO引脚

在ESD冲击的事件。

3.确保有足够的金属的V

和GND循环。在正常操作中， TPD4E001

消耗nA的漏电流。但在ESD事件中，V

和GND可能会看到15 A到

电流30 A ，取决于ESD级别。足够的电流路径使所有的能量安全放电

与ESD冲击有关。

4.保留未使用的IO引脚悬空。

5. V

销可连接两种不同的方法：

（a）如果在V

销被连接到所述系统供电， TPD4E001可以作为一个瞬变抑制器

对于上述V的任何信号摆幅

+ V

。一个0.1 μF的电容装置V

引脚被推荐用于ESD

绕行。

（b）若在V

针没有连接到系统的电源， TPD4E001可以容忍更高的信号

摆动范围为高达10V。请注意，一个0.1μF的电容仍建议在V

引脚

ESD绕行。

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