TPD4125K
东芝智能功率器件
高压硅单片电源IC
TPD4125K
该TPD4125K是采用高直流有刷少电机驱动器
电压的PWM控制。它是由高压SOI工艺制造。
它是三分流电阻电路,用于电流检测。它包含
电平移位高边驱动器,低侧驱动器, IGBT的输出,快速恢复
和欠压保护电路的保护功能和
热关断电路。这是很容易控制的DC电刷少
电机通过只是把逻辑输入来自MPU或电机控制器
到TPD4125K 。
HDIP26-P-1332-2.00
重量:3.8克(典型值)。
特点
高电压电源侧和低电压信号侧终端是分开的。
这是最好的电流感测在三个分流电阻。
自举电路提供简单的高侧电源。
自举二极管是内置的。
一个死区时间可以被设置为最小的1.4
μs,
它是最好的一个正弦波的车程。
三相桥式输出用的IGBT 。
快速恢复是内置的。
包括过流,欠压保护和热关断。
7V (典型值)的调节器是内置的。
封装: 26引脚DIP封装。
本产品具有MOS结构,对静电放电很敏感。当本产品操作,确保
对环境进行保护,防止静电放电。
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TPD4125K
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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12
13
14
15
16
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18
19
20
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22
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26
符号
GND
NC
NC
HU
HV
HW
LU
LV
LW
RS
DIAG
NC
V
REG
NC
V
CC
GND
U
BSU
IS1
IS2
BSV
V
V
BB
BSW
W
IS3
接地引脚。
未使用的针,这是不连接到芯片内部。
未使用的针,这是不连接到芯片内部。
IGBT由美国的高端控制终端它关闭小于1.5V 。
原来就超过3.5V 。
IGBT由V的高侧控制终端它关闭小于1.5V 。
原来就超过3.5V 。
IGBT由W的高侧控制终端它关闭小于1.5V 。
原来就超过3.5V 。
IGBT的由美国的低侧控制端子它关闭小于1.5V 。
原来就超过3.5V 。
IGBT由V的低压侧控制终端它关闭小于1.5V 。
原来就超过3.5V 。
IGBT的由W的低侧控制端子它关闭小于1.5V 。
原来就超过3.5V 。
过电流检测引脚。
随着漏极开路的诊断输出端子,上拉是通过性。
原来,在上不寻常的时间。
未使用的针,这是不连接到芯片内部。
7V稳压器输出引脚。
未使用的针,这是不连接到芯片内部。
控制电源引脚(典型值15V )。
接地引脚。
U相输出引脚。
U相自举电容连接引脚。
U相IGBT发射器和FRD阳极管脚。
V相的IGBT发射极和FRD阳极销。
V相的自举电容的连接销。
V相输出引脚。
高电压电源的输入引脚。
W相的自举电容的连接销。
W相的输出引脚。
W相的IGBT的发射极和FRD阳极销。
引脚说明
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TPD4125K
输入引脚的等效电路
HU , HV , HW , LU, LV , LW输入引脚的内部电路框图
200kΩ
HU / HV / HW
LU / LV / LW
5 kΩ
5 kΩ
6.5 V
6.5 V
2 kΩ
6.5 V
6.5 V
内部电路
RS引脚的内部电路框图
V
CC
5 kΩ 5 kΩ
6.5 V
2 kΩ
6.5 V
440 kΩ
RS
内部电路
5 pF的
DIAG引脚的内部电路框图
DIAG
1.8 kΩ
26 V
26 V
内部电路
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