TPD3F303
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SLVSAM5 - 2011年1月
具有集成V EMI滤波器
CC
钳SIM卡接口
检查样品:
TPD3F303
1
特点
双向EMI / RFI滤波和线路
终端,集成ESD保护
强大的ESD保护超过IEC 61000-4-2
( 4级)
- ± 15 kV的人体模型( HBM )
- ± 15 kV的IEC 61000-4-2 (接触放电)
- ± 15 kV的IEC 61000-4-2 (气隙放电)
击穿电压6 -V
低噪声C-R -C滤波器拓扑结构
综合V
CC
钳去除对
外部ESD保护
节省空间DPV ( 0.5毫米间距) , DQD
封装( 0.4毫米间距)
TPD6F303包装
( TOP VIEW )
DATA1_Out
CLK_OUT
DATA2_Out
NC
1
2
8
7
DATA1_In
CLK_IN
DATA2_In
V
CC
3
4
GND
V
CC
RESET
CLK
NC
6
5
TPD3F303
2.1毫米×1.6毫米的DPV (0.5毫米节距)
1.7毫米x 1.35毫米DQD ( 0.4毫米间距)
应用
手机
掌上电脑
视频游戏机
手提电脑
SIM卡控制器
4
3
GND
5
6
7
8
GND
VPP
I / O
NC
2
1
图1.电路板布局与TPD3F303在SIM卡
卡接口
描述/订购信息
该TPD3F303是一个3通道集成EMI滤波器,用于SIM接口。该器件集成了V
CC
钳提供
在V系统级ESD保护
CC
线。 47端接电阻值
Ω
被包括在CLK线,而
a 100
Ω
终端采用的数据和RST线。
低通滤波器阵列降低EMI辐射,并提供系统级ESD保护。由于其小
包和易于使用的引脚分配时, TPD3F303滤波器适合于应用程序,例如一个宽阵列
如移动电话,PDA ,视频游戏机,手提电脑,等等。
该TPD3F303旨在抑制遭受电磁干扰系统的EMI / RFI噪声。
这些过滤器系列包括ESD保护电路,防止损坏应用进行时
对ESD应力远远超过IEC 61000-4-2 (4级) 。该TPD3F303被指定为-40 ° C至85°C操作。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
8 - DPV
8 - DQD
包
(1)
(2)
订购型号
TPD3F303DPVR
TPD3F303DQDR
顶部端标记
6SS
6SS
磁带和卷轴
磁带和卷轴
包装图纸,热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2011 ,德州仪器
TPD3F303
SLVSAM5 - 2011年1月
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电路图
7针
45
销2
5脚
PIN码6,8
100
1,3引脚
GND
示意图CLK线
GND
示意图V
CC
GND
示意图DATA1 , DATA2线
终端功能
终奌站
名字
DATAx_IN ,
DATAx_OUT
CLK_OUT ,
CLK_IN V
V
CC
NC
GND
DPV / DQD
PIN号
1, 3, 6, 8
2, 7
5
4
中央地面
PAD
TYPE
描述
数据和休息的信号输入,输出引脚。在DATA1和DATA2是对称的电路。
INPUT,OUTPUT
它们可以互换使用的任一数据或RESET引脚基于离电路板布局
引脚
方案。
INPUT,OUTPUT
时钟输入和输出信号。
引脚
电源钳位ESD钳位电路的V
CC
引脚。
无连接
地
未连接到任何内部电路。将该引脚悬空。
接地的EMI滤波器。这给设备接地连接是非常重要的
印刷电路板通孔直接下包地平面。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
民
IO电压容差
T
A
T
英镑
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
IEC 61000-4-2接触放电
IEC 61000-4-2气隙放电
人体模型ESD
(1)
IO引脚
IO引脚
IO引脚
IO引脚
–40
–55
最大
5.5
85
155
±15
±15
±15
单位
V
°C
°C
KV
KV
KV
超越那些在"Absolute最大Ratings"上市强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是强调
只有收视率,以及设备在这些功能操作或超越那些在业务部门所标明的任何其他条件
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
电气特性
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
参数
V
钳
I
I
R
CLK
R
DAT_RST
C
总
V
BR
F
–3dB
2
钳位电压
漏电流
CLK系列电阻器
数据/ RST串联电阻
IO电容
击穿电压
-3 dB带宽为数据/ RESET线
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产品文件夹链接( S) :
TPD3F303
V
IO
= 0 V
I
IO
= 1毫安
Z
来源
= 50
Ω
Z
负载
= 50
Ω
IO引脚与GND
I
IO
= ±2 A
R
PU
=打开
测试条件
IO引脚接地
IO引脚接地
40
85
16
6
294
47
100
20
民
典型值
最大
±10
0.1
55
115
24
单位
V
A
Ω
Ω
pF
V
兆赫
2011 ,德州仪器