TPD2S017

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SLLS949 - 2009年9月

2通道超低钳位电压ESD解决方案

具有串联电阻隔离

1

特点

超低钳位电压保证

保护的超低电压酷睿芯片组

在ESD事件

超过ESD保护IEC61000-4-2

（ 4级）

串联电阻匹配（R = 1

)

±8毫欧

（典型值）

差分通道输入电容

0.02 pF的匹配（典型值）

高速数据传输速率和EMI在筛选器操作

高频率（ -3 dB带宽，

≈3

千兆赫）

提供6引脚小外形晶体管

[ SOT （ DBV ）封装

直通单直插引脚映射

该高速线路确保没有其他

电路板布局负担，同时放置ESD

保护芯片靠近连接器

应用

高速USB

IEEE 1394接口

低电压差分信号（ LVDS ）

移动显示数字接口（ MDDI ） /移动

行业处理器接口（ MIPI ）

HS信号

DBV包装

（ TOP VIEW ）

Ch1_Out

GND

Ch1_In

1

2

3

6

5

4

Ch2_Out

V

CC

Ch2_In

描述/订购信息

该TPD2S017提供了高速线接口低压强大的系统级ESD解决方案，

ESD敏感的核心芯片。该器件提供了两个阶段的ESD钳位在每行

≈1-

串联电阻

隔离。这种架构使该器件能够产生过程中的系统级ESD冲击非常低的钳位电压。

由于串联电阻分量， TPD2S017提供受控滤波器滚降对更大的杂散

EMI抑制和信号完整性。该器件提供了一个直通引脚映射简化电路板布局。该

单片硅技术允许匹配元件值，包括钳位电容，串联电阻

匹配等，差分信号对之间。线路电容和串联电阻严格匹配

确保因加ESD钳位的差分信号失真保持最小，同时也让部分

工作在高速差分数据速率（超过1.5 Gbps）的。

该TPD2S017确认IEC61000-4-2 （ 4级） ESD保护和± 15 kV的HBM ESD保护。这

器件采用节省空间的DBV封装。

该TPD2S017的特点是工作在-40 °C的环境温度为85°C 。

订购信息

T

A

-40 ° C至85°C

(1)

(2)

SOT （ SOT - 23 ） - DBV

包

(1) (2)

3000卷

订购型号

TPD2S017DBVR

顶部端标记

NFTF

包装图纸，热数据和符号可在

www.ti.com/packaging 。

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

1

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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电路图

V

CC

（可选）

Ch1_In

Ch1_Out

Ch2_In

Ch2_Out

GND

终端功能

终奌站

名字

Ch1_In

Ch2_In

Ch1_Out

Ch2_Out

GND

V

CC

号

3

4

1

6

2

5

I / O

I

O

–

–

描述

高速ESD钳位输入

高速ESD钳位输出

地

可选电源

绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

民

V

IO

T

英镑

TA

(1)

IO电压范围

存储温度范围

工作温度

0

–85

–40

最大

5

125

85

单位

V

°C

°C

超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作

conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

ESD额定值

参数

IEC 61000-4-2接触放电

人体模型

OUT引脚

IN引脚

输入和输出引脚

民

最大

±11

±11

±15

单位

kV

kV

2

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耗散额定值

包

的dBV

(1)

T

A

≤

25°C

额定功率

463.18毫瓦

降额因子

(1)

上述牛逼

A

≤

25°C

-4.63毫瓦/ C

T

A

= 70°C

额定功率

254.75毫瓦

降额系数定义为传统的结点至环境热阻的倒数（R

θJA

).

电气特性

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

参数

R

I

IO

φRS

V

D

R

DYN

C

IO

V

BR

串联电阻

从I / O引脚电流

通道与通道之间的电阻

MATCH

二极管的正向电压较低

钳

动态电阻（用于I / O钳）

IO电容

击穿电压

V

IO

= 3 V

V

IO

= 3 V

I

D

= 8毫安

I = 9A

V

IO

= 2.5 V

I

O

= 1毫安

11

–0.6

测试条件

民

典型值

1

0.01

±8

–0.8

0.8

1

12

0.1

±15

–0.95

最大

单位

A

m

V

pF

V

典型特征

0

-1

-2

I / O与I / O

-3

插入损耗（dB ）

-4

-5

-6

-7

-8

-9

1.000E+06

1.000E+07

1.000E+08

频率（Hz）

1.000E+09

1.000E+10

图1.插入损耗数据（ S21 ）

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典型特性（续）

8.0

7.2

6.4

5.6

电流（A ）

4.8

IPP （ A）

130

117

104

91

78

65

功率（W）的

52

39

26

13

0

0

5

10

15

20

25

时间（美国）

30

35

40

45

50

的ppp （W）的

的ppp （W）的

4.0

3.2

2.4

1.6

0.8

0.0

图2.峰值脉冲波形

Ch1_Out ， PUT WRT GND ，V

CC

= 5.0 V

8.0

7.2

6.4

5.6

4.8

IPP （ A）

130

117

104

91

78

65

电流（A ）

52

39

功率（W）的

26

13

0

0

5

10

15

20

25

时间（美国）

30

35

40

45

50

4.0

3.2

2.4

1.6

0.8

0.0

图3.峰值脉冲波形

Ch2_In ， PUT WRT GND ，V

CC

= 5.0 V

4

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典型特性（续）

50

45

40

35

30

振幅（ V）

25

20

15

10

5

0

-5

0

20

40

60

80

100

时间（纳秒）

120

140

160

180

200

图4. IEC波形钳位

8 kV接触， 1 GHz的带宽

5

0

-5

-10

-15

-20

振幅（ V）

-25

-30

-35

-40

-45

-50

-55

-60

0

20

40

60

80

100

时间（纳秒）

120

140

160

180

200

图5. IEC波形钳位

-8 kV接触， 1 GHz的带宽

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