TPD2EUSB30 ， TPD2EUSB30A ， TPD4EUSB30
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2 ， 4通道保护解决方案，用于超高速（ 6 GBPS ） USB 3.0
接口
检查样品：
TPD2EUSB30 ， TPD2EUSB30A ， TPD4EUSB30
1
特点
单，双对差分线以
保护的差分数据和时钟线
在USB3.0或eSATA或LVD接口
流通引脚映射为高速
线确保接近零的附加偏移由于
电路板布局，同时将保护芯片
靠近连接器
支持数据速率为6Gbps的过量
ESD保护符合或超出
IEC61000-4-2 （ 4级）
低电容间具有0.05pF （ IO到IO ）
1
动态电阻
5 A峰值脉冲电流（每8/20
ms
脉冲）
工业温度范围： -40 ° C至85°C
节省空间的DRT ， DQA包
D+
DRT包装
（ TOP VIEW ）
1
3
GND
D–
2
DQA包装
（ TOP VIEW ）
D1+
D1–
GND
D2+
D2–
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
GND
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
应用
笔记本电脑
机顶盒
DVD播放器
媒体播放器
手提电脑
描述/订购信息
该TPD2EUSB30 ， TPD2EUSB30A和TPD4EUSB30提供2通道和4通道ESD和浪涌保护
解决方案在节省空间，流过的包。这些设备被设计用于保护敏感
它们被连接到超高速数据和传输线组件。这些器件还提供5 A
(8/20
女士）
符合IEC 61000-4-5 （雷电）规范的峰值脉冲电流额定值。
该单片硅技术使差分信号对之间的匹配。差分0.05 pF的
电容可确保由于加入ESD钳位器的信号失真保持最小以高速
差分数据的传输。
该TPD2EUSB30A提供低4.5V的直流击穿电压。低电容和击穿电压，
加上低动态电阻，使TPD2EUSB30A卓越的ESD /电涌保护装置
高速差分基于IOS的关超低电压工艺节点。
该TPD2EUSB30和TPD2EUSB30A在节省空间的DRT （1毫米× 1毫米）封装。该
TPD4EUSB30在节省空间的DQA （1毫米×2.5 mm）包装提供。这些设备的特点为
工作在-40° C至85°C的环境温度范围内。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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订购信息
T
A
SOT - DRT
-40 ° C至85°C
SOT - DRT
SON - DQA
(1)
(2)
包
(1) (2)
订购型号
TPD2EUSB30DRTR
TPD2EUSB30ADRTR
TPD4EUSB30DQAR
顶部端标记
5PX
5SX
66R
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
电路图
TPD4EUSB30电路
D2+
D1+
D1-
D2-
GND
TPD2EUSB30 / A电路
D–
D+
GND
终端功能
终奌站
名字
DX + ，
DX-
GND
北卡罗来纳州
DRT
PIN号
1,
2
3
DQA PIN NO 。
1,2,
4, 5
3, 8
6, 7,
9, 10
TYPE
描述
高速ESD钳位电路提供ESD保护的高速差分
数据线
地
不能正常连接
ESD端口
GND
2
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绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
IO电压容差
T
A
T
英镑
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
IEC 61000-4-2接触放电
ESD保护
IEC 61000-4-2气隙放电
(TPD2EUSB30/A)
IEC 61000-4-2气隙放电
(TPD4EUSB30)
峰值脉冲电流（T
p
= 8/20
女士）
峰值脉冲功率（T
p
= 8/20
女士）
(1)
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
0
–40
–65
最大
6
85
125
±8
±8
±9
5
45
°C
°C
kV
kV
kV
A
W
单位
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，和功能在这些或超出中的业务部门所标明的任何其他条件的设备的操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
电气特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
反向对峙电压，
TPD2EUSB30 ， TPD4EUSB30
反向对峙电压，
TPD2EUSB30A
钳位电压
从IO端口引脚提供电流
二极管的正向电压
动态电阻
电容IO到IO
测试条件
D + ， D-引脚到地
D + ， D-引脚到地
D + ， D-引脚接地，
V
IO
= 2.5 V,
D +，D-引脚
低钳位二极管，
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚（DRT）
C
IO- GND
电容IO至GND
D1+, D1-,
D2 + ， D2- （ DQA ）
V
IO
= 2.5 V
I
IO
= 1 A
I
D
= 8毫安
V
IO
= 2.5 V,
I
D
= 8毫安
I=1A
V
IO
= 2.5 V
0.6
0.01
0.8
1
0.05
0.7
0.8
7
4.5
pF
民
典型值
最大
5.5
3.6
8
0.1
0.95
单位
V
V
V
mA
V
pF
V
RWM
V
钳
I
IO
V
D
R
DYN
C
IO- IO
V
BR
击穿电压， TPD2EUSB30 ，
I
IO
= 1毫安
TPD4EUSB30
击穿电压，
TPD2EUSB30A
I
IO
= 1毫安
V
V
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3
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典型工作特性
1.20E-12
T
A
= 25°C
1.10E-12
1.00E-12
10
5
0
Capacitnace （法拉）
漏电流（PA ）
–5
–10
–15
–20
–25
–30
–35
V
IO
= 2.5 V
D–
D+
9.00E-13
8.00E-13
DQA包装
DRT包装
7.00E-13
6.00E-13
5.00E-13
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
–40
–40
55
25
温度（℃）
85
电压（V）的
图1. IO电容VS IO电压
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
IPP （ A）
图2.漏电流与温度
60
11
10
9
8
电流（A ）
测量一个IO ，
其他的IO开放
55
50
45
40
的ppp （W）的
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
功率（W）的
0.5
0.0
0
5
10
15
20
25
30
时间（
m
s)
35
40
45
50
电流（A ）
35
30
25
20
15
10
5
0
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
电压（V）的
25
30
35
40
图3.峰值脉冲波形
图4. D +，D-传输线脉冲发生器的情节
TPD2EUSB30 （ 100纳秒脉冲， 10 ns上升时间）
20
10
0
-10
-20
振幅（ V）
100
90
80
70
60
振幅（ V）
50
40
30
20
10
0
-10
-20
0
25
50
75
100
时间（纳秒）
125
150
175
200
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
0
25
50
75
100
时间（纳秒）
125
150
175
200
图5. IEC钳位波形（ 8 kV接触）
图6. IEC钳位波形（ -8千伏联系）
4
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应用信息
与TPDxEUSB30 /布局指南
请参阅
图7中的
在TPD2EUSB30 / A提供节省空间的DRT包。该DRT是1毫米* 1毫米
包装与流通引脚映射为高速差分线路。该TPD4EUSB30提供的
节省空间的DQA包。该DQA是1毫米* 2.5毫米封装流通引脚映射为
高速差分线路。建议把旁边的USB 3.0连接器的封装。该
GND引脚应通过大量通过连接到电路板的接地平面。如果一个专用的接地平面不
目前正下方，它是通过一个宽的走线建议路线到GND层。趋势/涌流
符合IEC ESD应力相关联的可以是30安培或更高短暂的范围内。一个良好的，低阻抗
GND路径确保了对IEC ESD应力系统的鲁棒性。
该TPDxEUSB30 / A可提供系统级ESD保护的高速差分接口（ >6 Gbps的数据
率） 。通流包提供了灵活性板与踪迹高达15轧机广泛的路由。它允许
差分信号对情侣在一起之后，他们接触到TPDxEUSB30 / A的ESD端口。
TX +
VBUS
TPD2EUSB30DRTR
D-
GND
D+
TX-
D-
1-mm
USB 3.0
主机/控制器
GND
D+
RX +
8-mm
1-mm
GND
RX-
三TPD2EUSB30保护USB3.0 A类接口（其中一个层路由）
TPD4EUSB30
D1+
北卡罗来纳州
TX +
VBUS
TX-
D1-
北卡罗来纳州
2.5-mm
D-
GND
GND
USB 3.0
主机/控制器
GND
D+
RX +
GND
RX-
8-mm
D2+
北卡罗来纳州
D2-
北卡罗来纳州
1-mm
一个TPD4EUSB30 &一TPD2EUSB30保护USB3.0 A类接口的信号（第二层路由）
与TPDxEUSB30 / A在USB3.0 A类连接器图7.布局指南
TPDxEUSB30 / A眼图测试
SEE
图9
为TPDxEUSB30 / A性能实验室的建立的演示。
图8
显示了一个实验板
这是旨在展示的眼孔图样质量的劣化有和没有
TPD2EUSB30 / A在USB 3.0信号路径。
图10
显示，只有2 ps的抖动罚到
当TPD2EUSB30 /所述的装置，加入在信号路径中的差分信号。类似的设置是用来
测量眼图的TPD4EUSB30 。
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2通道ESD解决方案用于超高速（ 6 GBPS ） USB 3.0接口
检查样品：
TPD2EUSB30
1
特点
0.05 pF的电容匹配之间的
差分信号对
单对差分线，以保护
差分数据和时钟线
USB3.0或eSATA或LVD接口
流通引脚映射为高速
线确保零附加倾斜。由于
电路板布局，同时将ESD保护
芯片周边的连接器
支持数据速率为6Gbps的过量
ESD保护符合或超出
IEC61000-4-2 （ 4级）
5 A峰值脉冲电流（ 8/20
μs
脉冲） D + ，
D-线路
工业温度范围： -40 ° C至85°C
节省空间的封装DRT
应用
笔记本电脑
机顶盒
DVD播放器
媒体播放器
手提电脑
DRT包装
（ TOP VIEW ）
D+
1
3
GND
D–
2
描述/订购信息
该TPD2EUSB30提供2 ESD钳位电路的流通引脚映射简化电路板布局。这
设备已被设计用于保护其连接到超高速数据敏感元件和
传输线。该TPD2EUSB30提供保护，免受静电放电（ESD ）的应力。这
器件还提供5 A（ 8/20
μs)
符合IEC 61000-4-5 （雷电）规范的峰值脉冲电流额定值。
该单片硅技术使差分信号对之间的匹配。在小于差动
0.05 pF的电容可以确保的是，由于加ESD钳位的差分信号失真仍然微乎其微。该
0.7 pF的线路电容，适用于高速数据率（超过6 Gbps）的。
该TPD2EUSB30符合IEC61000-4-2 （ 4级） ESD保护。该TPD2EUSB30提供空间
保存DRT （ 1毫米× 1毫米）封装。
该TPD2EUSB30的特点是工作在-40° C至85°C的环境温度范围内。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
SOT （ 3 - DRT ）
包
(1)
(2)
订购型号
TPD2EUSB30DRTR
顶部端标记
5PX
磁带和卷轴
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2009年，德州仪器
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电路图
DRT电路
D–
D+
GND
终端功能
终奌站
名字
D+, D-
GND
DRT
PIN号
1, 2
3
TYPE
ESD端口
GND
描述
高速ESD钳位电路提供ESD保护的高速差分数据线
地
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
IO电压容差
T
A
T
英镑
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
ESD保护
IEC 61000-4-2接触放电
IEC 61000-4-2气隙放电
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
0
–40
–65
最大
6
85
125
±8
±8
5
45
°C
°C
kV
kV
A
W
单位
峰值脉冲电流（T
p
= 8/20
μs)
峰值脉冲功率（T
p
= 8/20
μs)
(1)
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，和功能在这些或超出中的业务部门所标明的任何其他条件的设备的操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
电气特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
V
RWM
V
钳
I
IO
V
D
R
DYN
C
IO
V
BR
相反的立场-O FF电压
钳位电压
从IO端口引脚提供电流
二极管的正向电压
动态电阻
IO电容
击穿电压
测试条件
D + ， D-引脚到地
D + ， D-引脚接地，
V
IO
= 2.5 V，I
D
= 8毫安
D +，D-引脚
低钳位二极管，
D +，D-引脚
D + ， D-引脚
I
IO
= 1毫安
V
IO
= 2.5 V，I
D
= 8毫安
I=1A
V
IO
= 2.5 V
7
0.6
I
IO
= 1 A
0.01
0.8
1
0.7
民
典型值
最大
5.5
8
0.1
0.95
单位
V
V
μA
V
pF
V
2
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典型工作特性
1.20E-12
T
A
= 25°C
1.10E-12
1.00E-12
10
5
0
Capacitnace （法拉）
漏电流（PA ）
–5
–10
–15
–20
–25
–30
–35
V
IO
= 2.5 V
D–
D+
9.00E-13
8.00E-13
DBZ包
DRT包装
7.00E-13
6.00E-13
5.00E-13
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
–40
–40
55
25
温度（℃）
85
电压（V）的
图1. IO电容VS IO电压
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
IPP （ A）
图2.漏电流与温度
60
11
10
9
8
电流（A ）
测量一个IO ，
其他的IO开放
55
50
45
40
的ppp （W）的
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
功率（W）的
0.5
0.0
0
5
10
15
20
25
30
时间（
m
s)
35
40
45
50
电流（A ）
35
30
25
20
15
10
5
0
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
电压（V）的
25
30
35
40
图3.峰值脉冲波形
图4. D +，D-线路脉冲发生器图（ 100纳秒脉冲， 10
ns上升时间）
20
10
0
-10
-20
振幅（ V）
100
90
80
70
60
振幅（ V）
50
40
30
20
10
0
-10
-20
0
25
50
75
100
时间（纳秒）
125
150
175
200
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
0
25
50
75
100
时间（纳秒）
125
150
175
200
图5. IEC钳位波形（ 8 kV接触）
图6. IEC钳位波形（ -8千伏联系）
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应用信息
与TPD2EUSB30DRTR布局指南
请参阅
图7中的
在TPD2EUSB30DRTR提供节省空间的DRT包。该DRT包是
1毫米* 1毫米包与流过引脚映射为高速差分线路。建议
将DRT包旁边的USB 3.0接口。 GND引脚应连接到GND层
主板通过VIA大。如果一个专用的GND层不存在的正下方，则建议路线
通过广泛的跟踪GND层。符合IEC ESD应力相关联的电流可以是在该范围内
30安培或更高的瞬间。有良好的低阻抗接地路径，确保对IEC的系统健壮性
ESD应力。
该TPD2EUSB30可以提供系统级ESD保护的高速差分端口（ >6 Gbps的数据
率） 。通流包提供了灵活性板与踪迹高达15轧机广泛的路由。它允许
差分信号对情侣在一起之后他们接触的ESD防护端口（引脚1和2 ）
TPD2EUSB30.
TX +
TPD2EUSB30
TX-
D-
VBUS
D-
1-mm
GND
D+
USB 3.0
主机/控制器/ PHY
GND
D+
RX +
8-mm
1-mm
RX-
GND
与TPD2EUSB30在USB3.0 A类连接器图7.布局指南
TPD2EUSB30眼图测试设置
SEE
图9
为TPD2EUSB30性能实验室的建立的演示。
图8
显示了一个实验板
这是旨在展示的眼孔图样质量的劣化有和没有TPD2EUSB30
在USB 3.0的信号路径。
图10
表明，只有2 ps的抖动罚到差分信号时
该TPD2EUSB30装置中加入在信号路径中
眼图
测量点
图形发生器
36 “有损传输线
USB3.0 PHY接收器
图8.测量设置收集眼图案的参考板，带TPD2EUSB30上
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眼图
测量点
图形发生器
36 “有损传输线
TPD2EUSB30
USB3.0 PHY接收器
图9.测量设置收集眼图案的参考板，带TPD2EUSB30上
图10.实验室设置为眼图测量与TPD2EUSB30
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产品文件夹链接（ S） ：
TPD2EUSB30
5
TPD2EUSB30
www.ti.com
SLVSA12 - 2009年11月
2通道ESD解决方案用于超高速（ 6 GBPS ） USB 3.0接口
检查样品：
TPD2EUSB30
1
特点
0.05 pF的电容匹配之间的
差分信号对
单对差分线，以保护
差分数据和时钟线
USB3.0或eSATA或LVD接口
流通引脚映射为高速
线确保零附加倾斜。由于
电路板布局，同时将ESD保护
芯片周边的连接器
支持数据速率为6Gbps的过量
ESD保护符合或超出
IEC61000-4-2 （ 4级）
5 A峰值脉冲电流（ 8/20
μs
脉冲） D + ，
D-线路
工业温度范围： -40 ° C至85°C
节省空间的封装DRT
应用
笔记本电脑
机顶盒
DVD播放器
媒体播放器
手提电脑
DRT包装
（ TOP VIEW ）
D+
1
3
GND
D–
2
描述/订购信息
该TPD2EUSB30提供2 ESD钳位电路的流通引脚映射简化电路板布局。这
设备已被设计用于保护其连接到超高速数据敏感元件和
传输线。该TPD2EUSB30提供保护，免受静电放电（ESD ）的应力。这
器件还提供5 A（ 8/20
μs)
符合IEC 61000-4-5 （雷电）规范的峰值脉冲电流额定值。
该单片硅技术使差分信号对之间的匹配。在小于差动
0.05 pF的电容可以确保的是，由于加ESD钳位的差分信号失真仍然微乎其微。该
0.7 pF的线路电容，适用于高速数据率（超过6 Gbps）的。
该TPD2EUSB30符合IEC61000-4-2 （ 4级） ESD保护。该TPD2EUSB30提供空间
保存DRT （ 1毫米× 1毫米）封装。
该TPD2EUSB30的特点是工作在-40° C至85°C的环境温度范围内。
订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
SOT （ 3 - DRT ）
包
(1)
(2)
订购型号
TPD2EUSB30DRTR
顶部端标记
5PX
磁带和卷轴
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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TPD2EUSB30
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电路图
DRT电路
D–
D+
GND
终端功能
终奌站
名字
D+, D-
GND
DRT
PIN号
1, 2
3
TYPE
ESD端口
GND
描述
高速ESD钳位电路提供ESD保护的高速差分数据线
地
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
IO电压容差
T
A
T
英镑
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
ESD保护
IEC 61000-4-2接触放电
IEC 61000-4-2气隙放电
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
0
–40
–65
最大
6
85
125
±8
±8
5
45
°C
°C
kV
kV
A
W
单位
峰值脉冲电流（T
p
= 8/20
μs)
峰值脉冲功率（T
p
= 8/20
μs)
(1)
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，和功能在这些或超出中的业务部门所标明的任何其他条件的设备的操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
电气特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
V
RWM
V
钳
I
IO
V
D
R
DYN
C
IO
V
BR
相反的立场-O FF电压
钳位电压
从IO端口引脚提供电流
二极管的正向电压
动态电阻
IO电容
击穿电压
测试条件
D + ， D-引脚到地
D + ， D-引脚接地，
V
IO
= 2.5 V，I
D
= 8毫安
D +，D-引脚
低钳位二极管，
D +，D-引脚
D + ， D-引脚
I
IO
= 1毫安
V
IO
= 2.5 V，I
D
= 8毫安
I=1A
V
IO
= 2.5 V
7
0.6
I
IO
= 1 A
0.01
0.8
1
0.7
民
典型值
最大
5.5
8
0.1
0.95
单位
V
V
μA
V
pF
V
2
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TPD2EUSB30
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TPD2EUSB30
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典型工作特性
1.20E-12
T
A
= 25°C
1.10E-12
1.00E-12
10
5
0
Capacitnace （法拉）
漏电流（PA ）
–5
–10
–15
–20
–25
–30
–35
V
IO
= 2.5 V
D–
D+
9.00E-13
8.00E-13
DBZ包
DRT包装
7.00E-13
6.00E-13
5.00E-13
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
–40
–40
55
25
温度（℃）
85
电压（V）的
图1. IO电容VS IO电压
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
IPP （ A）
图2.漏电流与温度
60
11
10
9
8
电流（A ）
测量一个IO ，
其他的IO开放
55
50
45
40
的ppp （W）的
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
功率（W）的
0.5
0.0
0
5
10
15
20
25
30
时间（
m
s)
35
40
45
50
电流（A ）
35
30
25
20
15
10
5
0
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
电压（V）的
25
30
35
40
图3.峰值脉冲波形
图4. D +，D-线路脉冲发生器图（ 100纳秒脉冲， 10
ns上升时间）
20
10
0
-10
-20
振幅（ V）
100
90
80
70
60
振幅（ V）
50
40
30
20
10
0
-10
-20
0
25
50
75
100
时间（纳秒）
125
150
175
200
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
0
25
50
75
100
时间（纳秒）
125
150
175
200
图5. IEC钳位波形（ 8 kV接触）
图6. IEC钳位波形（ -8千伏联系）
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TPD2EUSB30
3
TPD2EUSB30
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www.ti.com
应用信息
与TPD2EUSB30DRTR布局指南
请参阅
图7中的
在TPD2EUSB30DRTR提供节省空间的DRT包。该DRT包是
1毫米* 1毫米包与流过引脚映射为高速差分线路。建议
将DRT包旁边的USB 3.0接口。 GND引脚应连接到GND层
主板通过VIA大。如果一个专用的GND层不存在的正下方，则建议路线
通过广泛的跟踪GND层。符合IEC ESD应力相关联的电流可以是在该范围内
30安培或更高的瞬间。有良好的低阻抗接地路径，确保对IEC的系统健壮性
ESD应力。
该TPD2EUSB30可以提供系统级ESD保护的高速差分端口（ >6 Gbps的数据
率） 。通流包提供了灵活性板与踪迹高达15轧机广泛的路由。它允许
差分信号对情侣在一起之后他们接触的ESD防护端口（引脚1和2 ）
TPD2EUSB30.
TX +
TPD2EUSB30
TX-
D-
VBUS
D-
1-mm
GND
D+
USB 3.0
主机/控制器/ PHY
GND
D+
RX +
8-mm
1-mm
RX-
GND
与TPD2EUSB30在USB3.0 A类连接器图7.布局指南
TPD2EUSB30眼图测试设置
SEE
图9
为TPD2EUSB30性能实验室的建立的演示。
图8
显示了一个实验板
这是旨在展示的眼孔图样质量的劣化有和没有TPD2EUSB30
在USB 3.0的信号路径。
图10
表明，只有2 ps的抖动罚到差分信号时
该TPD2EUSB30装置中加入在信号路径中
眼图
测量点
图形发生器
36 “有损传输线
USB3.0 PHY接收器
图8.测量设置收集眼图案的参考板，带TPD2EUSB30上
4
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TPD2EUSB30
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TPD2EUSB30
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SLVSA12 - 2009年11月
眼图
测量点
图形发生器
36 “有损传输线
TPD2EUSB30
USB3.0 PHY接收器
图9.测量设置收集眼图案的参考板，带TPD2EUSB30上
图10.实验室设置为眼图测量与TPD2EUSB30
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TPD2EUSB30
5
TPD2EUSB30 ， TPD4EUSB30
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SLVSAC2 - 2010年8月
2 ， 4通道ESD解决方案用于超高速（ 6 GBPS ） USB 3.0接口
检查样品：
TPD2EUSB30 ， TPD4EUSB30
1
特点
单，双对差分线以
保护的差分数据和时钟线
在USB3.0或eSATA或LVD接口
流通引脚映射为高速
线确保零附加倾斜。由于
电路板布局，同时将ESD保护
芯片周边的连接器
支持数据速率为6Gbps的过量
ESD保护符合或超出
IEC61000-4-2 （ 4级）
低电容间具有0.05pF （ IO到IO ）
5 A峰值脉冲电流（每8/20
ms
脉冲）
工业温度范围： -40 ° C至85°C
节省空间的DRT ， DQA包
TPD2EUSB30DRTR包装
（ TOP VIEW ）
D+
1
3
GND
D–
2
TPD4EUSB30DQAR包装
（ TOP VIEW ）
D1+
D1–
GND
D2+
D2–
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
GND
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
应用
笔记本电脑
机顶盒
DVD播放器
媒体播放器
手提电脑
描述/订购信息
该TPD2EUSB30和TPD4EUSB30提供2通道和4通道与流通引脚的ESD钳位电路
映射简化电路板布局。这些设备被设计用于保护敏感元件，这些元件
连接到超高速数据和传输线。从应力TPDxEUSB30提供保护
引起的ESD（静电放电） 。这些器件还提供5 A（ 8/20
女士）
按峰值脉冲电流额定值
IEC 61000-4-5 （雷电）规范。
该单片硅技术使差分信号对之间的匹配。差分0.05 pF的
电容可确保由于加入ESD钳位器的信号失真保持最小以高速
差分数据的传输。
该TPD2EUSB30和TPD4EUSB30符合IEC61000-4-2 （ 4级） ESD保护。该TPD2EUSB30是
在节省空间的DRT （1毫米× 1毫米）封装。该TPD4EUSB30在节省空间的DQA提供（1毫米
× 2.5毫米）封装。
该TPD2EUSB30和TPD4EUSB30的特点是工作在环境空气温度范围
-40 ° C至85°C 。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2010 ，德州仪器
TPD2EUSB30 ， TPD4EUSB30
SLVSAC2 - 2010年8月
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订购信息
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
SOT - DRT
SON - DQA
包
(1) (2)
订购型号
TPD2EUSB30DRTR
TPD4EUSB30DQAR
顶部端标记
5PX
66R
磁带和卷轴
磁带和卷轴
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
电路图
TPD4EUSB30DQA电路
D2+
D1+
D1-
D2-
GND
TPD2EUSB30DRT电路
D–
D+
GND
终端功能
终奌站
名字
DX + ，
DX-
GND
北卡罗来纳州
DRT
PIN号
1,
2
3
DQA PIN NO 。
1,2,
4, 5
3, 8
6, 7,
9, 10
TYPE
描述
高速ESD钳位电路提供ESD保护的高速差分
数据线
地
不能正常连接
ESD端口
GND
2
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TPD2EUSB30 ， TPD4EUSB30
TPD2EUSB30 ， TPD4EUSB30
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SLVSAC2 - 2010年8月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
IO电压容差
T
A
T
英镑
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
IEC 61000-4-2接触放电
ESD保护
IEC 61000-4-2气隙放电
(TPD2EUSB30)
IEC 61000-4-2气隙放电
(TPD4EUSB30)
峰值脉冲电流（T
p
= 8/20
女士）
峰值脉冲功率（T
p
= 8/20
女士）
(1)
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
0
–40
–65
最大
6
85
125
±8
±8
±9
5
45
°C
°C
kV
kV
kV
A
W
单位
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，和功能在这些或超出中的业务部门所标明的任何其他条件的设备的操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
电气特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
V
RWM
V
钳
I
IO
V
D
R
DYN
C
IO- IO
相反的立场-O FF电压
钳位电压
从IO端口引脚提供电流
二极管的正向电压
动态电阻
电容IO到IO
测试条件
D + ， D-引脚到地
D + ， D-引脚接地，
V
IO
= 2.5 V,
D +，D-引脚
低钳位二极管，
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚
D + ， D-引脚（DRT）
C
IO- GND
电容IO至GND
V
BR
击穿电压
D1+, D1-,
D2 + ， D2- （ DQA ）
I
IO
= 1毫安
V
IO
= 2.5 V
7
I
IO
= 1 A
I
D
= 8毫安
V
IO
= 2.5 V,
I
D
= 8毫安
I=1A
V
IO
= 2.5 V
0.6
0.01
0.8
1
0.05
0.7
0.8
pF
V
民
典型值
最大
5.5
8
0.1
0.95
单位
V
V
mA
V
pF
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3
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TPD2EUSB30 ， TPD4EUSB30
TPD2EUSB30 ， TPD4EUSB30
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典型工作特性
1.20E-12
T
A
= 25°C
10
5
1.10E-12
0
Capacitnace （法拉）
1.00E-12
漏电流（PA ）
–5
–10
–15
–20
–25
–30
–35
V
IO
= 2.5 V
D–
D+
9.00E-13
DQA包装
8.00E-13
DRT包装
7.00E-13
6.00E-13
5.00E-13
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
–40
–40
55
25
温度（℃）
85
电压（V）的
图1. IO电容VS IO电压
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
IPP （ A）
图2.漏电流与温度
60
11
10
9
8
测量一个IO ，
其他的IO开放
55
50
45
40
电流（A ）
的ppp （W）的
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
功率（W）的
0.5
0.0
0
5
10
15
20
25
30
时间（
m
s)
35
40
45
50
电流（A ）
35
30
25
20
15
10
7
6
5
4
3
2
5
0
1
0
0
5
10
15
20
电压（V）的
25
30
35
40
图3.峰值脉冲波形
图4. D +，D-线路脉冲发生器图（ 100纳秒
脉冲， 10 ns上升时间）
20
10
0
-10
-20
振幅（ V）
100
90
80
70
60
振幅（ V）
50
40
30
20
10
0
-10
-20
0
25
50
75
100
时间（纳秒）
125
150
175
200
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
0
25
50
75
100
时间（纳秒）
125
150
175
200
图5. IEC钳位波形（ 8 kV接触）
图6. IEC钳位波形（ -8千伏联系）
4
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应用信息
与TPDxEUSB30DRTR布局指南
请参阅
图7中的
在TPD2EUSB30DRTR提供节省空间的DRT包。该DRT包是
1毫米* 1毫米包与流过引脚映射为高速差分线路。该TPD4EUSB30DRTR
在节省空间的封装DQA提供。该DQA是1毫米* 2.5毫米封装流通引脚映射
高速差分线。建议把旁边的USB 3.0连接器的封装。
GND引脚应通过一个大的VIA连接到电路板的接地平面。如果一个专用的接地平面不
目前正下方，它是通过一个宽的走线建议路线到GND层。趋势/涌流
符合IEC ESD应力相关联的可以是30安培或更高短暂的范围内。一个良好的，低阻抗
GND路径确保了对IEC ESD应力系统的鲁棒性。
该TPDxEUSB30可以提供系统级ESD保护的高速差分端口（ >6 Gbps的数据
率） 。通流包提供了灵活性板与踪迹高达15轧机广泛的路由。它允许
差分信号对情侣在一起之后，他们接触到TPDxEUSB30的ESD端口。
TX +
VBUS
TX-
TPD2EUSB30DRTR
D-
D-
1-mm
GND
D+
USB 3.0
主机/控制器
GND
D+
RX +
8-mm
1-mm
GND
RX-
三TPD2EUSB30保护USB3.0 A类接口（其中一个层路由）
TPD4EUSB30
D1+
北卡罗来纳州
TX +
VBUS
TX-
D1-
北卡罗来纳州
2.5-mm
D-
GND
GND
USB 3.0
主机/控制器
GND
D+
RX +
GND
RX-
8-mm
D2+
北卡罗来纳州
D2-
北卡罗来纳州
1-mm
一个TPD4EUSB30 &一TPD2EUSB30保护USB3.0 A类接口的信号（第二层路由）
与TPDxEUSB30在USB3.0 A类连接器图7.布局指南
TPDxEUSB30眼图测试
SEE
图9
为TPDxEUSB30性能实验室的建立的演示。
图8
显示了一个实验板
这是旨在展示的眼孔图样质量的劣化有和没有TPD2EUSB30
在USB 3.0的信号路径。
图10
表明，只有2 ps的抖动罚到差分信号时
该TPD2EUSB30装置中加入在信号路径中。类似的设置用来测量眼图
该TPD4EUSB30 。
2010 ，德州仪器
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5
产品文件夹链接（ S） ：
TPD2EUSB30 ， TPD4EUSB30
QQ：2880707522 复制
