TPD2E001
www.ti.com
SLLS684F
–
2006年7月
–
修订后的2012年2月
低电容2通道
±15-kV
ESD保护阵列
对于高速数据接口
检查样品：
TPD2E001
1
特点
ESD保护超过
- ± 15千伏
人体模型（ HBM ）
- ± 8千伏
IEC 61000-4-2接触放电
- ± 15千伏
IEC 61000-4-2气隙放电
低1.5 pF的输入电容
最低1 -NA （最大）漏电流
最低1 -NA电源电流
0.9 V至5.5 V电源电压范围
两通道器件
节省空间的DRL ，干燥和QFN封装
选项
备用3-， 4-， 6-声道选项可用：
TPD3E001 ， TPD4E001和TPD6E001
应用
USB 2.0
ETHERNET
火线
视频
手机
SVGA视频连接
血糖仪
医学影像
23
描述/订购信息
该TPD2E001是一种低电容
±15-kV
ESD保护二极管阵列，旨在保护敏感的电子设备
附连到通信线路。每个通道都包含一对二极管，可以将ESD电流脉冲的V
CC
或GND 。该TPD2E001可防止ESD脉冲高达
±15-kV
人体模型（ HBM ） ，
±8-kV
联系
排放，
±15-kV
气隙放电，如IEC 61000-4-2规定。该器件具有1.5 pF的电容
每个通道，因此非常适合于高速数据IO接口的使用。
该TPD2E001是双通道装置，适用于USB和USB 2.0的应用程序。
该TPD2E001可在DRL ，干燥，薄型QFN封装，规定的
–40°C
至85°C操作。
的3 ×3mm的DRS的包，也可作为一种非磁性包用于医疗成像应用。
订购信息
T
A
包
(1)
(2)
订购型号
磁带和卷轴
磁带和卷轴
4000卷
5000卷
1000卷
250的卷轴
TPD2E001YFPR
TPD2E001DZDR
TPD2E001DRLR
TPD2E001DRYR
TPD2E001DRSR
TPD2E001DRST-NM
顶部端标记
预览
NFGO
2A_
2A
ZWK
ZWKNM
采用NanoStar
–
WCSP （ DSBGA ）
–
YFP
（无铅）
SOP
–
DZD
–40°C
至85℃
1.6
×
1.6 SOP （ SOT- 533 ）
–
DRL
1.45
×
1 SON
–
干
3
×
3 QFN
–
DRS
3× 3 SON
–
DRS （无磁性）
(1)
(2)
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar是德州仪器的商标。
FireWire是苹果电脑公司的商标。
版权
2006-2012年，德州仪器
除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPD2E001
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修订后的2012年2月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
IO
T
英镑
T
J
存储温度范围
结温
凹凸温度（焊接）
焊接温度（焊接， 10秒）
(1)
红外（ 15秒）
气相（ 60秒）
–0.3
–0.3
–65
最大
7
V
CC
+ 0.3
150
150
220
215
300
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是，和功能在这些或超出中的业务部门所标明的任何其他条件的设备的操作
规格是不是暗示。在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
V
CC
= 5 V
±
10%, T
A
= -40 ℃至85 ℃（除非另有说明）
参数
V
CC
I
CC
V
F
V
BR
电源电压
电源电流
二极管的正向电压
击穿电压
I
F
= 10毫安
I
BR
= 10毫安
T
A
= 25°C,
±15-kV
HBM ，
I
F
= 10 A
V
C
通道钳位电压
(2)
测试条件
民
0.9
典型值
(1)
1
最大
5.5
100
0.95
V
CC
+ 25
–25
V
CC
+ 60
–60
V
CC
+ 100
–100
±1
单位
V
nA
V
V
0.65
11
积极瞬变
负瞬态
积极瞬变
负瞬态
积极瞬变
负瞬态
T
A
= 25°C,
±8-kV
接触放电
（ IEC 61000-4-2 ） ，我
F
= 24 A
T
A
= 25°C,
±15-kV
气隙放电
（ IEC 61000-4-2 ） ，我
F
= 45 A
V
I
I / O
C
I / O
(1)
(2)
道泄漏电流
通道输入电容
V
I / O
= GND到V
CC
V
CC
= 5 V ，V的偏置
CC
/2
1.5
nA
pF
典型值是在V
CC
= 5 V和T
A
= 25°C
通道钳位电压不生产测试。
ESD保护
参数
HBM
IEC 61000-4-2接触放电
IEC 61000-4-2气隙放电
典型值
±15
±8
±15
单位
kV
kV
kV
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修订后的2012年2月
应用信息
0.1 F
V
CC
V
公共汽车
R
T
IO1
D+
USB
调节器
R
T
D1
D–
IO2
GND
GND
详细说明
当放置在连接器附近时， TPD2E001 ESD解决方案提供了在正常很少或没有信号失真
操作由于低IO电容和超低漏电流规格。该TPD2E001保证
核心电路进行保护，并且系统中的ESD冲击的情况下正常运行。为了正确
操作时，下面的布局/设计原则应遵循：
1.将TPD2E001溶液靠近连接器。这使得TPD2E001带走的能量
与ESD冲击相关联的才达到主板的内部电路。
2.将一个0.1 μF的电容非常接近V
CC
引脚。这限制了任何瞬间浪涌电压的IO引脚
在ESD冲击的事件。
3.确保有足够的金属的V
CC
和GND循环。在正常操作期间，该
TPD2E001消耗nA的漏电流。但在ESD事件中，V
CC
和GND可能会看到15 A至30 A
目前，取决于ESD级别。足够的电流路径使所有的能量安全放电
与ESD冲击有关。
4.保留未使用的IO引脚悬空。
5. V
CC
销可连接两种不同的方法：
（a）如果在V
CC
销被连接到所述系统供电， TPD2E001可以作为一个瞬变抑制器
对于上述V的任何信号摆幅
CC
+ V
F
。一个0.1 μF的电容装置V
CC
引脚被推荐用于ESD
绕行。
（b）若在V
CC
针没有连接到系统的电源， TPD2E001可以容忍更高的信号
摆在范围可达10V。请注意，一个0.1 μF的电容仍建议在V
CC
引脚
ESD绕行。
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