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TPD1E10B09
www.ti.com
SLLSEB0A - 2012年2月 - 修订2012年3月
在0402封装的单通道ESD保护器件
检查样品:
TPD1E10B09
1
特点
提供系统级ESD保护
低电压IO接口
IEC 61000-4-2第4级
- ± 20kV的(气隙放电) ,
- ± 20kV的(接触放电)
IEC 61000-4-5 (浪涌) : 4.5A ( 8 / 20μS )
IO电容为10pF (典型值)
R
DYN
0.5Ω (典型值)
直流击穿电压± 9.5V (最小值)
超低漏电流为100nA (典型值)
13V钳位电压(最大值为我
PP
= 1A)
工业级温度范围: -40 ° C至125°C
节省空间的0402足迹
(高度仅1mm X 0.6毫米X 0.5mm)的
应用
手机
电子书
便携式媒体播放器
数码相机
机上盒
打印机
手持式电子产品
设备CON组fi guration
描述
该TPD1E10B09是在一个小0402封装的单个信道的ESD保护器件。该器件提供± 20KV
IEC气隙, ± 20KV接触ESD保护,并且具有ESD钳位电路具有背到背二极管为双极
或双向信号支持。 10pF的电容线是适合于广泛的应用支持
数据传输速率高达500Mbps的。为TPD1E10B09典型的应用领域是音频线(麦克风,耳机
和扬声器) , USB端口的SD接口,键盘或其他按钮,和VBUS引脚( ID)。
0402封装工业标准,便于节省空间的应用程序组件的位置。
该TPD1E10B09的特点是工作在-40 °C的环境温度为125°C 。
订购信息
T
A
-40_C到125_C
(1)
(2)
10000
(1) (2)
订购型号
TPD1E10B09DPYR
顶部端标记
A_
磁带和卷轴
包装图纸,热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2012,德州仪器
TPD1E10B09
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
工作温度范围
储存温度
IEC 61000-4-2接触放电ESD
IEC 61000-4-2气隙静电放电
I
PP
P
PP
峰值脉冲电流( TP = 8/20
μs)
峰值脉冲功率( TP = 8/20
μs)
-40
–65
最大
125
155
±20
±20
4.5
90
单位
°C
°C
kV
kV
A
W
电气特性
T
A
= -40 ° C至85°C ,除非另有说明
参数
V
RWM
I
泄漏
VClamp1,2
VClamp2,1
R
DYN
C
IO
V
BR1,2
V
BR2,1
(1)
(2)
相反的立场-O FF电压
漏电流
钳位电压ESD冲击的脚1,脚2
接地。
钳位电压ESD冲击的2脚, 1脚
接地。
动态电阻
IO电容
击穿电压,引脚1到引脚2
击穿电压,引脚2到引脚1
测试条件
针1 2针或2比1
引脚1 = 5 V ,引脚2 = 0 V
I
PP
= 1 , TP = 8/20
微秒
(1)
典型值
最大
9
100
13
17
13
20
单位
V
nA
V
V
Ω
pF
V
V
I
PP
= 5 A, TP = 8/20
微秒
(1)
I
PP
= 1 , TP = 8/20
微秒
(1)
I
PP
= 5 A, TP = 8/20
微秒
引脚1到引脚2
(2)
引脚2到引脚1
V
IO
= 2.5 V
I
IO
= 1毫安
I
IO
= 1毫安
9.5
9.5
(2)
(1)
0.5
0.5
10
非重复性电流脉冲8/20美国指数根据IEC61000-4-5波形衰减
的R提取
DYN
使用合适的我之间的TLP特点最小二乘
PP
= 10A和我
PP
= 20A.
2
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TPD1E10B09
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典型特征
90
80
70
60
幅度 - V
50
TPD1E10B09DPY
40
30
20
10
0
-10
-15
0
15
30
45
60 75
90 105 120 135 150 165 180 195 210 225
时间 - NS
图1. ESD钳位电压+ 8kV接触静电放电
10
0
-10
-20
幅度 - V
-30
-40
-50
-60
TPD1E10B09DPY
-70
-80
-90
-15
0
15
30
45
60 75
90 105 120 135 150 165 180 195 210 225
时间 - NS
图2. ESD钳位电压-8kV联系ESD
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3
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典型特性(续)
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
电压 - V
R
DYN
= 0.509
W
电流 - 一个
图3.传输线路脉冲( TLP )波形针脚1到2脚
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
电压 - V
R
DYN
= 0.504
W
电流 - 一个
图4.传输线路脉冲( TLP )波形PIN2码中Pin1
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典型特性(续)
1.0E–03
8.0E–04
6.0E–04
4.0E–04
电流 - 一个
2.0E–04
0.0E+00
–2.0E–04
–4.0E–04
–6.0E–04
–8.0E–04
–1.0E–03
-14
-12
-10
-8
-6
-4
0
-2
2
电压 - V
4
6
8
10
12
14
图5. IV曲线
7
6
5
140
120
100
7
6
5
140
120
100
80
60
40
20
电流 - 一个
功率 - 含
电流 - 一个
4
3
A
W
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
时间 - 微秒
35
40
45
80
60
40
20
0
50
4
3
2
1
A
W
0
0
5
10
15
20
25
30
时间 - 微秒
35
40
45
0
50
图6.正向浪涌波形8 /20μS
15
14
13
12
11
10
图7.负浪涌波形8 /20μS
3
0
-3
-6
-9
电容 - pF的
亏损 - 分贝
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
BIAS
- V
3
3.5
4
4.5
5
-12
-15
-18
-21
-24
-27
-30
-33
1.0E+05
1.0E+06
1.0E+07
1.0E+08
频率 - 赫兹
1.0E+09
1.0E+10
图8引脚电容跨V
BIAS
图9.插入损耗
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TPD1E10B09DPYR
    -
    -
    -
    -
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联系人:夏先生 朱小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室(本公司为一般纳税人,可开增票)
TPD1E10B09DPYR
TI
25+
5000
X1SON2
只做原装正品
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TI(德州仪器)
22+
9295
原装原厂公司现货
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TI/德州仪器
24+
11631
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全新原装正品现货热卖
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联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539
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TI(德州仪器)
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X1SON-2
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
TPD1E10B09DPYR
TI
25+23+
53000
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绝对进口原装原包原盘!深圳优势现货渠道商!
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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21+
20000
X2SON-2
只做原装实单申请
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联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
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TI/德州仪器
50000
21+
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0.1
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联系人:李先生 李小姐
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24+
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