TPD1033F
东芝智能功率器件
硅单片功率MOS集成电路
TPD1033F
高侧电源开关电机，螺线管和灯驱动器
该TPD1033F是高边开关单片电源IC 。
该集成电路有一个垂直的MOS FET的输出可以直接
由CMOS或TTL逻辑电路（例如，一个MPU ）来驱动。
该设备配备有智能的自我保护和诊断
功能。
特点
用新结构的单片电源IC结合了控制
块（双CMOS）和一个垂直功率MOS FET （ π - MOS）的
在一个单芯片
负载的一侧可以接地到一个高侧开关
可以直接从一个微处理器驱动的功率负载。
内置防热关断和负载
短路。
重量0.08克（典型值）
采用了自诊断功能，使诊断输出将在负载的情况下从外部读
短路，打开或过热。
达的反电动势从L-负载-10 V可以被施加。
低导通电阻
低工作电流
: R
ON
= 220毫欧（最大值）
: I
DD
= 1 mA（典型值） ， （ @V
DD
= 12 V, V
IN
= 0 V)
8引脚的SOP封装为表面安装可装在磁带上。
引脚分配
记号
IN 1
DIAG 2
GND 3
V
DD
4
8北卡罗来纳州
7 OUT
6 OUT
5 OUT
TPD1033
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
（ ● ）上标记的左下角显示引脚1 。
（ TOP VIEW ）
注意：
由于它的MOS结构，该产品对静电敏感。
1
2006-10-31
TPD1033F
框图
引脚说明
PIN号
符号
功能
输入引脚。
输入为CMOS兼容，与下拉电阻连接。
即使输入是开放的，输出将不会意外地打开。
自我诊断检测引脚。变为低电平时的过热检测，或当输出被短路的
输入上（高） 。
N沟道开漏输出。
接地引脚。
电源引脚。
输出引脚。
当负载被短路和电流超过上述检测电流的（ 8所述的典型值）流至
输出引脚，输出自动开启或关闭。
1
IN
2
3
4
5, 6, 7
DIAG
GND
V
DD
OUT
2
2006-10-31
TPD1033F
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
电源电压
DC
脉冲
DC
脉冲
符号
V
DS
V
DD (1)
V
DD (2)
V
在（1）
V
在（2）
V
DIAG
I
O
I
IN
I
DIAG
P
D
T
OPR
T
ch
T
英镑
1.4
2.4
等级
60
25
60 （卢比= 1Ω ， τ = 250毫秒）
-0.5 ~ 12
V
DD (1)
+ 1.5 （T = 100毫秒）
-0.5 ~ 25
内部限制
± 10
5
注1
注2
团结
V
V
V
V
V
V
A
mA
mA
W
°C
°C
°C
输入电压
诊断输出电压
输出电流
输入电流
诊断输出电流
功耗（ TA = 25℃）
工作温度
通道温度
储存温度
- 40 ~ 110
150
- 55 ~ 150
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
热阻
特征
热阻
符号
R
第（章-a）的
测试条件
89.3 （注1 ）
52.1 （注2）
单位
° C / W
注1 ：安装在玻璃环氧基板（25.4毫米× 25.4毫米× 0.8mm）的（DC）的
注2 ：安装在玻璃环氧基板（25.4毫米× 25.4毫米× 0.8mm）的（叔
W
≤
10 s)
4
2006-10-31
TPD1033F
东芝智能功率器件
硅单片功率MOS集成电路
TPD1033F
高侧电源开关电机，螺线管和灯驱动器
该TPD1033F是高边开关单片电源IC 。
该集成电路有一个垂直的MOS FET的输出可以直接
由CMOS或TTL逻辑电路（例如，一个MPU ）来驱动。
该设备配备有智能的自我保护和诊断
功能。
特点
用新结构的单片电源IC结合了控制
块（双CMOS）和一个垂直功率MOS FET （ π - MOS）的
在一个单芯片
负载的一侧可以接地到一个高侧开关
可以直接从一个微处理器驱动的功率负载。
内置防热关断和负载
短路。
重量0.08克（典型值）
采用了自诊断功能，使诊断输出将在负载的情况下从外部读
短路，打开或过热。
达的反电动势从L-负载-10 V可以被施加。
低导通电阻
低工作电流
: R
ON
= 220毫欧（最大值）
: I
DD
= 1 mA（典型值） ， （ @V
DD
= 12 V, V
IN
= 0 V)
8引脚的SOP封装为表面安装可装在磁带上。
引脚分配
记号
IN 1
DIAG 2
GND 3
V
DD
4
8北卡罗来纳州
7 OUT
6 OUT
5 OUT
TPD1033
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
（ ● ）上标记的左下角显示引脚1 。
（ TOP VIEW ）
注意：
由于它的MOS结构，该产品对静电敏感。
1
2006-10-31
TPD1033F
框图
引脚说明
PIN号
符号
功能
输入引脚。
输入为CMOS兼容，与下拉电阻连接。
即使输入是开放的，输出将不会意外地打开。
自我诊断检测引脚。变为低电平时的过热检测，或当输出被短路的
输入上（高） 。
N沟道开漏输出。
接地引脚。
电源引脚。
输出引脚。
当负载被短路和电流超过上述检测电流的（ 8所述的典型值）流至
输出引脚，输出自动开启或关闭。
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IN
2
3
4
5, 6, 7
DIAG
GND
V
DD
OUT
2
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TPD1033F
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
电源电压
DC
脉冲
DC
脉冲
符号
V
DS
V
DD (1)
V
DD (2)
V
在（1）
V
在（2）
V
DIAG
I
O
I
IN
I
DIAG
P
D
T
OPR
T
ch
T
英镑
1.4
2.4
等级
60
25
60 （卢比= 1Ω ， τ = 250毫秒）
-0.5 ~ 12
V
DD (1)
+ 1.5 （T = 100毫秒）
-0.5 ~ 25
内部限制
± 10
5
注1
注2
团结
V
V
V
V
V
V
A
mA
mA
W
°C
°C
°C
输入电压
诊断输出电压
输出电流
输入电流
诊断输出电流
功耗（ TA = 25℃）
工作温度
通道温度
储存温度
- 40 ~ 110
150
- 55 ~ 150
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
热阻
特征
热阻
符号
R
第（章-a）的
测试条件
89.3 （注1 ）
52.1 （注2）
单位
° C / W
注1 ：安装在玻璃环氧基板（25.4毫米× 25.4毫米× 0.8mm）的（DC）的
注2 ：安装在玻璃环氧基板（25.4毫米× 25.4毫米× 0.8mm）的（叔
W
≤
10 s)
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