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TPD1028BS
东芝智能功率器件的硅单片功率MOS IC
TPD1028BS
低边开关的电机，螺线管和灯驱动器
TPD1028BS是用于低侧开关的单片功率IC 。该IC
具有垂直MOSFET的输出，可以从直接驱动
的CMOS或TTL逻辑电路（例如， MPU） 。该IC提供
智能自我保护功能。
特点
l
有一个新的结构结合了单片电源IC
控制块和一个垂直功率MOSFET （ π - MOS）的
单个芯片中。
内置过电压保护电路，负载短路
短路和热关断。
l
可以直接由CMOS或TTL逻辑驱动功率负载。
l
重量：0.58克（典型值）。
l
低导通电阻。
DS （ ON）
= 0.25 （最大） （ @V
IN
= 5 V ，T
j
=
25°C)
l
封装TO -92 （ MOD） ，可以装在磁带上。
引脚分配
注意：
因为它的MOS结构，也就是说，该产品对静电敏感。
1
2002-10-24
TPD1028BS
框图
引脚说明
PIN号
1
符号
IN
引脚说明
输入引脚。
该引脚被连接到下拉电阻器内部，因此，即使当输入布线是开路的，
outputcan永远不会被无意中打开。
输出引脚。
如果冲击电流流动（例如，从一盏灯），电流被钳位在10 A（典型值）通过一个过电流
保护电路。此外，一个150微秒（典型值）屏蔽电路在内部包含，使得若V
DS
≥12
V（典型值）后，这
面膜的时间，目前被钳制在3 A（典型值） 。
接地引脚。
2
OUT
3
GND
时序图
2
2002-10-24
TPD1028BS
真值表
In
L
H
L
H
L
H
L
H
VOUT
H
L
H
L
H
L
H
H
状态
正常
过电流
（期间的浪涌）
过电流
（负载短路）
过热
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
输出电流
输入电压
功耗
能容忍
工作温度
结温
符号
V
DS （ DC ）
I
D
V
IN
P
D
E
S / B
T
OPR
T
j
等级
40
1.5
0.5 ~ 6
0.9
200
40 ~ 85
150
单位
V
A
V
W
mJ
°C
°C
3
2002-10-24
TPD1028BS
电气特性
(T
j
= 25°C)
特征
漏源击穿
电压
工作电源电压
符号
V
（ BR ） DSS
V
DD
V
IH(1)
高电平输入电压
V
IH(2)
V
IH(3)
V
IL(1)
低电平输入电压
V
IL(2)
V
IL(3)
电流输出关闭
输入电流
抗性
热关断温度
I
DSS(1)
I
DSS(2)
I
IN
R
DS （ ON）
T
S
I
S(1)
过电流保护
I
S(2)
负载短路检测
电压
开关时间
二极管的正向电压
漏极和源极之间
V
DS
t
ON
t
关闭
V
DSF
―
―
1
―
TEST
税务局局长
CUIT
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
测试条件
V
IN
= 0 V，I
D
= 10毫安
―
V
DS
= 24 V，I
D
= 1 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.75 A
V
DS
= 38 V，I
D
= 0.75 A
V
DS
= 24 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 38 V，I
D
= 10 A
V
IN
= 0 V, V
DS
= 40 V
V
IN
= 0 V, V
DS
= 24 V
V
IN
= 5 V,
在正常操作
V
IN
= 5 V，I
D
= 1 A
V
IN
= 5 V
V
DS
= 24 V, V
IN
= 5 V,
在突
V
DS
= 24 V, V
IN
= 5 V,
当负载短路
当负载短路
V
DS
= 24 V, V
IN
= 5 V,
R
L
= 24
I
F
= 1.5 A
民
40
―
4.5
3.9
3.9
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
5
5
5
―
―
―
―
―
―
―
160
10
3
12
70
120
0.9
最大
―
38
5.5
5.7
5.7
0.8
0.8
0.8
100
10
300
0.25
―
―
A
―
―
―
―
1.8
V
s
V
A
A
°C
V
V
单位
V
V
测试电路1
4
2002-10-24
TPD1028BS
5
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TPD1028BS
东芝智能功率器件的硅单片功率MOS IC
TPD1028BS
低边开关的电机，螺线管和灯驱动器
TPD1028BS是用于低侧开关的单片功率IC 。该IC
具有垂直MOSFET的输出，可以从直接驱动
的CMOS或TTL逻辑电路（例如， MPU） 。该IC提供
智能自我保护功能。
特点
l
有一个新的结构结合了单片电源IC
控制块和一个垂直功率MOSFET （ π - MOS）的
单个芯片中。
内置过电压保护电路，负载短路
短路和热关断。
l
可以直接由CMOS或TTL逻辑驱动功率负载。
l
重量：0.58克（典型值）。
l
低导通电阻。
DS （ ON）
= 0.25 （最大） （ @V
IN
= 5 V ，T
j
=
25°C)
l
封装TO -92 （ MOD） ，可以装在磁带上。
引脚分配
注意：
因为它的MOS结构，也就是说，该产品对静电敏感。
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TPD1028BS
框图
引脚说明
PIN号
1
符号
IN
引脚说明
输入引脚。
该引脚被连接到下拉电阻器内部，因此，即使当输入布线是开路的，
outputcan永远不会被无意中打开。
输出引脚。
如果冲击电流流动（例如，从一盏灯），电流被钳位在10 A（典型值）通过一个过电流
保护电路。此外，一个150微秒（典型值）屏蔽电路在内部包含，使得若V
DS
≥12
V（典型值）后，这
面膜的时间，目前被钳制在3 A（典型值） 。
接地引脚。
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OUT
3
GND
时序图
2
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TPD1028BS
真值表
In
L
H
L
H
L
H
L
H
VOUT
H
L
H
L
H
L
H
H
状态
正常
过电流
（期间的浪涌）
过电流
（负载短路）
过热
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
输出电流
输入电压
功耗
能容忍
工作温度
结温
符号
V
DS （ DC ）
I
D
V
IN
P
D
E
S / B
T
OPR
T
j
等级
40
1.5
0.5 ~ 6
0.9
200
40 ~ 85
150
单位
V
A
V
W
mJ
°C
°C
3
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TPD1028BS
电气特性
(T
j
= 25°C)
特征
漏源击穿
电压
工作电源电压
符号
V
（ BR ） DSS
V
DD
V
IH(1)
高电平输入电压
V
IH(2)
V
IH(3)
V
IL(1)
低电平输入电压
V
IL(2)
V
IL(3)
电流输出关闭
输入电流
抗性
热关断温度
I
DSS(1)
I
DSS(2)
I
IN
R
DS （ ON）
T
S
I
S(1)
过电流保护
I
S(2)
负载短路检测
电压
开关时间
二极管的正向电压
漏极和源极之间
V
DS
t
ON
t
关闭
V
DSF
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―
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TEST
税务局局长
CUIT
―
―
―
―
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―
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―
―
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―
测试条件
V
IN
= 0 V，I
D
= 10毫安
―
V
DS
= 24 V，I
D
= 1 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 0.75 A
V
DS
= 38 V，I
D
= 0.75 A
V
DS
= 24 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 38 V，I
D
= 10 A
V
IN
= 0 V, V
DS
= 40 V
V
IN
= 0 V, V
DS
= 24 V
V
IN
= 5 V,
在正常操作
V
IN
= 5 V，I
D
= 1 A
V
IN
= 5 V
V
DS
= 24 V, V
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= 5 V,
在突
V
DS
= 24 V, V
IN
= 5 V,
当负载短路
当负载短路
V
DS
= 24 V, V
IN
= 5 V,
R
L
= 24
I
F
= 1.5 A
民
40
―
4.5
3.9
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―
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―
―
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―
典型值。
―
―
5
5
5
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―
―
―
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―
160
10
3
12
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120
0.9
最大
―
38
5.5
5.7
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0.8
0.8
0.8
100
10
300
0.25
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A
―
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V
s
V
A
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°C
V
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单位
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测试电路1
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2002-10-24
TPD1028BS
5
2002-10-24
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TDA7541W
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TS80C32X2-VCE
TMS27C128-12NL
TMP3C6416DZLZA300
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TV15C170J-G
TL1591
TSOP75256
TA32305FN
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