TPCS8302
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSIII ）
TPCS8302
锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式机器和工具
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 22毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| =
12
S（ TYP 。 ）
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
20
V)
增强型： V
th
=
0.5~1.2
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
200
A)
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
P
D (2)
P
D (1)
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±12
5
20
1.1
W
0.75
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3R1E
耗电
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2A ）的双重操作
（注3B ）
单设备
耗电
操作（注3A ）
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2B ）的双重操作
（注3B ）
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
单设备
操作（注3A ）
重量： 0.035克（典型值）。
0.6
W
0.35
电路CON组fi guration
8
7
6
5
32.5
5
0.075
150
55~150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ） （注5 ） ，请参见下页。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2002-05-07
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热特性
特征
单设备操作
（注3A ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
114
° C / W
167
单位
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）的单设备价值
双操作
（注3B ）
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B） ，在单器件值
双操作
（注3B ）
单设备操作
（注3A ）
208
° C / W
357
记号
（注6 ）
TYPE
S8302
※
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
a)
设备安装在玻璃环氧基板（一）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
b)
设备安装在玻璃环氧基板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ：
a)
b)
的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个设备。 ）
的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ： V
DD
= 16
V，T
ch
=
25℃ ，L-
=
1.0 mH的，我
AR
= 5
A，R
G
=
25
注5 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注6 ：
○
较低的标记权表示引脚1 。
*
示批号。生产（年：生产年份的最后一个十进制数，月
制作：一月到十二月是由字母A ，分别表示为L）
2
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东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSIII ）
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锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式机器和工具
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 22毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| =
12
S（ TYP 。 ）
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
20
V)
增强型： V
th
=
0.5~1.2
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
200
A)
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
P
D (2)
P
D (1)
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±12
5
20
1.1
W
0.75
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3R1E
耗电
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2A ）的双重操作
（注3B ）
单设备
耗电
操作（注3A ）
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2B ）的双重操作
（注3B ）
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
单设备
操作（注3A ）
重量： 0.035克（典型值）。
0.6
W
0.35
电路CON组fi guration
8
7
6
5
32.5
5
0.075
150
55~150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ） （注5 ） ，请参见下页。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2002-05-07
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热特性
特征
单设备操作
（注3A ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
114
° C / W
167
单位
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）的单设备价值
双操作
（注3B ）
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B） ，在单器件值
双操作
（注3B ）
单设备操作
（注3A ）
208
° C / W
357
记号
（注6 ）
TYPE
S8302
※
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
a)
设备安装在玻璃环氧基板（一）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
b)
设备安装在玻璃环氧基板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ：
a)
b)
的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个设备。 ）
的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ： V
DD
= 16
V，T
ch
=
25℃ ，L-
=
1.0 mH的，我
AR
= 5
A，R
G
=
25
注5 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注6 ：
○
较低的标记权表示引脚1 。
*
示批号。生产（年：生产年份的最后一个十进制数，月
制作：一月到十二月是由字母A ，分别表示为L）
2
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东芝场效应晶体管
硅P沟道MOS型（ U- MOSIII ）
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锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 22毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 12 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10 μA
（最大值） （Ⅴ
DS
=
20
V)
增强型： V
th
=
0.5~1.2
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
200 μA)
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
P
D (2)
P
D (1)
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±12
5
20
1.1
W
0.75
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3R1E
耗电
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2A ）的双重操作
（注3B ）
单设备
耗电
操作（注3A ）
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2B ）的双重操作
（注3B ）
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
单设备
操作（注3A ）
重量： 0.035克（典型值）。
0.6
W
0.35
电路CON组fi guration
8
7
6
5
32.5
5
0.075
150
55
150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ）和（注5 ） ：参见下页。
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2009-09-29
TPCS8302
热特性
特征
单设备操作
（注3A ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
114
° C / W
167
单位
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）的单设备价值
双操作
（注3B ）
单设备操作
（注3A ）
208
° C / W
357
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B） ，在单器件值
双操作
（注3B ）
记号
（注6 ）
产品型号（或缩写代码）
S8302
LOT号
注7：
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ：1） ，安装到玻璃环氧树脂基板（一）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
二）装置安装在玻璃环氧基板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ：1）的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个设备。 ）
二）的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ： V
DD
= 16
V，T
ch
=
25℃ ，L-
=
1.0 mH的，我
AR
= 5
A，R
G
=
25
Ω
注5 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注6 ：
○
上的标记的左下表示引脚1 。
※
每周的代码：
（三位数）
制造周
（ 01年第一周，持续到52或53 ）
制造年份
（日历年的最后一位数字）
注7 ：下一个批号的行标识产品标签的指示。
没有下划线： [铅] /包括> MCV
下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表的详细情况，诸如环境问题，如RoHS指令
产品的兼容性。 RoHS指令的指令2002/95 / EC欧洲议会和27局的
2003年1月关于在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。
2
2009-09-29
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东芝场效应晶体管
硅P沟道MOS型（ U- MOSIII ）
TPCS8302
锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 22毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 12 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10 μA
（最大值） （Ⅴ
DS
=
20
V)
增强型： V
th
=
0.5~1.2
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
200 μA)
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
P
D (2)
P
D (1)
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±12
5
20
1.1
W
0.75
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3R1E
耗电
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2A ）的双重操作
（注3B ）
单设备
耗电
操作（注3A ）
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2B ）的双重操作
（注3B ）
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
单设备
操作（注3A ）
重量： 0.035克（典型值）。
0.6
W
0.35
电路CON组fi guration
8
7
6
5
32.5
5
0.075
150
55~150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ）和（注5 ） ：参见下页。
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2006-11-16
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东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSIII ）
TPCS8302
锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式机器和工具
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 22毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| =
12
S（ TYP 。 ）
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
20
V)
增强型： V
th
=
0.5~1.2
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
200
A)
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
P
D (2)
P
D (1)
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±12
5
20
1.1
W
0.75
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3R1E
耗电
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2A ）的双重操作
（注3B ）
单设备
耗电
操作（注3A ）
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2B ）的双重操作
（注3B ）
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
单设备
操作（注3A ）
重量： 0.035克（典型值）。
0.6
W
0.35
电路CON组fi guration
8
7
6
5
32.5
5
0.075
150
55~150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ） （注5 ） ，请参见下页。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2002-05-07
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热特性
特征
单设备操作
（注3A ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
114
° C / W
167
单位
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）的单设备价值
双操作
（注3B ）
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B） ，在单器件值
双操作
（注3B ）
单设备操作
（注3A ）
208
° C / W
357
记号
（注6 ）
TYPE
S8302
※
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
a)
设备安装在玻璃环氧基板（一）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
b)
设备安装在玻璃环氧基板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ：
a)
b)
的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个设备。 ）
的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ： V
DD
= 16
V，T
ch
=
25℃ ，L-
=
1.0 mH的，我
AR
= 5
A，R
G
=
25
注5 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注6 ：
○
较低的标记权表示引脚1 。
*
示批号。生产（年：生产年份的最后一个十进制数，月
制作：一月到十二月是由字母A ，分别表示为L）
2
2002-05-07
QQ：2880707522 复制
