TPCS8212
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSIII ）
TPCS8212
锂离子电池应用
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 16毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 11 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10 μA （最大值） （V
DS
= 20 V)
增强型： V
th
= 0.5~1.2 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 200 A)
公共漏
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
P
D (2)
P
D (1)
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±12
6
24
1.1
单位
V
V
V
A
耗电
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2A ）的双重操作
（注3B ）
耗电
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2B ）的双重操作
（注3B ）
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
单设备
操作（注3A ）
单设备
操作（注3A ）
JEDEC
JEITA
东芝
W
―
―
2-3R1E
0.75
重量： 0.035克（典型值）。
0.6
电路CON组fi guration
0.35
8
46.8
6
0.075
150
55~150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
7
6
5
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ） （注5 ）请参阅下页。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2002-01-17
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热特性
特征
单设备操作
（注3A ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
114
° C / W
167
单位
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）的单设备价值
双操作
（注3B ）
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B） ，在单器件值
双操作
（注3B ）
单设备操作
（注3A ）
208
° C / W
357
记号
（注6 ）
TYPE
S8212
※
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
a)
设备安装在玻璃环氧基板（一）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
b)
设备安装在玻璃环氧基板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ：
a)
b)
的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个装置）。
的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ： V
DD
=
16 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
1.0 mH的，R
G
=
25
,
I
AR
=
6 A
注5 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度。
注6 ：
○
较低的标记权表示引脚1 。
*
示批号。生产（年：生产年份的最后一个十进制数，月
制作：一月到十二月是由字母A ，分别表示为L）
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东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ U- MOSIII ）
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锂离子电池应用
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 16毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 11 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10 μA （最大值） （V
DS
= 20 V)
增强型： V
th
= 0.5~1.2 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 200 A)
公共漏
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
P
D (2)
P
D (1)
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±12
6
24
1.1
单位
V
V
V
A
耗电
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2A ）的双重操作
（注3B ）
耗电
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2B ）的双重操作
（注3B ）
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
单设备
操作（注3A ）
单设备
操作（注3A ）
JEDEC
JEITA
东芝
W
―
―
2-3R1E
0.75
重量： 0.035克（典型值）。
0.6
电路CON组fi guration
0.35
8
46.8
6
0.075
150
55~150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
7
6
5
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ） （注5 ）请参阅下页。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
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热特性
特征
单设备操作
（注3A ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
114
° C / W
167
单位
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）的单设备价值
双操作
（注3B ）
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B） ，在单器件值
双操作
（注3B ）
单设备操作
（注3A ）
208
° C / W
357
记号
（注6 ）
TYPE
S8212
※
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：
a)
设备安装在玻璃环氧基板（一）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
b)
设备安装在玻璃环氧基板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ：
a)
b)
的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个装置）。
的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
注4 ： V
DD
=
16 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
1.0 mH的，R
G
=
25
,
I
AR
=
6 A
注5 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度。
注6 ：
○
较低的标记权表示引脚1 。
*
示批号。生产（年：生产年份的最后一个十进制数，月
制作：一月到十二月是由字母A ，分别表示为L）
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东芝场效应晶体管
硅N沟道MOS型（ U- MOSIII ）
TPCS8212
锂离子电池应用
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 16毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 11 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 20 V)
增强型： V
th
= 0.5~1.2 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 200
μA)
公共漏
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
P
D (2)
P
D (1)
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±12
6
24
1.1
单位
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3R1E
单设备
耗电
操作（注3A ）
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2A ）的双重操作
（注3B ）
耗电
耗散
单设备价值
(t
=
10 s)
（注2B ）的双重操作
（注3B ）
单脉冲雪崩能量
（注4 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
单设备
操作（注3A ）
0.75
W
0.6
重量： 0.035克（典型值）。
电路CON组fi guration
0.35
8
7
6
5
46.8
6
0.075
150
55~150
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ）和（注5 ） ：参见下页。
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
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2007-01-16
QQ：2880707522 复制
