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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第875页 > TPCS8105
TPCS8105
东芝场效应晶体管
硅P沟道MOS类型（U - MOS IV ）
TPCS8105
锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 9.6毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 23 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10 μA
（最大值） （Ⅴ
DS
=
30
V)
增强型： V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
1,2,3
4
5,6,7,8
来源
门
漏
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
脉冲（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
10
40
1.1
0.6
26
10
0.11
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3R1F
重量： 0.035克（典型值）。
电路CON组fi guration
8
7
6
5
漏极功耗（T
=
10 s)
（注2A ）
漏极功耗（T
=
10 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注2A ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
1
2
3
4
注： （注1 ） （注2 ） （注3）和（注4 ） ：参见下页。
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2006-11-16
TPCS8105
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B ）
符号
R
第（章-a）的
R
第（章-a）的
最大
114
208
单位
° C / W
° C / W
记号
（注5 ）
产品型号（或缩写代码）
S8105
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ：
（一） ，安装到玻璃环氧树脂基板（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
= 24
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
0.2 mH的，R
G
=
25
Ω,
I
AR
= 10
A
注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：
○
较低的标记权表示引脚1 。
※
每周的代码：
（三位数）
制造周
（ 01年第一周：连续数达52或53 ）
制造年份
（每年的最后一位数字）
2
2006-11-16
TPCS8105
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源极电荷1
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
0V
I
D
= 5
A
V
OUT
R
L
=
3
Ω
4.7
Ω
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
= 30
V, V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
20 V
V
DS
= 10
V，I
D
= 1
mA
V
GS
= 4
V，I
D
= 5
A
V
GS
= 10
V，I
D
= 5
A
V
DS
= 10
V，I
D
= 5
A
民
30
15
0.8
11
V
DD
24
V, V
GS
=
10 V,
I
D
= 10
A
典型值。
13.5
9.6
23
5710
560
590
18
23
109
396
107
12
20
最大
±10
10
2.0
19.5
13.5
ns
nC
pF
单位
μA
μA
V
V
mΩ
S
V
GS
10
V
V
DD
15
V
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
反向漏电流
正向电压（二极管）
脉冲
（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
= 10
A，V
GS
=
0 V
民
典型值。
最大
40
1.2
单位
A
V
3
2006-11-16
TPCS8105
I
D
– V
DS
10
10
5
2.5
2.4
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
2.3
2.2
20
10
5 3
I
D
– V
DS
2.6
2.5
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
2.4
(A)
I
D
6
I
D
漏电流
(A)
8 3
2.6
16
12
2.3
8
2.2
4
2.1
漏电流
4
2.1
2
VGS
= 2
V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
VGS
= 2
V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
20
0.5
V
DS
– V
GS
V
DS
(V)
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
I
D
(A)
16
0.4
100
8
25
4
Ta
= 55°C
漏源电压
12
0.3
漏电流
0.2
0.1
2.5
ID
= 11
A
5.5
0
0
1
2
3
4
5
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
100
Ta
= 55°C
100
10
R
DS （ ON）
– I
D
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
|Y
fs
|
(S)
正向转移导纳
25
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
VGS
= 4
V
10
10
1
0.1
0.1
1
10
100
1
1
10
100
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
4
2006-11-16
TPCS8105
R
DS （ ON）
- TA
20
常见的来源
脉冲测试
16
5
12
VGS
= 4
V
ID
= 11
A
2.5
5
100
I
DR
– V
DS
(A)
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
ID
= 11
A
2.5
10
10
5
3
1
8
反向漏电流
I
DR
1
VGS
=
0 V
4
VGS
= 10
V
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
环境温度
Ta
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
2.5
V
th
- TA
常见的来源
VDS
= 10
V
2.0
ID
= 1
mA
脉冲测试
1.5
（PF ）
电容
科斯
CRSS
栅极阈值电压
1000
C
V
th
(V)
西塞
1.0
100
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
10
0.1
1
10
100
0.5
0
80
40
0
40
80
120
160
环境温度
Ta
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
P
D
- TA
2.0
动态输入/输出
特征
30
12
(W)
P
D
t
=
10 s
1.2
(1)
0.8
12
20
VDS
12
15
6
10
VGS
常见的来源
ID
= 11
A
Ta
=
25°C
脉冲测试
5
2
4
VDD
= 24
V
6
8
漏极功耗
漏源电压
(2)
0.4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
20
40
60
80
100
120
0
140
环境温度
Ta
(°C)
总栅极电荷
Q
g
（ NC ）
5
2006-11-16
栅源电压
V
GS
1.6
（ 2）设备安装在一
玻璃环氧基板（二） （注2b）的
(V)
25
VDD
= 24
V
10
6
V
DS
(V)
（1）设备安装在一
玻璃环氧基板（一）（注2a）的
TPCS8105
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（U - MOS IV ）
TPCS8105
锂离子电池应用
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 9.6毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 23 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
30
V)
增强型： V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
10
40
1.1
0.6
26
10
0.11
150
55
150
单位
V
V
V
A
1,2,3
来源
4
门
5,6,7,8漏
脉冲（注1 ）
漏极功耗（T
=
10 s)
（注2A ）
漏极功耗（T
=
10 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注2A ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
―
―
2-3R1F
JEITA
东芝
重量： 0.035克（典型值）。
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注1 ，注2 ，注3和注4 ：参见下页。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2
3
4
1
2004-07-06
TPCS8105
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2A ）
耐热性，信道至环境
(t
=
10 s)
（注2B ）
符号
R
第（章-a）的
R
第（章-a）的
最大
114
208
单位
° C / W
° C / W
记号
（注5 ）
产品型号（或缩写代码）
S8105
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
注1 ：
确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ：
（一） ，安装到玻璃环氧树脂基板（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
= 24
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
0.2 mH的，R
G
=
25
,
I
AR
= 10
A
注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注5 ：
○
较低的标记权表示引脚1 。
※
每周的代码：
（三位数）
制造周
（ 01年第一周：连续数达52或53 ）
制造年份
（每年的最后一位数字）
2
2004-07-06
TPCS8105
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源极电荷1
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
0V
V
GS
10
V
4.7
I
D
= 5
A
V
OUT
R
L
=
3
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
= 30
V, V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
20 V
V
DS
= 10
V，I
D
= 1
mA
V
GS
= 4
V，I
D
= 5
A
V
GS
= 10
V，I
D
= 5
A
V
DS
= 10
V，I
D
= 5
A
民
30
15
0.8
11
V
DD
24
V, V
GS
=
10 V,
I
D
= 10
A
典型值。
13.5
9.6
23
5710
560
590
18
23
109
396
107
12
20
最大
±10
10
2.0
19.5
13.5
ns
nC
pF
单位
A
A
V
V
m
S
V
DD
15
V
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
s
=
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
反向漏电流
正向电压（二极管）
脉冲
（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
= 10
A，V
GS
=
0 V
民
典型值。
最大
40
1.2
单位
A
V
3
2004-07-06
TPCS8105
I
D
– V
DS
10
10
5
2.5
2.4
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
2.3
2.2
20
10
5 3
I
D
– V
DS
2.6
2.5
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
2.4
12
2.3
8
2.2
4
2.1
漏电流I
D
(A)
6
4
2.1
2
VGS
= 2
V
漏电流I
D
(A)
8 3
2.6
16
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
VGS
= 2
V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
20
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
0.5
V
DS
– V
GS
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
(V)
V
DS
0.4
漏电流I
D
(A)
16
100
8
25
4
Ta
= 55°C
漏源电压
12
0.3
0.2
0.1
2.5
ID
= 11
A
5.5
0
0
1
2
3
4
5
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压V
GS
(V)
栅源电压V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
100
Ta
= 55°C
100
10
R
DS （ ON）
– I
D
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
正向转移导纳| Y
fs
|
(S)
25
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
VGS
= 4
V
10
10
1
0.1
0.1
1
10
100
1
1
10
100
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
4
2004-07-06
TPCS8105
R
DS （ ON）
- TA
20
常见的来源
脉冲测试
16
5
12
VGS
= 4
V
ID
= 11
A
2.5
5
ID
= 11
A
2.5
100
I
DR
– V
DS
(A)
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
10
10
5
3
1
8
反向漏电流I
DR
1
VGS
=
0 V
4
VGS
= 10
V
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
环境温度
Ta
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
2.5
V
th
- TA
常见的来源
VDS
= 10
V
2.0
ID
= 1
mA
脉冲测试
1000
科斯
CRSS
栅极阈值电压V
th
(V)
西塞
（PF ）
1.5
电容C
1.0
100
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
10
0.1
1
10
100
0.5
0
80
40
0
40
80
120
160
环境温度
Ta
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
P
D
- TA
2.0
动态输入/输出
特征
30
12
(W)
漏极功耗P
D
t
=
10 s
1.2
(2)
0.8
12
20
VDS
12
15
6
10
VGS
常见的来源
ID
= 11
A
Ta
=
25°C
脉冲测试
5
2
4
VDD
= 24
V
6
8
0.4
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
20
40
60
80
100
120
0
140
环境温度
Ta
(°C)
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
5
2004-07-06
栅源电压V
GS
1.6
（ 2）设备安装在一
玻璃环氧基板（二） （注2b）的
(V)
25
VDD
= 24
V
10
6
漏源电压V
DS
(V)
(1)
（1）设备安装在一
玻璃环氧基板（一）（注2a）的
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