【TPCS8009-H东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ MACHⅡπ - MOSⅤ ）TPCS800】,IC型号TPCS8009-H,TPCS8009-H PDF资料,TPCS8009-H经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPCS8009-H

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ MACHⅡπ - MOSⅤ ）

TPCS8009-H

高速开关应用

开关稳压器的应用

DC / DC转换器应用

单位：mm

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 0.27

（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| = 2.1 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

= 100

μA

（最大值）（Ⅴ

= 150 V)

增强模型： V

= 2.0~4.0 V (V

= 10 V，I

= 1 mA）的

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

英镑

等级

150

±20

2.1

8.4

1.5

0.6

2.1

0.15

150

55~150

°C

单位

1.2.3.

来源

门

5.6.7.8排水

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-3R1F

重量： 0.036克（典型值）。

脉冲（注1 ）

漏极功耗（T = 10秒）

（注2A ）

漏极功耗（T = 10秒）

（注2B ）

单脉冲雪崩能量（注3 ）

雪崩电流

重复性雪崩能量

（ Note2a ，注4 ）

通道温度

存储温度范围

电路CON组fi guration

注意：对于注释1至4中，参考下页。

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化

温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

此晶体管是静电感应装置。小心轻放。

2006-11-20

TPCS8009-H

热特性

特征

耐热性，信道至环境

（T = 10秒）

（注2A ）

耐热性，信道至环境

（T = 10秒）

（注2B ）

符号

第（章-a）的

最大

83.3

208

单位

° C / W

记号

（注5 ）

产品型号（或缩写代码）

S8009

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

注1 ：通道温度不超过150 ℃，在使用过程中。

注2 ：

设备安装在玻璃环氧基板（一）

设备安装在玻璃环氧基板（二）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

= 50 V ，T

= 25 ° C（初始）， L = 1.0 mH的，R

= 25

= 2.1 A

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

○

在标识的右下方显示引脚1 。

每周码：（三位数）

制造周

（ 01年第一周，持续到52或53 ）

制造年份

（日历年的最后一位数字）

2006-11-20

TPCS8009-H

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

漏源击穿电压

（ BR ） DSX

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

门开关充电

关闭

120V, V

10 V,

2.1 A

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

1.0 A

OUT

4.7

10 V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

= ±16

V, V

0 V

150 V, V

0 V

10毫安，V

0 V

10毫安，V

= 5

10毫安，V

= 20

10 V，I

1毫安

10 V，I

1.0 A

10 V，I

1.0 A

民

150

100

2.0

0.9

典型值。

0.27

2.1

600

220

120

7.5

2.5

3.3

最大

±10

100

4.0

0.35

单位

μA

10 V

75 V

税

＆ LT ;

1%, t

μs

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

漏的反向电流（脉冲）

正向电压（二极管）

（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

2.1 A，V

0 V

民

典型值。

最大

8.4

2.0

单位

2006-11-20

TPCS8009-H

– V

常见的来源

25°C

脉冲测试

4.6

5.5

4.8

– V

5.5

常见的来源

25°C

5.2

脉冲测试

(A)

4.8

4.6

4.4

4.2

VGS

4 V

漏电流

4.4

4.2

VGS

4 V

漏电流

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

漏源电压

(V)

漏源电压

(V)

– V

常见的来源

10 V

脉冲测试

2.0

– V

(V)

常见的来源

25°C

脉冲测试

(A)

1.6

= 55°C

100

漏源电压

1.2

漏电流

0.8

2.1 A

0.4

0.5

1.0

栅源电压

(V)

栅源电压

(V)

(S)

100

常见的来源

10 V

脉冲测试

DS （ ON）

常见的来源

25°C

脉冲测试

正向转移导纳

= 55°C

100

漏源导通电阻

DS （ ON）

(Ω)

VGS

10 V

0.1

100

0.1

漏电流

(A)

漏电流

(A)

2006-11-20

TPCS8009-H

DS （ ON）

0.8

常见的来源

脉冲测试

0.6

(A)

常见的来源

25°C

脉冲测试

10 V

漏源导通电阻

DS （ ON）

(Ω)

反向漏电流

0.4

2.1 A

0.5

0.2

1.0

VGS

0 V

120

160

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

环境温度

(°C)

漏源电压

(V)

电容 - V

1000

西塞

(V)

栅极阈值电压

（PF ）

100

科斯

电容

常见的来源

0 V

1兆赫

25°C

0.1

CRSS

常见的来源

10 V

1mA

脉冲测试

120

160

100

漏源电压

(V)

环境温度

(°C)

- TA

2.0

（1）设备安装在一

玻璃环氧树脂板（一）

（注2A ）

（ 2）设备安装在一

玻璃环氧基板（二）

（注2B ）

½＝10s

200

动态输入/输出

特征

常见的来源

2.1 A

25°C

脉冲测试

VDS

100

VDS

120 V

(W)

150

漏极功耗

0.8

(2)

0.4

漏源电压

1.2

VGS

120

160

200

环境温度

(°C)

总栅极电荷

（ NC ）

2006-11-20

栅源电压

1.6

(1)

(V)