TPCP8J01
东芝多芯片设备
硅P沟道MOS型（U - MOSIV ） / NPN硅外延型
TPCP8J01
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
铅（Pb ） - 免费
由于小而薄的包小的安装面积
低漏源导通电阻：P通道
DS （ ON）
= 27毫欧（典型值）。
高正向转移导纳：P通道| Y
fs
| = 9.6 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10 μA
(V
DS
=
32
V)
增强型：P榜中榜
th
=
0.8
to
2.0
V
(V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
0.33±0.05
0.05
M
A
8
5
单位：mm
2.4±0.1
0.475
1
4
0.65
2.9±0.1
B
A
0.05
M
B
0.8±0.05
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
MOSFET
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
(t
=
5 s)
（注2A ）
漏极功耗
(t
=
5 s)
（注2B ）
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复雪崩能量（注4 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
等级
32
32
±20
5.5
22
2.14
单位
V
V
V
A
S
0.025
S
0.17±0.02
0.28
+0.1
-0.11
+0.13
1.12
-0.12
1.12
+0.13
-0.12
0.28
+0.1
-0.11
1.发射器
2.漏
3.排水
4.漏
5.源
6.门
7.基地
8. COLLECTOR
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3V1G
漏极功耗
W
1.06
W
重量： 0.011克（典型值）。
5.8
3
0.21
mJ
A
mJ
电路CON组fi guration
8
7
6
5
BRT
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
DC
（注1 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
等级
50
50
6
100
200
单位
V
V
V
mA
mW
R1
R2
1
2
2.8±0.1
3
4
记号
(Note5)
8
7
6
5
集电极耗散功率
注意：对于注释1至5，参见下页。
此晶体管是静电感应装置。小心处理。
8J01
※
1
2
3
LOT号
4
1
2006-11-17
TPCP8J01
常见的绝对最大额定值
（ TA = 25 ° C）
特征
结温
存储温度范围
符号
T
J
T
英镑
等级
150
55~150
单位
°C
°C
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2A ）
符号
R
第（章-a）的
最大
58.4
单位
° C / W
耐热性，信道至环境
(t
=
5 s)
（注2B ）
R
第（章-a）的
117.9
° C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：
mm)
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
= 24
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
0.2 mH的，R
G
=
25
Ω,
I
AR
= 3.0
A
注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
注5：关于所述标记的左下“”表示引脚1 。
※
每周代码（三位数） ：
制造周
（ 01年度的第一周，持续到52或53 ）
制造年份
（日历年的最后一位数字）
2
2006-11-17
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