TPCP8F01
东芝多芯片设备
PNP硅外延晶体管，场效应晶体管硅N沟道MOS型
TPCP8F01
2.4±0.1
0.475
1
4
高直流电流增益：H
FE
= 200 500 （我
C
=
0.5
A)
（ PNP晶体管）
低集电极 - 发射极饱和： V
CE （SAT）
=
0.19
V（最大值）
（ PNP晶体管）
高速开关：吨
f
= 40 ns（典型值） （ PNP晶体管）
0.65
2.9±0.1
B
A
0.05
M
B
0.8±0.05
S
0.025
S
0.17±0.02
0.28
+0.1
-0.11
+0.13
1.12
-0.12
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
晶体管
特征
集电极 - 基极电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
DC
脉冲
I
C
I
CP
I
B
P
C
（注1 ）
T
j
等级
30
20
7
3.0
5.0
250
1.0
150
单位
V
1.Source
2.Collector
3.Collector
4.Collector
5.Emitter
6.Base
7.Gate
8.Drain
1.12
+0.13
-0.12
0.28
+0.1
-0.11
JEDEC
JEITA
―
―
2-3V1B
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
V
V
A
mA
W
°C
东芝
重量： 0.017克（典型值）。
MOS FET
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
通道温度
DC
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
T
j
等级
20
±10
100
200
150
单位
V
V
mA
°C
注1 ：安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6mm ，铜面积： 645毫米
2
)
注2 ：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2006-11-13
2.8±0.1
○
Swtching应用
○
负载开关应用
○
多芯片分立器件;内置的PNP晶体管为
主开关和N沟道MOS FET驱动器
单位：mm
0.33±0.05
0.05
M
A
8
5
TPCP8F01
电气特性
（ TA = 25°C ）
晶体管
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极输出电容
上升时间
开关时间
贮存时间
下降时间
20us
I
B2
I
B1
VIN
IB2
IB1
RL
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
C
ob
t
r
t
英镑
t
f
测试条件
V
CB
= 30
V，I
E
=
0
V
EB
= 7
V，I
C
=
0
I
C
= 10
妈，我
B
=
0
V
CE
= 2
V，I
C
= 0.5
A
V
CE
= 2
V，I
C
= 1.6
A
I
C
= 1.6
A，I
B
= 53
mA
I
C
= 1.6
A，I
B
= 53
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
0 ， F = 1MHz的
参见图3电路原理图
V
CC
12
V ，R
L
=
7.5
Ω
I
B1
=
I
B2
= 53
mA
民
20
200
100
典型值。
28
70
150
40
最大
100
100
500
0.19
1.10
单位
nA
nA
V
V
V
pF
ns
图3.开关时间测试电路&时序图
VOUT
值班Cycle<1 ％
VCC
MOS FET
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
|Y
fs
|
测试条件
V
GS
= 10
V, V
DS
=
0
I
D
=
0.1毫安，V
GS
=
0
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0
V
DS
=
3 V，I
D
=
0.1毫安
V
DS
=
3 V，I
D
=
10毫安
I
D
=
10毫安，V
GS
=
4.0 V
民
20
0.6
40
典型值。
1.5
2.2
5.2
9.3
4.5
9.8
70
125
最大
±1
1
1.1
3
4
15
单位
μA
V
μA
V
mS
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
I
D
=
10毫安，V
GS
=
2.5 V
I
D
=
1毫安，V
GS
=
1.5 V
Ω
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
V
DD
3
V ，R
L
=
300
Ω
V
GS
=
0至2.5V
V
DS
=
3 V, V
GS
=
0中，f = 1 MHz的
pF
ns
图4.开关时间测试电路&时序图
VOUT
2.5V
VIN
Rg
RL
0
10us
VDD
选通脉冲宽度为10μs ， TR ， tf<5ns
（ ZOUT = 50欧姆） ，普通的来源，TA = 25℃
值班Cycle<1 ％
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
= 100μA的
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （ ON）
需要更高的电压比V
th
SND V
GS （ OFF ）
需要
电压比V低
th
。 （关系，可以建立如下：V
GS （ OFF ）
＜
V
th
＜
V
GS （ ON）
)
请考虑到这一点，使用该设备。
VGS推荐的2.5V或更高的电压来开启本产品。
3
2006-11-13
TPCP8F01
r
日（J -C ）
– t
w
瞬态热阻（ junction-情况下）
r
日（J -C ）
（ ° C / W）
1000
100
10
1
0.001
曲线应该在热面积有限施加。
单一不重复脉冲的Ta
=
25°C
安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6毫米，铜面积： 645毫米
2
)
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
10
IC MAX （脉冲）
*
10毫秒* 1毫秒* 100
μs*
IC MAX（连续）
10
μs*
(A)
100毫秒*
1直流操作
（大
=
25°C)
10 s*
*:
单一不重复的脉冲
Ta
=
25°C
注意，该曲线为100毫秒，
10秒和直流操作将是
0.1不同的，当设备不在
安装在FR4电路板（玻璃
环氧树脂，1.6毫米厚，铜面积：
2
645 mm ).
单设备操作
这些特性曲线必须
与增加呈线性降额
0.01温度。
0.1
1
集电极电流
I
C
10
最大VCEO
100
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
(V)
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2006-11-13
QQ：2881677436 复制
