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TPCP8601
东芝三极管
PNP硅外延型(厘过程)
TPCP8601
高速开关应用
DC- DC转换器应用
频闪的应用
高直流电流增益:H
FE
= 200 500 (我
C
=
0.6
A)
低集电极 - 发射极饱和: V
CE (SAT)
=
0.19
V(最大值)
高速开关:吨
f
= 35 ns(典型值)。
0.475
1
4
单位:mm
0.33±0.05
0.05
M
A
8
5
2.4±0.1
0.65
2.9±0.1
B
A
0.05
M
B
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散(T = 10秒)
结温
存储温度范围
T = 10秒
DC
DC
(注1 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
件(注2)
T
j
T
英镑
等级
20
20
7
4.0
7.0
0.5
3.3
1.3
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
1.Collector
2.Collector
3.Collector
4.Base
S
0.8±0.05
0.025
S
0.17±0.02
0.28
+0.1
-0.11
+0.13
1.12
-0.12
1.12
+0.13
-0.12
0.28
+0.1
-0.11
脉冲(注1 )
5.Emitter
6.Collector
7.Collector
8.Collector
JEDEC
JEITA
东芝
2-3V1A
重0.017克(典型值)
注1 :确保结温度不超过150℃时
使用该设备的。
注2 :安装在FR4电路板(环氧玻璃,厚1.6毫米,铜面积: 645毫米
2
)
注3 :
上的标记的左下表示引脚1 。
*每周代码(三位数) :
制造周
( 01年度的第一周,持续到52或53 )
制造年份
(历年的最低阶位)
图1 。
电路CON组fi guration
( TOP VIEW )
8  7  6   5
1  2  3  4
图2.标记
(注3)
8
7
6
5
8601
*
1
2
3
4
2.8±0.1
TYPE
LOT号
(每周代码)
1
2004-12-10
TPCP8601
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
上升时间
开关时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
t
r
t
英镑
t
f
测试条件
V
CB
= 20
V,I
E
=
0
V
EB
= 7
V,I
C
=
0
I
C
= 1
妈,我
B
=
0
I
C
= 10
妈,我
B
=
0
V
CE
= 2
V,I
C
= 0.6
A
V
CE
= 2
V,I
C
= 2.0
A
I
C
= 2
A,I
B
= 67
mA
I
C
= 2
A,I
B
= 67
mA
参见图3电路原理图
V
CC
12 V ,R
L
=
6
Ω
I
B1
= I
B2
= 67
mA
20
20
200
100
典型值。
72
170
35
最大
100
100
500
0.19
1.1
ns
V
V
单位
nA
nA
V
V
图3.开关时间测试电路&时序图
VCC
I
B2
I
B1
I
B1
20μs
输入
占空比
<1%
I
B2
RL
产量
2
2004-12-10
TPCP8601
I
C
– V
CE
5
共发射极
Ta
=
25°C
单一不重复的脉冲
1000
Ta
=
100°C
25
h
FE
– I
C
(A)
4
h
FE
30
20
15
10
I
C
55
集电极电流
直流电流增益
3
100
2
8
6
1
4
IB
= 2
mA
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
10
0.001
共发射极
VCE =
2 V
单一不重复的脉冲
0.01
0.1
1
10
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
集电极电流
I
C
(A)
V
CE (SAT)
– I
C
1
V
BE (SAT)
– I
C
10
共发射极
β
=
30
单一不重复的脉冲
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
0.1
Ta
=
100°C
25
55
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
共发射极
β
=
30
单一不重复的脉冲
1钽
= 55°C
0.01
100
25
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流
I
C
(A)
集电极电流
I
C
(A)
I
C
– V
BE
4
共发射极
VCE
=
2 V
单一不重复的脉冲
(A)
集电极电流
I
C
3
2
1
Ta
=
100°C
0
0
0.4
25
0.8
55
1.2
1.6
基射极电压
V
BE
(V)
3
2004-12-10
TPCP8601
r
th
– t
w
1000
瞬态热阻抗
r
th
第(j-一)( ℃/ W)的
100
10
曲线仅适用于热敏电阻的有限区域。
单一不重复脉冲的Ta
=
25°C
2
安装在FR4电路板(环氧玻璃,厚1.6毫米,铜面积: 645毫米)
0.01
0.1
1
10
100
1000
1
0.001
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
(A)
10
集成电路最大值(脉冲) *
10毫秒* 1毫秒*
100
μs*
I
C
集电极电流
IC最大
(连续) *
1
10 s*
100毫秒*
*:
单一不重复的脉冲
Ta
=
25°C
注意,该曲线为100毫秒,
10秒和直流操作将是
不同的,当设备不在
0.1
安装在FR4电路板(玻璃
环氧树脂,1.6毫米厚,铜面积:
645 mm
2
).
这些特性曲线必须
与增加呈线性降额
在温度。
0.01
0.01
0.1
1
DC
手术
TA = 25°C
最大VCEO
10
100
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
4
2004-12-10
TPCP8601
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
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可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2004-12-10
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