【TPCP8501东芝三极管硅NPN外延型TPCP8501切换应用程序DC- DC转换器应用高直流电流】,IC型号TPCP8501,TPCP8501 PDF资料,TPCP8501经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPCP8501

东芝三极管

硅NPN外延型

TPCP8501

切换应用程序

DC- DC转换器应用

高直流电流增益：H

= 100 300 （我

= 0.3 A)

2.4±0.1

0.475

单位：mm

0.33±0.05

0.05

高速开关：吨

= 100 ns（典型值）。

0.65

2.9±0.1

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极电源

耗散（T = 10秒）

结温

存储温度范围

T = 10秒

（注1 ）

符号

CBO

CEX

首席执行官

EBO

（注2 ）

英镑

等级

180

150

100

2.0

4.0

0.2

3.3

1.3

150

单位

°C

0.05

0.8±0.05

0.025

0.17±0.02

0.28

+0.1

-0.11

+0.13

1.12

-0.12

1.12

+0.13

-0.12

0.28

+0.1

-0.11

脉冲（注1 ）

1.Collector

2.Collector

3.Collector

4.Base

5.Emitter

6.Collector

7.Collector

8.Collector

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-3V1A

重0.017克（典型值）

注1 ：请在使用条件下器件的结温低于150 ℃。

注2 ：安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6毫米，铜面积： 645毫米

)

注3 ：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著

即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对

最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

2006-11-13

2.8±0.1

低集电极 - 发射极饱和： V

CE （SAT）

= 0.2 V（最大值）

TPCP8501

图1 。

电路CON组fi guration

（ TOP VIEW ）

8　 7 　6 　 5

图2中。

记号

（注4 ）

8　 7 　6 　 5

8501

※

TYPE

1　 2　 3　 4

LOT号

（每周代码）

注4 ：

●

上标记左下角显示引脚1 。

※

每周码：（三位数）

制造周

（ 01年第一周，持续到52或53 ）

制造年份

（一低位日历年的数字）

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极输出电容

上升时间

开关时间

贮存时间

下降时间

符号

CBO

EBO

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

(1)

(2)

CE （SAT）

BE （SAT）

英镑

测试条件

180 V，I

7 V，I

1毫安，我

10毫安，我

2 V，I

0.3 A

2 V，I

1.0 A

1 ，我

33毫安

1 ，我

33毫安

10 V，I

0 ， F = 1MHz的

参见图3电路原理图

50 V ，R

= I

33毫安

民

180

100

典型值。

1.4

100

最大

100

300

0.2

1.1

μs

单位

图3.开关时间测试电路&时序图

20μs

IB1

IB2

占空比

＜1%

IB2

输入

IB1

VCC

产量

2006-11-13

TPCP8501

– V

2.0

1.2

1000

– I

(A)

1.6

100°C

100

集电极电流

0.8

0.4

2毫安

共发射极

25°C

单一不重复的脉冲

直流电流增益

0.001

共发射极

VCE

2 V

单一不重复的脉冲

0.01

0.1

集电极 - 发射极电压

(V)

集电极电流

(A)

CE （SAT）

– I

BE （SAT）

– I

共发射极

单一不重复的脉冲

集电极 - 发射极饱和电压

CE （SAT）

(V)

基射极饱和电压

BE （SAT）

(V)

共发射极

单一不重复的脉冲

0.1

100°C

55°C

= 55°C

100°C

25°C

0.01

0.001

0.01

0.1

0.001

0.01

0.1

集电极电流

(A)

集电极电流

(A)

– V

2.0

共发射极

VCE

2 V

单一不重复的脉冲

1.4

- TA

(W)

安装在FR4板环氧玻璃，

厚1.6毫米，铜面积： 645毫米）

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

(A)

集电极电流

1.2

0.8

100°C

0.4

集电极耗散功率

1.6

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

100

120

140

160

基射极电压

(V)

环境温度Ta （C ）

2006-11-13

TPCP8501

– t

1000

瞬态热阻

第（j-一）（ ℃/ W）的

100

曲线应该在热面积有限施加。

单一不重复脉冲的Ta

25°C

安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6毫米，铜面积： 645毫米

)

0.1

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

脉冲宽度

(s)

安全工作区

集成电路最大值（脉冲） *

100

μs*

1毫秒*

10毫秒*

100毫秒*

IC MAX（连续） *

0.1

直流操作

TA = 25°C

10 s*

集电极电流

单一不重复的脉冲

25°C

注意，该曲线为100毫秒，

10秒和直流操作将是

不同的，当设备不在

0.01安装在FR4电路板（玻璃

环氧树脂，1.6毫米厚，铜面积：

645 mm ).

这些特性曲线必须

与增加呈线性降额

在温度。

0.001

0.1

(A)

100

最大VCEO

1000

集电极 - 发射极电压

(V)

2006-11-13

TPCP8501

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701-EN

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其

可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2006-11-13