TPCF8301
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型（U -MOS
III)
TPCF8301
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 72毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 4.7 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10 μA
（最大值） （Ⅴ
DS
=
20
V)
增强模型： V
th
=
0.5
to
1.2
V
(V
DS
=
10
V，I
D
=
200 μA)
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D (1)
P
D (2)
P
D (1)
P
D (2)
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
20
20
±8
2.7
10.8
1.35
1.12
W
0.53
0.33
1.2
1.35
0.11
150
55~150
mJ
A
mJ
1
°C
°C
2
3
4
单位
V
V
V
JEDEC
A
―
―
2-3U1B
JEITA
东芝
单设备操作
耗电
（注3A ）
耗散
(t
=
5秒） （注2A ）的单设备价值
双操作（注3B ）
耗电
耗散
(t
=
5秒） （注2B ）的单设备价值
双操作（注3B ）
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
存储温度范围
（注4 ）
单设备操作
（注3A ）
重量： 0.011克（典型值）。
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
1
2006-11-16
TPCF8301
热特性
特征
单设备操作
热阻，
（注3A ）
渠道环境
(t
=
5 s)
（注2A ）的单设备价值
双操作（注3B ）
单设备操作
热阻，
（注3A ）
渠道环境
(t
=
5 s)
（注2B） ，在单器件值
双操作（注3B ）
符号
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
R
第（ CH-A ）（1）
R
第（ CH-A ）（2）
最大
92.6
° C / W
111.6
235.8
° C / W
378.8
单位
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ） （注5 ）和（注6 ） ：参见下页。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
V
GS
t
on
0V
5
V
4.7
Ω
I
D
= 1.4
A
V
OUT
R
L
=
7.14
Ω
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±8
V, V
DS
=
0 V
V
DS
= 20
V, V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
8 V
V
DS
= 10
V，I
D
= 200 μA
V
GS
= 1.8
V，I
D
= 0.7
A
V
GS
= 2.5
V，I
D
= 1.4
A
V
GS
= 4.5
V，I
D
= 1.4
A
V
DS
= 10
V，I
D
= 1.4
A
民
20
12
0.5
2.4
典型值。
215
110
72
4.7
470
70
80
5
9
8
26
6
4
2
最大
±10
10
1.2
300
160
110
ns
nC
pF
S
mΩ
单位
μA
μA
V
V
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
V
DD
10
V
V
DD
16
V, V
GS
= 5
V,
I
D
= 2.7
A
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
反向漏电流
正向电压（二极管）
脉冲（注1 ）
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
= 2.7
A，V
GS
=
0 V
民
典型值。
最大
10.8
1.2
单位
A
V
2
2006-11-16
ＴＯＳＨＩＢＡ
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSⅣ ）
TPCF8301
ＴＰＣＦ８３０１
笔记簿电脑的应用
便携设备用应用
·低漏 - 源极导通电阻，R
ＤＳ(ＯＮ)
＝72½Ω(Typ.)
·高正向转移导纳： │Y
½½
│ = 6 S （典型值）。
·低漏电流：I
ＤＳＳ
= -10μA （最大值）（V
ＤＳ
＝-20Ｖ)
·增强 - 模式： V
½½
＝-0.5 -1.2Ｖ(Ｖ
ＤＳ
＝-10Ｖ,Ｉ
Ｄ
＝-200Ａ)
最大额定值（T
a
=25℃)
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
=20kΩ)
栅源电压
DC
（注1 ）
漏电流
脉冲
（注1 ）
符号
Ｖ
ＤＳＳ
Ｖ
ＤＧＲ
Ｖ
ＧＳＳ
Ｉ
Ｄ
Ｉ
ＤＲ
等级
-20
-20
±8
-2.7
-10.8
单位
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｔ½½½½½½½½
Ｔ½½½½½½½½
单位：mm
2.9±0.1
8
0.3 +0.1／-0.05
0.3±0.1
4
6
5
1.5±0.1
1.9±0.1
+0.2
1.6 -0.1
+0.2
2.8 -0.3
1
0.65
1 0.95 0.95 3
2.9±0.2
4
耗电
单设备操作
Ｐ
Ｄ(1)
1.35
耗散
（注3A ）
（T = 5秒） （注2A ）的单设备价值
Ｐ
Ｄ(2)
1.12
双操作（注3B ）
耗电
单设备操作
Ｐ
Ｄ(1)
0.53
耗散
（注3A ）
（T = 5秒） （注2B ） ，在单器件值
Ｐ
Ｄ(2)
0.33
双操作（注3B ）
单脉冲雪崩能量（注4 ）
Ｅ
ＡＳ
1.2
雪崩电流
Ｉ
ＡＲ
-1.35
重复性雪崩能量
在双操作单个设备的价值
Ｅ
ＡＲ
0.11
（注意图2a ，图3b ，5）
通道温度
Ｔ
½½
150
存储温度范围
Ｔ
½½½
-55150
热特性
特征
热阻，
渠道环境
(t=5s)
（注2A ）
热阻，
渠道环境
(t=5s)
（注2B ）
单设备
操作（注3A ）
单设备价值
双操作（注
单设备
操作（注3A ）
单设备价值
双操作（注
符号
R
th(ch-a)(1)
at
3b)
R
th(ch-a)(2)
R
th(ch-a)(1)
at
3b)
R
th(ch-a)(2)
0.8±0.05
0.05
Ｗ
1：SOURCE1
1.漏
1：DRAIN
2 ： 1门
2.漏
2：DRAIN
3：SOURCE2
3.盖特
3：DRAIN
4：GATE2
4：GATE
ＪＥＤＥＣ
ＪＥＩＴＡ
东芝
0.05±0.05
+0.25
0.25 -0.15
5：DRAIN
4.源
2
5：SOURCE
6：DRAIN2
5.排水
6：DRAIN
7：DRAIN1
6.排水
7：DRAIN
8：DRAIN1
8：DRAIN
―
―
―
½Ｊ
Ａ
½Ｊ
℃
℃
电路CON组fi guration
8
7
6
5
单位
℃/Ｗ
最大
92.6
111.6
235.8
378.8
℃/Ｗ
1
2
3
注1 ，注2 ，注3 ，注4 ，注5 ，请参见下页。
此晶体管是静电敏感器件。
0.16±0.05
0.24＋0.10
0.09
0.7±0.05
4
ＴＯＳＨＩＢＡ
电气特性（Ta = 25℃）
特征
符号
栅极漏电流
Ｉ
ＧＳＳ
排水截止电流
Ｉ
ＤＳＳ
Ｖ
(ＢＲ)ＤＳＳ
漏源击穿
电压
Ｖ
(ＢＲ)ＤＳＸ
栅极阈值电压
Ｖ
½½
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开关
时间
开启时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷（栅源
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
Ｒ
ＤＳ(ＯＮ)
Ｙ
½½
Ｃ
½½½
Ｃ
½½½
Ｃ
½½½
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
Ｑ
½
Ｑ
½½
Ｑ
½½
V
GS
-5V
4.7Ω
TPCF8301
Ｔ½½½½½½½½
测试条件
Ｖ
ＧＳ
＝±8Ｖ，Ｖ
ＤＳ
＝0Ｖ
Ｖ
ＤＳ
＝-20Ｖ，Ｖ
ＧＳ
＝0Ｖ
Ｉ
Ｄ
＝-10½Ａ，Ｖ
ＧＳ
＝0Ｖ
Ｉ
Ｄ
＝-10½Ａ，Ｖ
ＧＳ
＝8Ｖ
Ｖ
ＤＳ
＝-10Ｖ，Ｉ
Ｄ
＝-200Ａ
Ｖ
ＧＳ
＝-1.8Ｖ，Ｉ
Ｄ
＝-1.4Ａ
Ｖ
ＧＳ
＝-2.5Ｖ，Ｉ
Ｄ
＝-2.8Ａ
Ｖ
ＧＳ
＝-4.5Ｖ，Ｉ
Ｄ
＝-2.8Ａ
Ｖ
ＤＳ
＝-10Ｖ，Ｉ
Ｄ
＝-2.8Ａ
Ｖ
ＤＳ
＝-10Ｖ，Ｖ
ＧＳ
＝0Ｖ
½＝1ＭＨ½
I
D
=-1.4A
0V
VOUT
R
L
=7.14Ω
分钟。
-20
-8
-0.5
3.0
典型值。
215
110
72
6.0
470
70
80
5
9
8
26
6
4.5
1.5
马克斯。
±10
-10
-1.2
300
160
110
单位
μＡ
μＡ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
mΩ
Ｓ
½Ｆ
½½
½Ｃ
Duty≦1%,tw=10us
V
DD
≒-10V
Ｖ
ＤＤ
≒-16Ｖ，Ｖ
ＧＳ
＝-5Ｖ
Ｉ
Ｄ
＝-2.7Ａ
源 - 漏二极管额定值和特性（ TA = 25 ℃ ）
特征
符号
测试条件
脉冲漏极电流反向
Ｉ
ＤＲＰ
(Note1)
二极管的正向电压
Ｖ
ＤＳＦ
Ｉ
ＤＲ
＝-2.7Ａ，Ｖ
ＧＳ
＝0Ｖ
注1 ：
注2 ：
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
-10.8 Ａ
1.2
Ｖ
请使用条件的设备，该通道的温度低于150 ℃ 。
（一）装置安装在玻璃环氧基板（一）
FR-4
25.4×25.4×0.8
（单位为mm ）
（二）装置安装在玻璃环氧基板（二）
FR-4
25.4×25.4×0.8
（单位为mm ）
(a)
注3 ：
(a)
(b)
(b)
的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在单一装置操作时，功率仅施加到一个装置）。
的功耗和热电阻值显示为单个设备
（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。
V
DD
= -16V ，总胆固醇= 25 ℃ （初始） ， L = 0.5mH ，R
G
=25Ω, I
AR
=-1.35A
重复评价;脉冲宽度由最大限制。通道温度。
注4 ：
注5 ：
QQ：2881677436 复制
