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TPCF8105

MOSFET的

硅P沟道MOS （ U- MOS ）

TPCF8105

1.应用

锂离子二次电池

电源管理开关

2.特点

(1)

(2)

(3)

(4)

由于占用空间小，小而薄的封装

导通电阻低的漏极 - 源极，R

DS （ ON）

= 24毫欧（典型值）（V

= -4.5 V)

低漏电流：I

DSS

= -10

（最大值）（Ⅴ

= -20 V)

增强型： V

= -0.5 -1.2 V（V

= -10 V，I

= -0.5毫安）

3.包装和内部电路

5 ：源

4 ：门

1，2， 3，6 ，7，8 ：漏

VS-8

4.绝对最大额定值（注）（T

= 25

除非另有规定编）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

功耗

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

通道温度

储存温度

（T = 5秒）

（注1 ）

（注2 ）

（注3）

（注4 ）

符号

DSS

GSS

英镑

等级

-20

±12

-6

-24

2.5

0.7

23.4

-6

150

-55到150

单位

注意：

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

2010-09-13

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TPCF8105

5.热特性

特征

通道到环境的热阻

（T = 5秒）

（注2 ）

（注3）

符号

第（章-a）的

最大

50.0

178.5

单位

注1 ：确保通道温度不超过150 。

注2 ：设备安装在玻璃环氧基板（ a）所示，图5.1

注3 ：设备安装在玻璃环氧基板（ b）所示，图5.2

注4 ： V

= -16 V，T

= 25 （初始）， L = 0.5 mH的，R

= 25

= -6 A

图。 5.1设备安装在玻璃环氧树脂

板（一）

图。 5.2设备安装在玻璃环氧树脂

板（二）

注意：

该晶体管是静电放电敏感，应谨慎处理。

2010-09-13

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6，电气特性（T

= 25

除非另有规定编）

6.1 。静态特性

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

（注5 ）

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

测试条件

±12

V, V

= 0 V

= -20 V, V

= 0 V

= -10毫安，V

= 0 V

= -10毫安，V

= 8 V

= -10 V，I

= -0.5毫安

= -1.8 V，I

= -1 A

= -2.5 V，I

= -3 A

= -4.5 V，I

= -3 A

民

-20

-12

-0.5

典型值。

最大

±0.1

-10

-1.2

100

单位

注5 ：如果一个正向偏压栅极和源极之间施加电压，该器件进入V

（ BR ） DSX

模式。注意，漏极

源击穿电压被降低在这种模式下。

6.2 。动态特性

特征

输入电容

反向传输电容

输出电容

切换时间（上升时间）

切换时间（导通时间）

切换时间（下降时间）

切换时间（关断时间）

符号

国际空间站

RSS

OSS

关闭

参见图6.2.1 。

测试条件

= -10 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

民

典型值。

1100

160

190

6.5

148

最大

单位

图。 6.2.1开关时间测试电路

6.3 。栅极电荷特性

特征

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅极 - 漏极电荷

符号

gs1

测试条件

≈

-16 V, V

= -5 V，I

= -6 A

民

典型值。

1.8

5.2

最大

单位

6.4 。源极 - 漏极特性

特征

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

（注6 ）

符号

DRP

DSF

= -6 A，V

= 0 V

测试条件

民

典型值。

最大

-24

1.2

单位

注6 ：确保通道温度不超过150 。

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7，打标

图。 7.1标志

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8.特性曲线（注）

图。 8.1我

- V

图。 8.2我

- V

图。 8.3我

- V

图。 8.4 V

- V

图。 8.5

DS （ ON）

- I

图。 8.6

DS （ ON）

- T

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