【TPCF8001东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U -MOSIII)TPCF8001笔记本电脑应用】,IC型号TPCF8001,TPCF8001 PDF资料,TPCF8001经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPCF8001

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U -MOS

III)

TPCF8001

笔记本电脑应用

便携式设备的应用

低漏源导通电阻，R

DS （ ON）

= 19毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

| = 8 S（典型值）。

低漏电流：I

DSS

= 10

μA

（ MAX 。）（V

= 30 V)

增强型： V

= 1.3 2.5伏

= 10 V，I

= 1毫安）

单位：mm

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

脉冲

（注1 ）

5 s)

（注2A ）

5 s)

（注2B ）

符号

DSS

DGR

GSS

（注4 ）

英镑

等级

±20

2.5

0.7

3.5

0.25

150

55~150

单位

°C

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-3U1A

重量： 0.011克（典型值）。

漏极功耗

电路CON组fi guration

单脉冲雪崩能量（注3 ）

雪崩电流

重复性雪崩能量

通道温度

存储温度范围

注意：对于注释1至5，参见下页

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化

温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

此晶体管是静电感应装置。小心轻放。

2007-01-16

TPCF8001

热特性

特征

耐热性，信道至环境（叔

5 s)

（注2A ）

耐热性，信道至环境（叔

5 s)

（注2B ）

符号

第（章-a）的

马克斯。

50.0

178.6

单位

° C / W

标记（注5 ）

很多代码（月）

LOT号

产品型号

（或缩写代码）

F2A

产品特定的代码

批号

（年）

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

针＃ 1

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

24 V ，T

25 ° C（初始），L

0.5 mH的，R

Ω,

3.5 A

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5：关于所述标记的左下“”表示引脚1 。

2007-01-16

TPCF8001

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

gs1

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

10 V

4.7

3.5 A

OUT

4.3Ω

10 V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

= ±16

V, V

0 V

30 V, V

0 V

10毫安，V

0 V

10毫安，V

= 20

10 V，I

1mA

4.5 V，I

3.5 A

10 V，I

3.5 A

10 V，I

3.5 A

分钟。

1.3

24 V, V

10 V,

7.0 A

典型值。

1270

150

190

3.8

9.4

8.4

25.4

3.6

6.2

马克斯。

±10

2.5

单位

μA

mΩ

15 V

税

＆ LT ;

1%, t

μs

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

反向漏

当前

脉冲（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

7.0 A，V

0 V

分钟。

典型值。

马克斯。

-1.2

单位

正向电压（二极管）

2007-01-16

TPCF8001

– V

4.5

3.2

3.5

2.9

常见的来源

25°C

脉冲测试

– V

3.5

4.5

3.1

3.2

常见的来源

25°C

脉冲测试

漏极电流ID

2.8

2.7

ID （ A）

(A)

2.9

漏电流

2.8

2.7

2.6

VGS

2.5V

2.6

VGS

2.5 V

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

漏源电压

VDS

(V)

漏源电压

VDS

(V)

– V

常见的来源

0.5

– V

常见的来源

25℃

0.4

脉冲测试

(A)

漏极电流ID

VDS

漏源电压

0.3

0.2

脉冲测试

(V)

VDS

10 V

7 A

100

= 55°C

0.1

1.75

3.5

栅源电压

VGS

(V)

栅源电压

VGS

(V)

– I

100

DS （ ON）

– I

1000

常见的来源

25°C

脉冲测试

100

4.5

正向转移导纳

(S)

常见的来源

VDS

10 V

脉冲测试

= 55°C

100

漏源导通电阻

RDS （ ON）（ MΩ）

VGS

10 V

0.1

100

0.1

漏极电流ID （ A）

100

2007-01-16

TPCF8001

DS （ ON）

- TA

常见的来源

7A,3.5A,1.75A

VGS

4.5 V

脉冲测试

100

常见的来源

25°C

脉冲测试

– V

反向漏电流IDR （ A）

漏源导通电阻

RDS （ ON）（ MΩ）

4.5

VGS

10 V

7A,3.5A,1.75A

VGS

0 V

120

160

0.4

0.8

1.2

1.6

环境温度Ta （C ）

漏源电压

VDS

(V)

电容 - V

10000

- TA

西塞

VTH （V）的

栅极阈值电压

（PF ）

1000

科斯

100

CRSS

电容C

常见的来源

VGS

0 V

1兆赫

25°C

常见的来源

VDS

10 V

1毫安

脉冲测试

120

160

0.1

100

漏源电压

VDS

(V)

环境温度Ta （C ）

- TA

(1) t

5 s

（1）设备安装在一

玻璃环氧基板（一）（注2a）的

（ 2）设备安装在一

玻璃环氧基板（二）（注2b）的

动态输入/输出特性

漏极功耗PD （W ）

VDS

常见的来源

VGS

7 A

25°C

脉冲测试

VDD

24 V

漏源电压

1.5

（ 1）直流

(2) t

5 s

0.5

（ 2）直流

120

160

环境温度Ta （C ）

总栅极电荷Qg （ NC）

2007-01-16

栅源电压

VGS （ V）

2.5

(V)

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