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TPCA8A10-H
MOSFET的
硅N沟道MOS （U - MOS -H /肖特基势垒二极管）
TPCA8A10-H
1.应用
高效率的DC -DC转换器
笔记本电脑
手机
2.特点
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
内置的肖特基势垒二极管
低正向电压： V
DSF
= -0.6 V（最大值）
高速开关
小栅极电荷：Q
SW
= 12 NC （典型值）。
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 2.9毫欧（典型值）（V
GS
= 4.5 V)
低漏电流：I
DSS
= 100
A
（最大值） （Ⅴ
DS
= 30 V)
增强型： V
th
= 1.3 2.3 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 0.5 mA）的
3.包装和内部电路
1 ，2，3 ：源
4 ：门
5 ，6，7 ，8：漏
SOP进展
1
2011-06-19
Rev.1.0
TPCA8A10-H
4.绝对最大额定值（注） （T
a
= 25
除非另有规定编）
25
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
功耗
功耗
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
通道温度
储存温度
(T
c
= 25)
（T = 10秒）
（T = 10秒）
（注2 ）
（注3）
（注4 ）
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
P
D
E
AS
I
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
±20
40
120
58
2.8
1.6
208
40
150
-55到150
W
W
W
mJ
A
A
单位
V
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
5.热特性
特征
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
通道到环境的热阻
(T
c
= 25)
（T = 10秒）
（T = 10秒）
（注2 ）
（注3）
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
R
第（章-a）的
最大
2.15
44.6
78.1
单位
/W
/W
/W
注1 ：确保通道温度不超过150 。
注2 ：设备安装在玻璃环氧基板（ a）所示，图5.1
注3 ：设备安装在玻璃环氧基板（ b）所示，图5.2
注4 ： V
DD
= 24 V ，T
ch
= 25 （初始） ， L = 0.1 mH的，R
G
= 1
,
I
AR
= 40 A
图。 5.1设备安装在玻璃环氧树脂
板（一）
图。 5.2设备安装在玻璃环氧树脂
板（二）
注意：
该晶体管是静电放电敏感，应谨慎处理。
2
2011-06-19
Rev.1.0
TPCA8A10-H
6，电气特性
6.1 。静态特性（T
a
= 25
除非另有规定编）
25
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
V
th
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时， V
GS
= -20 V
V
DS
= 10 V，I
D
- 0.5毫安
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
民
30
15
1.3
典型值。
2.9
2.2
最大
±0.1
100
2.3
3.8
3.0
m
V
单位
A
6.2 。动态特性（T
a
= 25
除非另有规定编）
25
特征
输入电容
反向传输电容
输出电容
栅极电阻
切换时间（上升时间）
切换时间（导通时间）
切换时间（下降时间）
切换时间（关断时间）
符号
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
r
g
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 5兆赫
参见图6.2.1 。
测试条件
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
民
典型值。
4000
200
810
1.4
3.9
14
10
49
最大
4800
300
2.1
ns
单位
pF
图。 6.2.1开关时间测试电路
25
6.3 。栅极电荷特性（T
a
= 25
除非另有规定编）
特征
总栅极电荷（栅极 - 源极加
栅极 - 漏极）
栅极 - 源极电荷1
栅极 - 漏极电荷
门开关充电
符号
Q
g
Q
gs1
Q
gd
Q
SW
测试条件
V
DD
≈
24 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
V
DD
≈
24 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 40 A
V
DD
≈
24 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
民
典型值。
57
29
12
6.4
12
最大
单位
nC
6.4 。源极 - 漏极特性（T
a
= 25
除非另有规定编）
25
特征
反向漏电流（脉冲电流）
二极管的正向电压
（注5 ）
符号
I
DRP
V
DSF
I
DR
= 1.9 A，V
GS
= 0 V
I
DR
= 40 A，V
GS
= 0 V
测试条件
民
典型值。
-0.4
最大
120
-0.6
-1.2
单位
A
V
注5 ：确保通道温度不超过150 。
3
2011-06-19
Rev.1.0
TPCA8A10-H
7，打标
图。 7.1标志
4
2011-06-19
Rev.1.0
TPCA8A10-H
8.特性曲线（注）
图。 8.1我
D
- V
DS
图。 8.2我
D
- V
DS
图。 8.3我
D
- V
GS
图。 8.4 V
DS
- V
GS
图。 8.5
DS （ ON）
- I
D
图。 8.6
DS （ ON）
- T
a
5
2011-06-19
Rev.1.0
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