TPCA8121
MOSFET的
硅P沟道MOS ( U- MOS )
TPCA8121
1.应用
锂离子二次电池
电源管理开关
2.特点
(1)
(2)
(3)
(4)
小型,薄型封装
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 2.4毫欧(典型值)(V
GS
= -10 V)
低漏电流:I
DSS
= -10
A
(最大值) (Ⅴ
DS
= -30 V)
增强型: V
th
= -0.8 -2.0 V(V
DS
= -10 V,I
D
= -1毫安)
3.包装和内部电路
1 ,2,3 :源
5 ,6,7 ,8:漏
4 :门
SOP进展
25
4.绝对最大额定值(注) (T
a
= 25
除非另有规定编)
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
功耗
功耗
功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
通道温度
储存温度
(注5 )
(T
c
= 25)
(T = 10秒)
(T = 10秒)
(注2 )
(注3)
(注4 )
(注1 )
(注1 )
(R
GS
= 20 k)
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
P
D
E
AS
I
AR
T
ch
T
英镑
等级
-30
-30
-20/+10
-45
-135
45
2.8
1.6
263
-45
175
-55到150
W
W
W
mJ
A
A
单位
V
注意:
在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
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2011-09-27
Rev.1.0
TPCA8121
5.热特性
特征
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
通道到环境的热阻
(T
c
= 25)
(T = 10秒)
(T = 10秒)
(注2 )
(注3)
符号
R
TH( CH-C )
R
第(章-a)的
R
第(章-a)的
最大
2.78
44.6
78.1
单位
/W
/W
/W
注1 :确保通道温度不超过175 。
注2 :设备安装在玻璃环氧基板( a)所示,图5.1
注3 :设备安装在玻璃环氧基板( b)所示,图5.2
注4 : V
DD
= -24 V,T
ch
= 25 (初始) , L = 100
H,
R
G
= 25
,
I
AR
= -45 A
注5 :仅仅通道温度保证175 。
存储温度范围保证像往常一样( -55 150 ) 。
图。 5.1设备安装在玻璃环氧树脂
板(一)
图。 5.2设备安装在玻璃环氧树脂
板(二)
注意:
该晶体管是静电放电敏感,应谨慎处理。
2
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Rev.1.0
TPCA8121
6,电气特性
6.1 。静态特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
(注6 )
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSX
V
th
R
DS ( ON)
测试条件
V
GS
= -20/+10 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= -30 V, V
GS
= 0 V
I
D
= -10毫安,V
GS
= 0 V
I
D
= -10毫安,V
GS
= 10 V
V
DS
= -10 V,I
D
= -1毫安
V
GS
= -4.5 V,I
D
= -22.5 A
V
GS
= -10 V,I
D
= -22.5 A
民
-30
-21
-0.8
典型值。
3.1
2.4
最大
±100
-10
-2.0
4.0
3.0
m
单位
nA
A
V
注6 :如果反偏压栅极和源极之间施加电压,该器件进入V
( BR ) DSX
模式。注意,漏极
源击穿电压被降低在这种模式下。
6.2 。动态特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
25
特征
输入电容
反向传输电容
输出电容
切换时间(上升时间)
切换时间(导通时间)
切换时间(下降时间)
切换时间(关断时间)
符号
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
t
f
t
关闭
参见图6.2.1 。
测试条件
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
民
典型值。
7420
1180
1440
10
18
262
762
最大
ns
单位
pF
图。 6.2.1开关时间测试电路
25
6.3 。栅极电荷特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
特征
总栅极电荷(栅极 - 源极加
栅极 - 漏极)
栅极 - 源极电荷1
栅极 - 漏极电荷
符号
Q
g
Q
gs1
Q
gd
测试条件
V
DD
≈
-24 V, V
GS
= -10 V,I
D
= -45 A
民
典型值。
190
23
47
最大
单位
nC
25
6.4 。源极 - 漏极特性(T
a
= 25
除非另有规定编)
特征
反向漏电流(脉冲电流)
二极管的正向电压
(注7 )
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
= -45 A,V
GS
= 0 V
民
典型值。
最大
-135
1.2
单位
A
V
注7 :确保通道温度不超过175 。
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2011-09-27
Rev.1.0