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TPCA8109
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型( U- MOSⅢ )
TPCA8109
锂离子电池应用
电源管理开关应用
8
单位:mm
1.27 0.4
±
0.1
5
0.05 M A
导通电阻低的漏极 - 源极,R
DS ( ON)
= 7毫欧(典型值)。
低漏电流:I
DSS
=
10 μA
(最大值) (Ⅴ
DS
=
30
V)
增强型: V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V,I
D
=
0.5mA)
6.0
±
0.3
5.0
±
0.2
占地面积小,因小而薄的封装
0.15
±
0.05
1
0.95
±
0.05
4
0.595
0.166
±
0.05
4
A
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
(注1 )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
P
D
E
AS
I
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
25/+20
24
72
30
2.8
单位
5.0
±
0.2
V
V
V
A
W
W
8
5
0.6
±
0.1
1
4.25
±
0.2
脉冲(注1 )
(Tc=25°C)
(t
=
10 s)
(注2A )
漏极功耗
漏极功耗
(t
=
10 s)
(注2B )
1.6
W
1,2,3:SOURCE
4:GATE
5,6,7,8:DRAIN
单脉冲雪崩能量
(注3)
雪崩电流
通道温度
存储温度范围
JEDEC
75
24
150
55
150
mJ
A
°C
°C
2-5Q1A
JEITA
东芝
重量: 0.076克(典型值)。
注意:对于注1至3中,参考下页。
在重负载下连续使用(高如应用程序
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)内的
绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性可靠性
手册( “注意事项” / “降额概念和
办法“ )和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
电路CON组fi guration
8
7
6
5
1
2
3
0.8
±
0.1
漏极功耗
3.5
±
0.2
1.1
±
0.2
S
0.05 S
4
1
2009-12-03
TPCA8109
热特性
特征
耐热性,信道到外壳
(Tc=25°C)
耐热性,信道至环境
(t
=
10 s)
(注2A )
符号
R
TH( CH-C )
最大
4.17
单位
° C / W
R
第(章-a)的
44.6
° C / W
耐热性,信道至环境
(t
=
10 s)
(注2B )
R
第(章-a)的
78.1
° C / W
记号
(注4 )
TPCA
8109
*
TYPE
LOT号
注1 :请在使用条件下的设备,该通道的温度低于150 ℃。
注2 :(1)安装在玻璃环氧基板的装置(一)
(二)装置安装在一个玻璃环氧板(二)
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
(单位:毫米)
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
(单位:毫米)
(a)
(b)
注3 : V
DD
= 24
V,T
ch
=
25 ° C(初始) ,L
=
100μH ,R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
-24 A
注4 :
*
每周码: (三位数)
制造周
( 01年第一周,持续到52或53 )
制造年份
(一低位日历年的数字)
2
2009-12-03
TPCA8109
电气特性
( TA = 25°C )
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs1
Q
gd
V
DD
≈ 24
V, V
GS
= 10
V,
I
D
= 24
A
符号
I
GSS
I
DSS
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSX
V
th
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
0V
V
GS
10
V
4.7
Ω
I
D
= 12
A
V
OUT
R
L
=
1.25
Ω
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0 V,F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±20
V, V
DS
=
0 V
V
DS
= 30
V, V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安,V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安,V
GS
=
10 V (注5)
V
DS
= 10
V,I
D
=
0.5毫安
V
GS
= 4.5V,
I
D
= 12
A
V
GS
= 10
V,I
D
= 12
A
30
21
0.8
典型值。
10
7
2400
400
460
9.2
16
58
最大
±100
10
2.0
13
9
ns
nC
pF
单位
nA
μA
V
V
V
DD
≈ 15
V
打开-O FF时间
总栅极电荷
(栅极 - 源极加上栅极 - 漏极)
栅极 - 源极电荷1
栅 - 漏极( “米勒” )费
1%, t
w
=
10
μs
172
56
5.6
15
源极 - 漏极额定值和特性
( TA = 25°C )
特征
反向漏电流
正向电压(二极管)
脉冲
(注1 )
符号
I
DRP
V
DSF
测试条件
I
DR
= 24
A,V
GS
=
0 V
典型值。
最大
72
1.2
单位
A
V
注5 : V
( BR ) DSX
模式(栅极和源极之间加上电压的应用)可能会导致降低最大
漏极 - 源极电压的额定值。
3
2009-12-03
TPCA8109
10 6 4.5
10
3
8
I
D
– V
DS
2.6
2.4
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
50
10
6
I
D
– V
DS
3.6
3.2
3
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
2.8
(A)
I
D
6
I
D
(A)
2.3
40
4.5
2.2
30
漏电流
4
2.1
2
2
0
0
VGS
= 1.9
V
0.2
0.4
0.6
0.8
1
漏电流
2.6
20
2.4
10
2.2
0
0
VGS
= 2
V
0.4
0.8
1.2
1.6
2
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
50
V
DS
– V
GS
0.5
V
DS
(V)
(A)
40
常见的来源
VDS
= 10
V
脉冲测试
25
Ta
= 55°C
100
0.4
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
I
D
20
漏源电压
30
0.3
漏电流
0.2
ID
= 24
A
10
0.1
12
6
0
0
1
2
3
4
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
R
DS ( ON)
– I
D
100
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
10
4.5
VGS
= 10
V
1
0.1
1
10
100
漏电流
I
D
(A)
4
2009-12-03
TPCA8109
R
DS ( ON)
- TA
20
100
I
DR
– V
DS
(A)
10
4.5
10
1
VGS
=
0 V
常见的来源
脉冲测试
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(mΩ)
16
ID
= 6, 12, 24
A
12
VGS
= 4.5
V
8
ID
= 6, 12, 24
A
VGS
= 10
V
3
反向漏电流
I
DR
1
4
常见的来源
Ta
=
25°C
脉冲测试
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
80
40
0
40
80
120
160
环境温度
Ta
(
°
C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
2
V
th
- TA
V
th
(V)
栅极阈值电压
西塞
(PF )
1.6
1.2
电容
C
1000
0.8
常见的来源
VDS
= 10
V
ID
= -0.5mA
脉冲测试
40
0
40
80
120
160
100
0.1
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Ta
=
25°C
1
10
科斯
CRSS
0.4
100
0
80
漏源电压
V
DS
(V)
环境温度
Ta
(
°
C)
动态输入/输出
特征
30
V
DS
(V)
25
VDD }
24
V
VDS
30
常见的来源
ID
= 24
A
Ta
=
25°C
25
脉冲测试
20
20
漏源电压
15
12
10
6
5
VGS
6
VDD }
24
V
12
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
0
总栅极电荷
Q
g
( NC )
栅源电压
V
GS
(V)
5
2009-12-03
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